Industriae semiconductorum postulata materiae graphitae praecipue alta sunt; graphitae particularum minutiarum praecisionem magnam, resistentiam altae temperaturae, firmitatem magnam, iacturam parvam, aliasque utilitates praebet, ut puta: forma productorum graphitae sinterizatae.Quia apparatus graphitae in industria semiconductorum adhibitus (inclusis calefactoribus et matricibus eorum sinterizatis) processus calefactionis et refrigerationis repetitos tolerare debent, ut vita utilis apparatuum graphitae extendetur, plerumque requiritur ut materiae graphitae adhibitae stabilem functionem et functionem resistentiae caloris contra ictus habeant.
01 Accessoria graphita ad accretionem crystallorum semiconductorum
Omnes processus ad crystallos semiconductores crescendos adhibiti sub alta temperatura et ambitu corrosivo operantur. Zona calida fornacis crescentis crystallorum plerumque instructa est componentibus graphitis altae puritatis, resistentibus calori et corrosioni, ut calefactor, crucibulum, cylindrus insulationis, cylindrus ductor, electrodus, tenax crucibuli, nux electrodi, etc.
Omnes partes graphitae instrumentorum crystallorum productionis fabricare possumus, quae singillatim vel in seriebus praeberi possunt, vel partes graphitae variarum magnitudinum secundum requisita emptoris ad mensuram aptatae. Magnitudo productorum in situ metiri potest, et cineris contentum productorum perfectorum minor esse potest.quam 5 ppm.
02 Accessiones graphitae ad epitaxiam semiconductorum
Processus epitaxialis ad incrementum strati materiae monocrystallinae cum eadem dispositione reticuli ac substratum in substrato monocrystallino refertur. In processu epitaxiali, crustulum in disco graphitae imponitur. Efficacia et qualitas disci graphitae partes vitales agunt in qualitate strati epitaxialis crustulae. In agro productionis epitaxialis, multum graphiti purissimi et basis graphiti purissimi cum obductione SIC requiritur.
Basis graphitae societatis nostrae ad epitaxiam semiconductorum adhibenda latam applicationum varietatem habet, plurimis instrumentis in industria vulgo usitatis congruere potest, et puritatem magnam, stratum uniformem, vitam utilem excellentem, et resistentiam chemicam atque stabilitatem thermalem magnam habet.
03 Instrumenta graphita ad implantationem ionicam
Implantatio ionica ad processum accelerationis fasciculi plasmatis bori, phosphori, et arsenici ad certam energiam refertur, deinde iniectionis eius in stratum superficiale materiae crustulae ad proprietates materiae strati superficialis mutandas. Partes instrumenti implantationis ionicae ex materiis altae puritatis, excellenti resistentia caloris, conductivitate thermali, minore corrosione a fasciculo ionico effecta, et parva impuritatis copia praeditae, fabricandae sunt. Graphite altae puritatis requisitis applicationis satisfacit, et ad tubum volandi, varias fissuras, electrodos, tegumenta electrodorum, fissuras, terminatores fasciculi, et cetera instrumentorum implantationis ionicae adhiberi potest.
Non solum tegumenta graphita pro variis machinis implantationis ionicae praebere possumus, sed etiam electrodos graphitae altae puritatis et fontes ionum cum alta resistentia corrosionis variarum specificationum. Modela applicabilia: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM et alia instrumenta. Praeterea, etiam producta ceramica, tungstenica, molybdena, aluminii et partes obductas congruentes praebere possumus.
04 Materiae insulationis graphitae et aliae
Materiae insulationis thermalis in apparatu productionis semiconductorum adhibitae includunt feltrum durum graphitatum, feltrum molle, laminam graphitatam, chartam graphitatam, et funem graphitatum.
Omnes materiae nostrae rudis graphita importata est, quae secundum magnitudinem specificam requisitorum emptoris secari vel in toto vendi potest.
Ferculum carbonis-carbonis ut vector ad pelliculam obducendam in processu productionis cellularum silicii solaris monocrystallini et silicii polycrystallini adhibetur. Principium operationis est: lamellam silicii in ferculum CFC inserere et in tubum fornacis mittere ad pelliculam obducendam tractandam.
