Los requisitos de la industria de semiconductores de los requisitos de material de grafito son particularmente altos, el tamaño de partícula fina de grafito tiene alta precisión, resistencia a altas temperaturas, alta resistencia, pequeña pérdida y otras ventajas, tales como: molde de productos de grafito sinterizado.Debido a que los equipos de grafito utilizados en la industria de semiconductores (incluidos los calentadores y sus matrices sinterizadas) deben soportar procesos repetidos de calentamiento y enfriamiento, para extender la vida útil de los equipos de grafito, generalmente se requiere que los materiales de grafito utilizados tengan un rendimiento estable y una función de impacto resistente al calor.
01 Accesorios de grafito para el crecimiento de cristales semiconductores
Todos los procesos utilizados para el crecimiento de cristales semiconductores operan en entornos corrosivos y de alta temperatura. La zona caliente del horno de crecimiento de cristales suele estar equipada con componentes de grafito de alta pureza resistentes al calor y a la corrosión, como el calentador, el crisol, el cilindro aislante, el cilindro guía, el electrodo, el portacrisol, la tuerca del electrodo, etc.
Podemos fabricar todas las piezas de grafito para dispositivos de producción de cristales, que pueden suministrarse individualmente o en conjuntos, o piezas de grafito personalizadas de diversos tamaños según las necesidades del cliente. El tamaño de los productos se puede medir in situ y el contenido de cenizas de los productos terminados puede ser menor.de 5 ppm.
02 Accesorios de grafito para epitaxia de semiconductores
El proceso epitaxial se refiere al crecimiento de una capa de material monocristalino con la misma disposición reticular que el sustrato sobre dicho sustrato. En el proceso epitaxial, la oblea se carga sobre el disco de grafito. El rendimiento y la calidad del disco de grafito son fundamentales para la calidad de la capa epitaxial de la oblea. En la producción epitaxial, se requiere una gran cantidad de grafito de ultraalta pureza y grafito de alta pureza con recubrimiento de SIC.
La base de grafito para epitaxia de semiconductores de nuestra empresa tiene una amplia gama de aplicaciones, puede adaptarse a la mayoría de los equipos comúnmente utilizados en la industria y tiene alta pureza, recubrimiento uniforme, excelente vida útil y alta resistencia química y estabilidad térmica.
03 Accesorios de grafito para implantación de iones
La implantación iónica se refiere al proceso de acelerar el haz de plasma de boro, fósforo y arsénico hasta una energía determinada, inyectándolo posteriormente en la capa superficial del material de la oblea para modificar sus propiedades. Los componentes del dispositivo de implantación iónica deben estar fabricados con materiales de alta pureza con excelente resistencia al calor, conductividad térmica, menor corrosión causada por el haz iónico y bajo contenido de impurezas. El grafito de alta pureza cumple con los requisitos de la aplicación y puede utilizarse en tubos de vuelo, diversas ranuras, electrodos, cubiertas de electrodos, conductos, terminadores de haz, etc., de equipos de implantación iónica.
Ofrecemos cubiertas de blindaje de grafito para diversas máquinas de implantación de iones, así como electrodos de grafito de alta pureza y fuentes de iones con alta resistencia a la corrosión para diversas especificaciones. Modelos compatibles: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM y otros equipos. Además, ofrecemos productos y piezas recubiertas de cerámica, tungsteno, molibdeno y aluminio.
04 Materiales aislantes de grafito y otros
Los materiales de aislamiento térmico utilizados en los equipos de producción de semiconductores incluyen fieltro duro de grafito, fieltro blando, lámina de grafito, papel de grafito y cuerda de grafito.
Todas nuestras materias primas son grafito importado, que se puede cortar según el tamaño específico de los requisitos del cliente o venderse en su totalidad.
La bandeja carbono-carbono se utiliza como soporte para el recubrimiento de película en el proceso de producción de células solares de silicio monocristalino y policristalino. Su principio de funcionamiento es el siguiente: se inserta el chip de silicio en la bandeja de CFC y se envía al tubo del horno para procesar el recubrimiento de película.
