CÓMO HACER UNA OBLEA DE SILICIO
A obleaEs una lámina de silicio de aproximadamente 1 milímetro de grosor que posee una superficie extremadamente plana gracias a procedimientos técnicamente muy exigentes. El uso posterior determina el procedimiento de crecimiento cristalino a emplear. En el proceso Czochralski, por ejemplo, se funde el silicio policristalino y se sumerge un cristal semilla del grosor de un lápiz en el silicio fundido. A continuación, el cristal semilla se gira y se eleva lentamente. El resultado es un coloso muy pesado: un monocristal. Es posible seleccionar las características eléctricas del monocristal añadiendo pequeñas unidades de dopantes de alta pureza. Los cristales se dopan según las especificaciones del cliente y, a continuación, se pulen y se cortan en láminas. Tras varios pasos de producción adicionales, el cliente recibe las obleas especificadas en un embalaje especial, lo que le permite utilizarlas inmediatamente en su línea de producción.
PROCESO CZOCHRALSKI
Hoy en día, gran parte de los monocristales de silicio se cultivan mediante el proceso Czochralski, que consiste en fundir silicio policristalino de alta pureza en un crisol de cuarzo hiperpuro y añadir el dopante (generalmente B, P, As, Sb). Un fino cristal semilla monocristalino se sumerge en el silicio fundido. A partir de este fino cristal, se desarrolla un gran cristal de CZ. La regulación precisa de la temperatura y el flujo del silicio fundido, la rotación del cristal y del crisol, así como la velocidad de extracción del cristal, dan como resultado un lingote de silicio monocristalino de altísima calidad.
MÉTODO DE ZONA DE FLOTACIÓN
Los monocristales fabricados mediante el método de zona de flotación son ideales para su uso en componentes semiconductores de potencia, como los IGBT. Un lingote cilíndrico de silicio policristalino se monta sobre una bobina de inducción. Un campo electromagnético de radiofrecuencia ayuda a fundir el silicio de la parte inferior de la varilla. El campo electromagnético regula el flujo de silicio a través de un pequeño orificio en la bobina de inducción hacia el monocristal situado debajo (método de zona de flotación). El dopaje, generalmente con B o P, se consigue añadiendo sustancias gaseosas.
Hora de publicación: 07-jun-2021