ความต้องการของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์สำหรับวัสดุกราไฟต์นั้นค่อนข้างสูง โดยกราไฟต์จะมีขนาดอนุภาคละเอียดซึ่งมีความแม่นยำสูง ทนต่ออุณหภูมิสูง มีความแข็งแรงสูง สูญเสียน้อย และมีข้อดีอื่นๆ เช่น แม่พิมพ์สำหรับผลิตภัณฑ์กราไฟต์เผาผนึกเนื่องจากอุปกรณ์กราไฟต์ที่ใช้ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ (รวมทั้งเครื่องทำความร้อนและแม่พิมพ์เผาผนึก) จำเป็นต้องทนต่อกระบวนการให้ความร้อนและทำความเย็นซ้ำๆ ดังนั้นเพื่อยืดอายุการใช้งานของอุปกรณ์กราไฟต์ จึงมักต้องใช้วัสดุกราไฟต์ที่มีประสิทธิภาพคงที่และทนต่อแรงกระแทกจากความร้อน
01 อุปกรณ์เสริมกราไฟท์สำหรับการเจริญเติบโตของผลึกเซมิคอนดักเตอร์
กระบวนการทั้งหมดที่ใช้ในการปลูกคริสตัลเซมิคอนดักเตอร์ทำงานภายใต้อุณหภูมิสูงและสภาพแวดล้อมที่กัดกร่อน โซนร้อนของเตาปลูกคริสตัลมักติดตั้งด้วยส่วนประกอบกราไฟต์ที่มีความบริสุทธิ์สูงที่ทนความร้อนและทนต่อการกัดกร่อน เช่น เครื่องทำความร้อน เบ้าหลอม กระบอกฉนวน กระบอกนำทาง อิเล็กโทรด ที่จับเบ้าหลอม น็อตอิเล็กโทรด เป็นต้น
เราสามารถผลิตชิ้นส่วนกราไฟต์ทั้งหมดของอุปกรณ์ผลิตคริสตัล ซึ่งสามารถจัดหาได้ทีละชิ้นหรือเป็นชุด หรือชิ้นส่วนกราไฟต์ที่กำหนดเองในขนาดต่างๆ ตามความต้องการของลูกค้า สามารถวัดขนาดผลิตภัณฑ์ได้ในสถานที่ และปริมาณเถ้าของผลิตภัณฑ์สำเร็จรูปสามารถลดลงได้มากกว่า 5ppm.
02 อุปกรณ์เสริมกราไฟท์สำหรับเอพิแทกซีเซมิคอนดักเตอร์
กระบวนการเอพิแทกเซียลหมายถึงการเติบโตของชั้นของวัสดุผลึกเดี่ยวที่มีการจัดเรียงโครงตาข่ายแบบเดียวกับพื้นผิวบนพื้นผิวผลึกเดี่ยว ในกระบวนการเอพิแทกเซียล แผ่นเวเฟอร์จะถูกโหลดลงบนแผ่นกราไฟต์ ประสิทธิภาพและคุณภาพของแผ่นกราไฟต์มีบทบาทสำคัญต่อคุณภาพของชั้นเอพิแทกเซียลของแผ่นเวเฟอร์ ในด้านการผลิตเอพิแทกเซียล จำเป็นต้องใช้กราไฟต์ที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษและฐานกราไฟต์ที่มีความบริสุทธิ์สูงพร้อมการเคลือบ SIC จำนวนมาก
ฐานกราไฟต์สำหรับอิพิแทกซีเซมิคอนดักเตอร์ของบริษัทเรามีขอบเขตการใช้งานที่กว้างขวาง สามารถจับคู่กับอุปกรณ์ที่ใช้กันทั่วไปส่วนใหญ่ในอุตสาหกรรม และมีความบริสุทธิ์สูง เคลือบสม่ำเสมอ อายุการใช้งานที่ยอดเยี่ยม และทนต่อสารเคมีและเสถียรภาพทางความร้อนสูง
03 อุปกรณ์เสริมกราไฟท์สำหรับการฝังไอออน
การฝังไอออนหมายถึงกระบวนการเร่งลำแสงพลาสม่าของโบรอน ฟอสฟอรัส และสารหนูให้มีพลังงานในระดับหนึ่ง จากนั้นฉีดเข้าไปในชั้นผิวของวัสดุเวเฟอร์เพื่อเปลี่ยนคุณสมบัติของวัสดุในชั้นผิว ส่วนประกอบของอุปกรณ์ฝังไอออนจะต้องทำจากวัสดุที่มีความบริสุทธิ์สูง ทนทานต่อความร้อนได้ดี มีการนำความร้อนได้ดี มีการกัดกร่อนที่เกิดจากลำแสงไอออนน้อย และมีปริมาณสิ่งเจือปนต่ำ กราไฟต์ที่มีความบริสุทธิ์สูงตรงตามข้อกำหนดการใช้งาน และสามารถใช้สำหรับท่อส่ง รอยแยกต่างๆ อิเล็กโทรด ฝาปิดอิเล็กโทรด ท่อร้อยสาย ตัวยุติลำแสง ฯลฯ ของอุปกรณ์ฝังไอออน
เราไม่เพียงแต่จัดหาฝาครอบป้องกันกราไฟต์สำหรับเครื่องฝังไอออนต่างๆ เท่านั้น แต่ยังมีอิเล็กโทรดกราไฟต์ที่มีความบริสุทธิ์สูงและแหล่งไอออนที่มีความต้านทานการกัดกร่อนสูงในสเปกต่างๆ อีกด้วย รุ่นที่ใช้งานได้: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM และอุปกรณ์อื่นๆ นอกจากนี้ เรายังสามารถจัดหาผลิตภัณฑ์เซรามิก ทังสเตน โมลิบดีนัม อลูมิเนียม และชิ้นส่วนเคลือบที่เข้าคู่กันได้อีกด้วย
04 วัสดุฉนวนกราไฟท์และอื่นๆ
วัสดุฉนวนกันความร้อนที่ใช้ในอุปกรณ์การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ได้แก่ กราไฟต์แบบแข็ง กราไฟต์แบบอ่อน ฟอยล์กราไฟต์ กระดาษกราไฟต์ และเชือกกราไฟต์
วัตถุดิบทั้งหมดของเราเป็นกราไฟท์ที่นำเข้า ซึ่งสามารถตัดตามขนาดเฉพาะตามความต้องการของลูกค้าหรือขายเป็นชิ้นได้
ถาดคาร์บอน-คาร์บอนใช้เป็นตัวพาสำหรับการเคลือบฟิล์มในกระบวนการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์แบบโมโนคริสตัลไลน์และโพลีคริสตัลไลน์ซิลิคอน หลักการทำงานคือ ใส่ชิปซิลิคอนลงในถาด CFC แล้วส่งเข้าไปในท่อเตาเพื่อประมวลผลการเคลือบฟิล์ม
