-
Numerikus szimulációs vizsgálat a porózus grafit hatásáról a szilícium-karbid kristálynövekedésre
A SiC kristálynövekedés alapvető folyamata a nyersanyagok magas hőmérsékleten történő szublimációjára és bomlására, a gázfázisú anyagok hőmérsékleti gradiens hatására történő szállítására, valamint a gázfázisú anyagok átkristályosodásos növekedésére oszlik az oltókristálynál. Ennek alapján a...További információ -
Speciális grafit típusai
A speciális grafit nagy tisztaságú, nagy sűrűségű és nagy szilárdságú grafitanyag, kiváló korrózióállósággal, magas hőmérsékleti stabilitással és nagyszerű elektromos vezetőképességgel rendelkezik. Természetes vagy mesterséges grafitból készül magas hőmérsékletű hőkezelés és nagynyomású feldolgozás után...További információ -
Vékonyréteg-leválasztó berendezések elemzése – a PECVD/LPCVD/ALD berendezések alapelvei és alkalmazásai
A vékonyréteg-leválasztás egy filmréteg felvitelét jelenti a félvezető fő hordozóanyagára. Ez a film különféle anyagokból készülhet, például szigetelő szilícium-dioxidból, félvezető poliszilíciumból, fémrézből stb. A bevonáshoz használt berendezést vékonyréteg-leválasztásnak nevezik...További információ -
A monokristályos szilícium növekedésének minőségét meghatározó fontos anyagok – hőtér
A monokristályos szilícium növekedési folyamata teljes mértékben hőtérben megy végbe. A jó hőtér elősegíti a kristályok minőségének javítását és nagyobb kristályosodási hatékonyságot biztosít. A hőtér kialakítása nagymértékben meghatározza a hőmérsékleti gradiensek változását...További információ -
Milyen technikai nehézségei vannak a szilícium-karbid kristálynövesztő kemence használatának?
A kristálynövesztő kemence a szilícium-karbid kristálynövekedés központi berendezése. Hasonló a hagyományos kristályos szilícium minőségű kristálynövesztő kemencéhez. A kemence szerkezete nem túl bonyolult. Főleg kemencetestből, fűtőrendszerből, tekercsátviteli mechanizmusból áll...További információ -
Milyen hibák vannak a szilícium-karbid epitaxiális rétegben?
A SiC epitaxiális anyagok növekedésének alapvető technológiája elsősorban a hibakezelési technológia, különösen az olyan hibakezelési technológia esetében, amely hajlamos az eszköz meghibásodására vagy a megbízhatóság romlására. Az epitaxiális rétegbe kiterjedő szubsztráthibák mechanizmusának vizsgálata...További információ -
Oxidált álló szemcsék és epitaxiális növekedési technológia - II
2. Epitaxiális vékonyréteg-növekedés A szubsztrátum fizikai tartóréteget vagy vezető réteget biztosít a Ga2O3 teljesítményeszközök számára. A következő fontos réteg a csatornaréteg vagy epitaxiális réteg, amelyet feszültségellenálláshoz és töltéshordozó-szállításhoz használnak. Az átütési feszültség növelése és az ellenállás minimalizálása érdekében...További információ -
Gallium-oxid egykristály és epitaxiális növekedési technológia
A szilícium-karbid (SiC) és a gallium-nitrid (GaN) által képviselt széles tiltott sávú (WBG) félvezetők széles körű figyelmet kaptak. Az emberek nagy elvárásokat támasztanak a szilícium-karbid elektromos járművekben és villamosenergia-hálózatokban való alkalmazási lehetőségeivel, valamint a gallium...További információ -
Milyen technikai akadályai vannak a szilícium-karbidnak? II.
A stabil teljesítményű, kiváló minőségű szilícium-karbid ostyák stabil tömeggyártásának technikai nehézségei a következők: 1) Mivel a kristályoknak 2000°C feletti, magas hőmérsékletű, lezárt környezetben kell növekedniük, a hőmérséklet-szabályozási követelmények rendkívül magasak; 2) Mivel a szilícium-karbid ...További információ