I requisiti di l'industria di i semiconduttori per i requisiti di materiale di grafite sò particularmente alti, a dimensione fina di e particelle di grafite hà alta precisione, resistenza à alta temperatura, alta resistenza, piccule perdite è altri vantaghji, cum'è: stampo per prudutti di grafite sinterizzata.Siccomu l'equipaggiu di grafite utilizatu in l'industria di i semiconduttori (cumpresi i riscaldatori è i so stampi sinterizzati) hè necessariu per resistere à prucessi ripetuti di riscaldamentu è raffreddamentu, per allargà a vita di serviziu di l'equipaggiu di grafite, hè generalmente necessariu chì i materiali di grafite utilizati abbianu prestazioni stabili è una funzione d'impattu resistente à u calore.
01 Accessori di grafite per a crescita di cristalli semiconduttori
Tutti i prucessi aduprati per cultivà cristalli semiconduttori operanu in cundizioni di temperatura elevata è corrosivu. A zona calda di u fornu di crescita di cristalli hè generalmente dotata di cumpunenti di grafite di alta purezza resistenti à u calore è à a corrosione, cum'è riscaldatore, crogiolu, cilindru d'isolamentu, cilindru di guida, elettrodu, supportu di crogiolu, dado di elettrodu, ecc.
Pudemu fabricà tutte e parti di grafite di i dispusitivi di pruduzzione di cristalli, chì ponu esse furnite individualmente o in insemi, o parti di grafite persunalizate di varie dimensioni secondu i requisiti di u cliente. A dimensione di i prudutti pò esse misurata in situ, è u cuntenutu di cenere di i prudutti finiti pò esse menu.chè 5 ppm.
02 Accessori di grafite per l'epitassia di semiconduttori
U prucessu epitassiale si riferisce à a crescita di un stratu di materiale monocristallinu cù a stessa disposizione di reticolo cum'è u substratu nantu à u substratu monocristallinu. In u prucessu epitassiale, a cialda hè caricata nantu à u discu di grafite. E prestazioni è a qualità di u discu di grafite ghjocanu un rolu vitale in a qualità di u stratu epitassiale di a cialda. In u campu di a pruduzzione epitassiale, hè necessaria assai grafite di purezza ultra alta è una basa di grafite di alta purezza cù rivestimentu SIC.
A basa di grafite di a nostra sucietà per l'epitassia di semiconduttori hà una vasta gamma di applicazioni, pò currisponde à a maiò parte di l'equipaggiamenti cumunimenti usati in l'industria, è hà una alta purezza, un rivestimentu uniforme, una eccellente durata di serviziu, è una alta resistenza chimica è stabilità termica.
03 Accessori di grafite per l'impiantu ionicu
L'impiantu ionicu si riferisce à u prucessu di accelerazione di u fasciu di plasma di boru, fosforu è arsenicu à una certa energia, è poi iniezione in u stratu superficiale di u materiale di a cialda per cambià e proprietà di u materiale di u stratu superficiale. I cumpunenti di u dispusitivu d'impiantu ionicu devenu esse fatti di materiali d'alta purezza cù una eccellente resistenza à u calore, cunduttività termica, menu corrosione causata da u fasciu di ioni è bassu cuntenutu d'impurità. A grafite d'alta purezza risponde à i requisiti di l'applicazione, è pò esse aduprata per u tubu di volu, varie fessure, elettrodi, coperture d'elettrodi, cundutti, terminatori di fasciu, ecc. di l'equipaggiu d'impiantu ionicu.
Ùn pudemu micca solu furnisce una copertura di schermatura in grafite per diverse macchine d'impiantu ionicu, ma ancu furnisce elettrodi di grafite di alta purezza è fonti di ioni cù alta resistenza à a corrosione di varie specifiche. Modelli applicabili: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM è altri equipaggiamenti. Inoltre, pudemu ancu furnisce prudutti currispondenti in ceramica, tungstenu, molibdenu, aluminiu è pezzi rivestiti.
04 Materiali d'isolamentu in grafite è altri
I materiali d'isolamentu termicu utilizati in l'equipaggiamenti di pruduzzione di semiconduttori includenu feltro duru di grafite, feltro dolce, foglia di grafite, carta di grafite è corda di grafite.
Tutte e nostre materie prime sò grafite impurtata, chì pò esse tagliata secondu a dimensione specifica di i requisiti di u cliente o venduta in tuttu.
U vassoio di carbone-carbone hè adupratu cum'è supportu per u rivestimentu di film in u prucessu di pruduzzione di cellule di siliciu monocristallinu solare è di siliciu policristallinu. U principiu di funziunamentu hè: inserisce u chip di siliciu in u vassoio CFC è mandallu in u tubu di u fornu per processà u rivestimentu di film.
