КАК СДЕЛАТЬ КРЕМНИЕВУЮ ПЛАСТИНУ

КАК СДЕЛАТЬ КРЕМНИЕВУЮ ПЛАСТИНУ

A вафляпредставляет собой пластину кремния толщиной примерно 1 миллиметр, которая имеет чрезвычайно плоскую поверхность благодаря процедурам, которые технически очень сложны. Последующее использование определяет, какую процедуру выращивания кристаллов следует использовать. Например, в процессе Чохральского поликристаллический кремний расплавляется, и затравочный кристалл толщиной с карандаш погружается в расплавленный кремний. Затем затравочный кристалл вращается и медленно вытягивается вверх. Получается очень тяжелый колосс — монокристалл. Можно выбрать электрические характеристики монокристалла, добавляя небольшие единицы высокочистых легирующих примесей. Кристаллы легируются в соответствии со спецификациями заказчика, а затем полируются и разрезаются на пластины. После различных дополнительных этапов производства заказчик получает указанные им пластины в специальной упаковке, что позволяет заказчику немедленно использовать пластину на своей производственной линии.

ПРОЦЕСС ЧОХРАЛЬСКОГО

Сегодня большая часть монокристаллов кремния выращивается по методу Чохральского, который включает плавление поликристаллического высокочистого кремния в тигле из сверхчистого кварца и добавление легирующей примеси (обычно B, P, As, Sb). Тонкий монокристаллический затравочный кристалл погружается в расплавленный кремний. Затем из этого тонкого кристалла развивается большой кристалл CZ. Точное регулирование температуры и потока расплавленного кремния, вращения кристалла и тигля, а также скорости вытягивания кристалла приводит к получению монокристаллического кремниевого слитка исключительно высокого качества.

МЕТОД ЗОНЫ ПЛАВАНИЯ

Монокристаллы, изготовленные по методу плавающей зоны, идеально подходят для использования в силовых полупроводниковых компонентах, таких как IGBT. Цилиндрический поликристаллический кремниевый слиток устанавливается над индукционной катушкой. Радиочастотное электромагнитное поле помогает расплавить кремний из нижней части стержня. Электромагнитное поле регулирует поток кремния через небольшое отверстие в индукционной катушке и на монокристалл, который находится ниже (метод плавающей зоны). Легирование, обычно с помощью B или P, достигается путем добавления газообразных веществ.