KREMNIY VAFERNI QANDAY TAYYORLASH KERAK
A gofretTexnik jihatdan juda talabchan protseduralar tufayli taxminan 1 millimetr qalinlikdagi kremniy bo'lagi juda tekis yuzaga ega. Keyingi foydalanish qaysi kristall o'stirish usuli qo'llanilishi kerakligini aniqlaydi. Masalan, Czochralski jarayonida polikristalli kremniy eritiladi va qalamdek yupqa urug' kristalli eritilgan kremniyga botiriladi. Keyin urug' kristalli aylantiriladi va asta-sekin yuqoriga tortiladi. Juda og'ir ulkan, monokristal hosil bo'ladi. Yuqori tozalikdagi qo'shimchalarning kichik birliklarini qo'shish orqali monokristalning elektr xususiyatlarini tanlash mumkin. Kristallar mijozning talablariga muvofiq qo'shiladi, so'ngra sayqallanadi va bo'laklarga bo'linadi. Turli qo'shimcha ishlab chiqarish bosqichlaridan so'ng, mijoz belgilangan plastinkalarni maxsus qadoqda oladi, bu esa mijozga plastinkani darhol ishlab chiqarish liniyasida ishlatish imkonini beradi.
CZOCHALSKI JARAYONI
Bugungi kunda kremniy monokristallarining katta qismi Czochralski jarayoniga muvofiq yetishtiriladi, bu jarayon polikristalli yuqori toza kremniyni gipertoza kvarts tigelida eritib, qo'shimcha modda (odatda B, P, As, Sb) qo'shishni o'z ichiga oladi. Yupqa, monokristalli urug' kristalli eritilgan kremniyga botiriladi. Keyin bu yupqa kristalldan katta CZ kristalli hosil bo'ladi. Eritilgan kremniy harorati va oqimini, kristall va tigelning aylanishini, shuningdek, kristallning tortish tezligini aniq tartibga solish natijasida juda yuqori sifatli monokristalli kremniy quymasi hosil bo'ladi.
SUZUVCHI ZONA USULI
Suzuvchi zona usuli bo'yicha ishlab chiqarilgan monokristallar IGBT kabi kuchli yarimo'tkazgich komponentlarida foydalanish uchun juda mos keladi. Silindrsimon polikristalli kremniy quymasi induksion bobin ustiga o'rnatiladi. Radiochastotali elektromagnit maydon kremniyni sterjenning pastki qismidan eritishga yordam beradi. Elektromagnit maydon kremniy oqimini induksion bobindagi kichik teshik orqali va pastda joylashgan monokristalga boshqaradi (suzuvchi zona usuli). Odatda B yoki P bilan qo'shilish gazsimon moddalarni qo'shish orqali amalga oshiriladi.
Nashr vaqti: 2021-yil 7-iyun