KIEL FARI SILICIAN OBLATON
A oblatoestas tranĉaĵo de silicio ĉirkaŭ 1 milimetron dika, kiu havas ekstreme platan surfacon danke al teknike tre postulemaj proceduroj. La posta uzo determinas, kiun kristalkreskigan proceduron oni devas apliki. Ekzemple, en la Czochralski-procezo, la polikristala silicio estas fandita kaj krajon-maldika semkristalo estas trempita en la fanditan silicion. La semkristalo estas poste rotaciita kaj malrapide tirata supren. Rezultas tre peza koloso, monokristalo. Eblas elekti la elektrajn karakterizaĵojn de la monokristalo per aldono de malgrandaj unuoj de altpurecaj dopantoj. La kristaloj estas dopitaj laŭ la klientaj specifoj kaj poste poluritaj kaj tranĉitaj en tranĉaĵojn. Post diversaj pliaj produktadpaŝoj, la kliento ricevas siajn specifitajn oblatojn en speciala pakaĵo, kiu permesas al la kliento tuj uzi la oblaton en sia produktadlinio.
CZOCHRALSKY-PROCESO
Hodiaŭ, granda parto de la siliciaj monokristaloj estas kreskigataj laŭ la Czochralski-procezo, kiu implicas fandadon de polikristala altpureca silicio en hiperpura kvarca krisolo kaj aldonon de la dopanto (kutime B, P, As, Sb). Maldika, monokristala semkristalo estas trempita en la fanditan silicion. Granda CZ-kristalo tiam disvolviĝas el ĉi tiu maldika kristalo. Preciza reguligo de la temperaturo kaj fluo de la fandita silicio, la rotacio de la kristalo kaj krisolo, same kiel la tirrapideco de la kristalo rezultas en ekstreme altkvalita monokristala silicia orbriko.
METODO DE FLOSZONA
Monokristaloj fabrikitaj laŭ la metodo de flosanta zono estas idealaj por uzo en potencaj duonkonduktaĵaj komponantoj, kiel ekzemple IGBT-oj. Cilindra polikristala silicia orbriko estas muntita super indukbobeno. Radiofrekvenca elektromagneta kampo helpas fandi la silicion de la malsupra parto de la stango. La elektromagneta kampo reguligas la silician fluon tra malgranda truo en la indukbobeno kaj sur la monokristalon, kiu kuŝas sube (metodo de flosanta zono). La dopado, kutime per B aŭ P, estas atingita per aldono de gasaj substancoj.
Afiŝtempo: 07-06-2021