SILIZIOZKO OBLEA NOLA EGIN
A obleasiliziozko xerra bat da, milimetro 1eko lodiera duena, gainazal oso laua duena, teknikoki oso zorrotzak diren prozedurei esker. Ondorengo erabilerak zehazten du zein kristal hazteko prozedura erabili behar den. Czochralski prozesuan, adibidez, silizio polikristalinoa urtzen da eta kristal hazi mehe bat silizio urtuan murgiltzen da. Ondoren, kristal hazi hori biratu eta poliki-poliki gorantz tiratzen da. Horren ondorioz, erraldoi oso astun bat lortzen da, monokristal bat. Monokristalaren ezaugarri elektrikoak hautatzea posible da dopante puruen unitate txikiak gehituz. Kristalak bezeroaren zehaztapenen arabera dopatzen dira eta gero leundu eta xerratan mozten dira. Hainbat ekoizpen-urrats gehigarriren ondoren, bezeroak bere obleak ontzi berezietan jasotzen ditu, eta horrek oblea berehala erabiltzeko aukera ematen dio bere ekoizpen-lerroan.
CZOCHRALSKI PROZESUA
Gaur egun, silizio monokristalinoen zati handi bat Czochralski prozesuaren arabera hazten da, eta prozesu horrek silizio polikristalino purua urtzea dakar kuartzozko arrago hiperpuro batean eta dopantea gehitzea (normalean B, P, As, Sb). Hazi-kristal monokristalino mehe bat murgiltzen da silizio urtuan. Ondoren, CZ kristal handi bat garatzen da kristal mehe horretatik. Silizio urtuaren tenperaturaren eta fluxuaren, kristalaren eta arragoaren biraketaren eta kristalaren tiratze-abiaduraren erregulazio zehatzak kalitate handiko silizio monokristalino lingote bat sortzen du.
FLOTAZIO ZONA METODOA
Float zone metodoaren arabera fabrikatutako monokristalak aproposak dira potentziako erdieroaleen osagaietan erabiltzeko, hala nola IGBTetan. Siliziozko lingote polikristalino zilindriko bat indukzio-bobina baten gainean muntatzen da. Irrati-maiztasuneko eremu elektromagnetiko batek hagatxoaren beheko aldeko silizioa urtzen laguntzen du. Eremu elektromagnetikoak silizio-fluxua erregulatzen du indukzio-bobinako zulo txiki batetik eta behean dagoen monokristalera (float zone metodoa). Dopaketa, normalean B edo P-rekin, substantzia gaseosoak gehituz lortzen da.
Argitaratze data: 2021eko ekainak 7