Die Anforderungen der Halbleiterindustrie an Graphitmaterialien sind besonders hoch. Die feine Partikelgröße von Graphit weist hohe Präzision, hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Festigkeit, geringen Verlust und andere Vorteile auf, wie zum Beispiel: Formgebung für gesinterte Graphitprodukte.Da die in der Halbleiterindustrie verwendeten Graphitgeräte (einschließlich Heizgeräte und deren Sinterformen) wiederholten Heiz- und Kühlprozessen standhalten müssen, ist es zur Verlängerung der Lebensdauer der Graphitgeräte im Allgemeinen erforderlich, dass die verwendeten Graphitmaterialien eine stabile Leistung und eine hitzebeständige Schlagfestigkeit aufweisen.
01 Graphitzubehör für das Halbleiterkristallwachstum
Alle Prozesse zur Züchtung von Halbleiterkristallen finden unter hohen Temperaturen und in korrosiver Umgebung statt. Die Heißzone des Kristallzüchtungsofens ist üblicherweise mit hitzebeständigen und korrosionsbeständigen hochreinen Graphitkomponenten ausgestattet, wie z. B. Heizelement, Tiegel, Isolierzylinder, Führungszylinder, Elektrode, Tiegelhalter, Elektrodenmutter usw.
Wir fertigen alle Graphitteile für Kristallproduktionsanlagen, die einzeln oder in Sets geliefert werden können, sowie kundenspezifische Graphitteile in verschiedenen Größen nach Kundenwunsch. Die Größe der Produkte kann vor Ort gemessen werden, und der Aschegehalt der fertigen Produkte kann geringer seinals 5 ppm.
02 Graphitzubehör für die Halbleiterepitaxie
Epitaxie bezeichnet das Wachstum einer Schicht aus Einkristallmaterial mit der gleichen Gitteranordnung wie das Substrat auf dem Einkristallsubstrat. Im Epitaxieprozess wird der Wafer auf die Graphitscheibe geladen. Die Leistung und Qualität der Graphitscheibe spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers. Im Bereich der Epitaxieproduktion werden große Mengen ultrahochreiner Graphite und hochreiner Graphitbasis mit SiC-Beschichtung benötigt.
Die Graphitbasis unseres Unternehmens für die Halbleiterepitaxie hat ein breites Anwendungsspektrum, ist mit den meisten in der Branche gängigen Geräten kompatibel und weist eine hohe Reinheit, eine gleichmäßige Beschichtung, eine ausgezeichnete Lebensdauer sowie eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität auf.
03 Graphitzubehör für die Ionenimplantation
Bei der Ionenimplantation wird ein Plasmastrahl aus Bor, Phosphor und Arsen auf eine bestimmte Energie beschleunigt und anschließend in die Oberflächenschicht des Wafermaterials injiziert, um deren Materialeigenschaften zu verändern. Die Komponenten der Ionenimplantationsvorrichtung müssen aus hochreinen Materialien mit ausgezeichneter Hitzebeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit, geringer Korrosion durch den Ionenstrahl und geringem Verunreinigungsgehalt bestehen. Hochreiner Graphit erfüllt die Anwendungsanforderungen und kann für Flugrohre, Schlitze, Elektroden, Elektrodenabdeckungen, Leitungen, Strahlabschlüsse usw. von Ionenimplantationsgeräten verwendet werden.
Wir bieten nicht nur Graphit-Abschirmungen für verschiedene Ionenimplantationsanlagen, sondern auch hochreine Graphitelektroden und Ionenquellen mit hoher Korrosionsbeständigkeit in verschiedenen Spezifikationen. Geeignete Modelle: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM und andere Geräte. Darüber hinaus bieten wir passende Produkte aus Keramik, Wolfram, Molybdän, Aluminium und beschichtete Teile an.
04 Graphit-Isoliermaterialien und andere
Zu den in der Halbleiterproduktionsanlage verwendeten Wärmedämmstoffen zählen Graphithartfilz, Weichfilz, Graphitfolie, Graphitpapier und Graphitseil.
Alle unsere Rohstoffe sind importierter Graphit, der entsprechend den spezifischen Kundenanforderungen auf die gewünschte Größe zugeschnitten oder als Ganzes verkauft werden kann.
Die Kohlenstoff-Kohlenstoff-Schale wird als Träger für die Filmbeschichtung im Produktionsprozess von Solarzellen aus monokristallinem und polykristallinem Silizium verwendet. Das Funktionsprinzip ist: Der Siliziumchip wird in die CFC-Schale eingelegt und zur Filmbeschichtung in das Ofenrohr geschickt.
