KAKO NAPRAVITI SILICIJSKU PLOČICU
A oblatnaje kriška silicija debljine otprilike 1 milimetar koja ima izuzetno ravnu površinu zahvaljujući tehnički vrlo zahtjevnim postupcima. Naknadna upotreba određuje koji se postupak uzgoja kristala treba primijeniti. U Czochralskijevom procesu, na primjer, polikristalni silicij se tali i kristalna sjemenka tanka poput olovke uranja se u rastaljeni silicij. Kristalna sjemenka se zatim rotira i polako povlači prema gore. Rezultat je vrlo teški kolos, monokristal. Moguće je odabrati električne karakteristike monokristala dodavanjem malih jedinica dopanta visoke čistoće. Kristali se dopiraju u skladu sa specifikacijama kupca, a zatim poliraju i režu na kriške. Nakon raznih dodatnih proizvodnih koraka, kupac prima svoje specificirane pločice u posebnom pakiranju, što mu omogućuje da pločicu odmah koristi u svojoj proizvodnoj liniji.
CZOCHRALSKI POSTUPAK
Danas se veliki dio silicijevih monokristala uzgaja Czochralskijevim postupkom, koji uključuje taljenje polikristalnog silicija visoke čistoće u hiperčistom kvarcnom lončiću i dodavanje dopanta (obično B, P, As, Sb). Tanak, monokristalni kristal semena uranja u rastaljeni silicij. Iz ovog tankog kristala zatim se razvija veliki CZ kristal. Precizna regulacija temperature i protoka rastaljenog silicija, rotacije kristala i lončića, kao i brzine izvlačenja kristala, rezultira izuzetno visokokvalitetnim monokristalnim silicijevim ingotom.
METODA PLUTAJUĆE ZONE
Monokristali proizvedeni metodom plutajuće zone idealni su za upotrebu u energetskim poluvodičkim komponentama, kao što su IGBT-i. Cilindrični polikristalni silicijev ingot montiran je preko indukcijske zavojnice. Radiofrekvencijsko elektromagnetsko polje pomaže u taljenju silicija iz donjeg dijela šipke. Elektromagnetsoko polje regulira protok silicija kroz malu rupu u indukcijskoj zavojnici i na monokristal koji se nalazi ispod (metoda plutajuće zone). Dopiranje, obično s B ili P, postiže se dodavanjem plinovitih tvari.
Vrijeme objave: 07.06.2021.