Эпитаксиаль Эпи Графит Баррель Суссепторы

Эпитаксиаль Эпи Графит Баррель Суссепторы

Эпитаксиаль Эпи Графит Баррель Суссепторыярымүткәргеч субстратларны тоту һәм җылыту өчен махсус эшләнгән ярдәм һәм җылыту җайланмасы, Deposition яки Epitaxy процесслары кебек җитештерү процессларында.

Аның структурасы гадәттә цилиндрик яки бераз баррель формасында, өслегендә берничә кесә яки вафер урнаштыру өчен платформалар бар, җылыту ысулына карап каты яки буш дизайн булырга мөмкин.

Эпитаксиаль баррель сисепторының төп функцияләре:

1. Вафер ташучы һәм температура белән идарә итү
Суссептор өслеге берничә вафер кесә белән эшләнгән (мәсәлән, алты почмаклы яки сигез почмаклы аранжировка), алар берьюлы 6-15 ваферга ярдәм итә ала. Purгары чисталыклы графитның (120-150W / mK) югары җылылык үткәрүчәнлеге әйләнү функциясе (5-20 RPM) белән кушылып, тиз җылылык үткәрүне тәэмин итә, нәтиҗәдә <± 1 of вафер өслеге температурасы тайпылуына һәм эпитаксиаль катлам калынлыгы <1%.

2. Реактив газ агымы юнәлешен оптимизацияләү
Суссептор өслегенең микросруктурасы реакция катламнарын (SiH4, NH3 кебек) бертөрле таратырга һәм чүплек тизлегенең эзлеклелеген яхшыртырга мөмкинлек бирүче чик катламы эффектын бозырга мөмкин.

3. Пычрануга һәм коррозиягә каршы саклау
Графит субстратлары бозылырга һәм металл пычракларны (Fe, Ni кебек) югары температурада чыгарырга мөмкин, ә 100μм калынлыктагы CVD SiC капламы графит ватилизациясен бастыру өчен тыгыз киртә ясарга мөмкин, нәтиҗәдә вафер җитешсезлек дәрәҗәсе <0,1 җитешсезлек / см of.

Кушымталар:
- Кремний эпитаксиаль үсеш өчен кулланыла
- GaAs, InP һ.б. кебек башка ярымүткәргеч материалларның эпитаксы өчен дә кулланыла.

VET Energy химик тотрыклылыкны арттыру өчен CVD-SiC капламы белән югары чисталыклы графит куллана:

1. Highгары чисталык графит материалы
Highгары җылылык үткәрүчәнлеге: графитның җылылык үткәрүчәнлеге кремнийныкыннан өч тапкыр күбрәк, ул җылылык чыганагыннан тизлекне ваферга күчерә һәм җылыту вакытын кыскартырга мөмкин.
Механик көч: изостатик басым графит тыгызлыгы 85 1,85 г / см ³, югары температураны 1200 above өстендә деформациягә каршы тора ала.

2. CVD SiC каплау
A - SiC катламы графит өслегендә химик пар парламенты (CVD) белән барлыкка килә, чисталыгы ≥ 99.99995%, каплау калынлыгының бертөрле хата ± 5%, ә өслекнең тупаслыгы Ra0.5umдан ким.

3. Эшчәнлекне яхшырту:
Коррозиягә каршы тору: Cl2, HCl һ.б. кебек югары коррозив газларга каршы тора ала, GaN эпитаксының гомерен NH3 мохитендә өч тапкыр озайта ала.
Rылылык тотрыклылыгы: Термаль киңәю коэффициенты (4,5 × 10-6 / ℃) температураның үзгәрүеннән килеп чыккан каплау ярылмасын өчен графитка туры килә.
Катылык һәм киемгә каршы тору: Викерсның катылыгы 28 GPa җитә, бу графиттан 10 тапкырга югарырак һәм вафер сызу куркынычын киметә ала.