Pembungkusan aras wafer kipas keluar (FOWLP) merupakan kaedah yang kos efektif dalam industri semikonduktor. Tetapi kesan sampingan biasa proses ini ialah meleding dan imbangan cip. Walaupun terdapat peningkatan berterusan dalam teknologi kipas keluar aras wafer dan aras panel, isu-isu berkaitan pengacuan ini masih wujud.
Melengkung disebabkan oleh pengecutan kimia sebatian pengacuan mampatan cecair (LCM) semasa pengawetan dan penyejukan selepas pengacuan. Sebab kedua untuk melengkung adalah ketidakpadanan dalam pekali pengembangan haba (CTE) antara cip silikon, bahan pengacuan dan substrat. Ofset adalah disebabkan oleh fakta bahawa bahan pengacuan likat dengan kandungan pengisi yang tinggi biasanya hanya boleh digunakan di bawah suhu tinggi dan tekanan tinggi. Oleh kerana cip dipasang pada pembawa melalui ikatan sementara, peningkatan suhu akan melembutkan pelekat, sekali gus melemahkan kekuatan pelekatnya dan mengurangkan keupayaannya untuk memasang cip. Sebab kedua untuk ofset adalah kerana tekanan yang diperlukan untuk pengacuan menghasilkan tekanan pada setiap cip.
Untuk mencari penyelesaian kepada cabaran ini, DELO telah menjalankan kajian kebolehlaksanaan dengan melekatkan cip analog mudah pada pembawa. Dari segi persediaan, wafer pembawa disalut dengan pelekat pengikat sementara, dan cip diletakkan menghadap ke bawah. Seterusnya, wafer dibentuk menggunakan pelekat DELO kelikatan rendah dan diawetkan dengan sinaran ultraungu sebelum menanggalkan wafer pembawa. Dalam aplikasi sedemikian, komposit pengacuan termoset kelikatan tinggi biasanya digunakan.
DELO juga membandingkan lengkungan bahan pengacuan termoset dan produk pengawetan UV dalam eksperimen, dan hasilnya menunjukkan bahawa bahan pengacuan biasa akan melengkung semasa tempoh penyejukan selepas termoset. Oleh itu, menggunakan pengawetan ultraungu suhu bilik dan bukannya pengawetan pemanasan dapat mengurangkan kesan ketidakpadanan pekali pengembangan haba antara sebatian pengacuan dan pembawa, sekali gus meminimumkan lengkungan setakat yang mungkin.
Penggunaan bahan pengawetan ultraungu juga boleh mengurangkan penggunaan pengisi, sekali gus mengurangkan kelikatan dan modulus Young. Kelikatan pelekat model yang digunakan dalam ujian ialah 35000 mPa · s, dan modulus Young ialah 1 GPa. Disebabkan ketiadaan pemanasan atau tekanan tinggi pada bahan pengacuan, ofset cip boleh diminimumkan sebanyak mungkin. Sebatian pengacuan biasa mempunyai kelikatan kira-kira 800000 mPa · s dan modulus Young dalam julat dua digit.
Secara keseluruhannya, kajian telah menunjukkan bahawa penggunaan bahan pengawetan UV untuk pengacuan kawasan luas adalah bermanfaat untuk menghasilkan pembungkusan aras wafer kipas keluar cip, sambil meminimumkan lengkungan dan ofset cip sebanyak mungkin. Walaupun terdapat perbezaan yang ketara dalam pekali pengembangan haba antara bahan yang digunakan, proses ini masih mempunyai pelbagai aplikasi kerana ketiadaan variasi suhu. Di samping itu, pengawetan UV juga boleh mengurangkan masa pengawetan dan penggunaan tenaga.
UV dan bukannya pengawetan haba mengurangkan lengkungan dan anjakan acuan dalam pembungkusan peringkat wafer kipas keluar
Perbandingan wafer bersalut 12 inci menggunakan sebatian pengawetan haba yang tinggi (A) dan sebatian pengawetan UV (B)
Masa siaran: 05-Nov-2024