-
Studium simulationis numericae de effectu graphiti porosi in incrementum crystallorum carburi silicii
Processus fundamentalis accretionis crystalli SiC dividitur in sublimationem et decompositionem materiarum rudis ad altam temperaturam, translationem substantiarum phasis gaseosae sub actione gradientis temperaturae, et accretionem recrystallizationis substantiarum phasis gaseosae ad crystallum seminis. His innixi,...Plura lege -
Genera Graphitis Specialis
Graphite specialis est materia graphitae magnae puritatis, densitatis et firmitatis, et praeclaram resistentiam corrosionis, stabilitatem altae temperaturae, et magnam conductivitatem electricam habet. Ex graphite naturali vel artificiali, post curationem caloris altae temperaturae et tractationem altae pressionis, fit...Plura lege -
Analysis instrumentorum ad deponendum pelliculas tenues – principia et applicationes instrumentorum PECVD/LPCVD/ALD
Depositio pelliculae tenuis est stratum pelliculae in materia substrati principalis semiconductoris obducere. Haec pellicula ex variis materiis fieri potest, ut ex dioxido silicii composito insulante, polysilicio semiconductoris, cupro metallico, et cetera. Instrumentum ad obductionem adhibitum depositio pelliculae tenuis appellatur...Plura lege -
Materiae magni momenti quae qualitatem accretionis silicii monocrystallini determinant – campus thermalis
Processus accretionis silicii monocrystallini plene in campo thermali perficitur. Bonus campus thermalis qualitatem crystallorum auget et maiorem efficientiam crystallizationis habet. Designatio campi thermalis magnopere mutationes in gradientibus temperaturae determinat...Plura lege -
Quae sunt difficultates technicae fornacis accretionis crystallorum carburi silicii?
Fornax accretionis crystallorum est instrumentum principale ad accretionem crystallorum carburi silicii. Similis est fornaci accretionis crystallorum silicii crystallini traditi. Structura fornacis non est valde complicata. Constat praecipue ex corpore fornacis, systemate calefactionis, mechanismo transmissionis spiralis...Plura lege -
Quae sunt vitia strati epitaxialis carburi silicii?
Ars technologica fundamentalis ad materias epitaxiales SiC crescendas est primum technologia vitiorum moderandorum, praesertim pro technologia vitiorum moderandorum quae obnoxia est ad defectum machinarum vel degradationem firmitatis. Studium mechanismi vitiorum substrati extendentium in epi...Plura lege -
Granum stantem oxidatum et technologia accretionis epitaxialis-II
2. Incrementum tenue pelliculae epitaxialis Substratum stratum physicum sustentatorium vel stratum conductivum pro instrumentis potentiae Ga2O3 praebet. Proximum stratum magni momenti est stratum canalis vel stratum epitaxiale ad resistentiam tensionis et translationem vectorum adhibitum. Ut tensio disruptionis augeatur et con...Plura lege -
Technologia monocrystalli oxidi Gallii et accretionis epitaxialis
Semiconductores lati intervalli electrici (WBG), a carburo silicii (SiC) et nitrido gallii (GaN) repraesentati, attentionem amplam ceperunt. Homines magnas exspectationes habent de prospectibus applicationis carburi silicii in vehiculis electricis et retibus electricis, necnon de prospectibus applicationis gallii...Plura lege -
Quae sunt impedimenta technica ad carburum silicii? II.
Difficultates technicae in stabili productione laminarum silicii carburi altae qualitatis cum stabili effectu includunt: 1) Cum crystalli in ambiente clauso altae temperaturae supra 2000°C crescere debeant, requisita moderationis temperaturae altissima sunt; 2) Cum silicii carburum ...Plura lege
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur