SIDA LOO SAMEEYO WAFAR SILICON AH
A buskud yarwaa gabal silikoon ah oo dhumucdiisu tahay 1 millimitir oo leh dusha sare oo aad u fidsan iyada oo ay ugu wacan tahay hababka farsamo ahaan aadka u baahan. Isticmaalka xiga ayaa go'aaminaya habka beerista kiristaalka ee la isticmaali karo. Tusaale ahaan, habka Czochralski, silikoon polycrystalline waa la dhalaaliyaa ka dibna kiristaal iniin ah oo khafiif ah ayaa lagu shubaa silikoonka dhalaalay. Kiristaalka iniinaha ayaa markaa la rogrogaa oo si tartiib tartiib ah kor loogu soo jiidaa. Colossus aad u culus, oo ah monocrystal, ayaa ka dhasha. Waa suurtagal in la doorto astaamaha korantada ee monocrystal iyadoo lagu darayo cutubyo yaryar oo ah dopants saafi ah oo sarreeya. Kiristaaladaha waxaa lagu shubaa iyadoo la raacayo tilmaamaha macaamiisha ka dibna la safeeyo oo loo jaro xaleefyo. Ka dib tallaabooyin wax soo saar oo dheeraad ah oo kala duwan, macaamilku wuxuu helaa buskudkiisa gaarka ah ee baakad gaar ah, taas oo u oggolaanaysa macaamiisha inay isla markiiba u isticmaalaan buskudka khadka wax soo saarka.
HABKA CZOCHRALSKI
Maanta, qayb weyn oo ka mid ah monocrystals-ka silicon ayaa lagu beeraa iyadoo loo eegayo habka Czochralski, kaas oo ku lug leh dhalaalinta siliconka saafiga ah ee polycrystalline ee ku jira quartz-ka hyperpurep iyo ku darista dopant-ka (badanaa B, P, As, Sb). Crystal abuurka khafiifka ah ee monocrystalline ayaa lagu dhex shubaa siliconka dhalaalay. Crystal CZ weyn ayaa markaa ka soo baxda kristalkan khafiifka ah. Nidaaminta saxda ah ee heerkulka iyo socodka siliconka dhalaalay, wareegga kiristaalka iyo crucible, iyo sidoo kale xawaaraha jiidista kiristaalka waxay keentaa ingot silicon monocrystalline tayo sare leh.
Habka Aagga Sabbaynaya
Monocrystals-ka lagu sameeyay habka aagga sabbaynaya ayaa ku habboon in loo isticmaalo qaybaha semiconductor-ka awoodda leh, sida IGBTs. Ingot silicon polycrystalline ah oo silinda ah ayaa lagu dhejiyaa gariiradda induction-ka. Goob electromagnetic ah oo ku taal mowjadaha raadiyaha ayaa ka caawisa dhalaalinta siliconka qaybta hoose ee usha. Goobta electromagnetic-ka waxay nidaamisaa socodka siliconka iyada oo loo marayo god yar oo ku yaal gariiradda induction-ka iyo monocrystal-ka hoos yaal (habka aagga sabbaynaya). Daawada, oo badanaa leh B ama P, waxaa lagu gaaraa iyadoo lagu daro walxo gaas ah.
Waqtiga boostada: Juun-07-2021