半導体グラファイト

半導体産業のグラファイト材料に対する要求は特に高く、グラファイトの微粒子は、焼結グラファイト製品の金型など、高精度、耐熱性、高強度、損失が小さいなどの利点があります。半導体産業で使用されるグラファイト機器（ヒーターおよびその焼結ダイを含む）は、繰り返しの加熱と冷却のプロセスに耐える必要があるため、グラファイト機器の耐用年数を延ばすには、通常、使用されるグラファイト材料に安定した性能と耐熱衝撃機能が必要です。

01 半導体結晶成長用グラファイトアクセサリー

半導体結晶の成長プロセスはすべて高温・腐食性環境下で行われます。結晶成長炉のホットゾーンには通常、ヒーター、るつぼ、断熱シリンダー、ガイドシリンダー、電極、るつぼホルダー、電極ナットなど、耐熱性と耐腐食性に優れた高純度グラファイト部品が装備されています。

結晶製造装置のすべてのグラファイト部品を製造可能です。個別またはセットでのご提供、あるいはお客様のご要望に応じて様々なサイズのグラファイト部品をカスタマイズすることも可能です。製品サイズは現地で測定可能で、完成品の灰分含有量は最小限に抑えられます。5ppm未満。

02 半導体エピタキシー用グラファイトアクセサリー

エピタキシャルプロセスとは、単結晶基板上に基板と同じ格子配列を持つ単結晶材料の層を成長させることを指します。エピタキシャルプロセスでは、ウェーハはグラファイトディスク上に載置されます。グラファイトディスクの性能と品質は、ウェーハのエピタキシャル層の品質に重要な役割を果たします。エピタキシャル製造分野では、超高純度グラファイトとSiCコーティングを施した高純度グラファイトベースが大量に必要とされています。

当社の半導体エピタキシー用グラファイトベースは、用途が広く、業界で一般的に使用されているほとんどの設備に適合し、純度が高く、コーティングが均一で、耐用年数が優れ、耐薬品性と熱安定性に優れています。

03 イオン注入用グラファイトアクセサリー

イオン注入とは、ホウ素、リン、ヒ素などのプラズマビームを一定のエネルギーまで加速し、ウェーハ材料の表面層に注入することで、表面層の材料特性を変化させるプロセスを指します。イオン注入装置の部品は、耐熱性、熱伝導性に優れ、イオンビームによる腐食が少なく、不純物含有量が少ない高純度材料で作られる必要があります。高純度グラファイトはアプリケーション要件を満たし、イオン注入装置のフライトチューブ、各種スリット、電極、電極カバー、コンジット、ビームターミネータなどに使用できます。

当社は、各種イオン注入装置用のグラファイトシールドカバーの提供に加え、高純度グラファイト電極および高耐腐食性イオン源を各種仕様で提供しています。対応機種：Eaton、Azcelis、Quatum、Varian、Nissin、AMAT、LAMなど。さらに、セラミック、タングステン、モリブデン、アルミニウム製品やコーティング部品もご用意しております。