Пластинаны вентилятор белән төрү (FOWLP) ярымүткәргечләр сәнәгатендә экономияле ысул булып тора. Ләкин бу процессның типик ян эффектлары - кәкреләнү һәм чипның тайпылышы. Пластинаны вентилятор белән төрү технологиясенең даими яхшыруына карамастан, формалаштыру белән бәйле бу проблемалар әле дә бар.
Каерылу сыек компрессия формалаштыру катнашмасының (LCM) формалаштырудан соң катыру һәм суыту вакытында химик яктан кысылуы нәтиҗәсендә барлыкка килә. Каерылуның икенче сәбәбе - кремний чипы, формалаштыру материалы һәм нигез арасындагы җылылык киңәю коэффициенты (CTE) туры килмәве. Икеләнү югары тутыргычлы ябышчаклы формалаштыру материалларын гадәттә югары температура һәм югары басым астында гына кулланырга мөмкин булуы белән бәйле. Чип вакытлыча бәйләү аша йөртүчегә беркетелгәнлектән, температура арту ябыштыргычны йомшарта, шуның белән аның ябыштыргыч ныклыгын киметә һәм чипны ныгыту сәләтен киметә. Икеләнүнең икенче сәбәбе - формалаштыру өчен кирәкле басым һәр чипта көчәнеш тудыра.
Бу кыенлыкларны чишү өчен, DELO гади аналог чипны ташучыга беркетеп, техник-икътисади нигезләү үткәрде. Урнаштыру ягыннан, ташучы пластина вакытлыча беркетү җилеме белән каплана, ә чип аска каратып урнаштырыла. Аннары, пластина түбән ябыштыргычлы DELO җилеме белән формалаштырылды һәм ташучы пластинаны алганчы ультрафиолет нурланышы белән киптерелде. Мондый кушымталарда гадәттә югары ябыштыргычлы термосет формалаштыру композитлары кулланыла.
DELO шулай ук экспериментта термосет формалаштыру материалларының һәм ультрафиолет нурлары белән катыртылган продуктларның кәкреләнүен чагыштырды, һәм нәтиҗәләр күрсәткәнчә, гадәти формалаштыру материаллары термосеттан соң суыту чорында кәкреләнә. Шуңа күрә, җылыту белән катыру урынына бүлмә температурасында ультрафиолет катыру куллану формалаштыру катнашмасы һәм йөртүче арасындагы җылылык киңәю коэффициенты туры килмәүчәнлегенең йогынтысын шактый киметергә, шуның белән кәкреләнүне мөмкин кадәр максималь дәрәҗәдә минимальләштерергә мөмкин.
Ультрафиолет нурланышы белән катыру материалларын куллану шулай ук тутыргычлар куллануны киметергә мөмкин, шуның белән ябышлыкны һәм Янг модулен киметә. Сынауда кулланылган модель ябыштыргычның ябышлыгы 35000 мПа · с, ә Янг модуле 1 ГПа. Калыплау материалына җылыту яки югары басым булмау сәбәпле, чип тайпылышын мөмкин кадәр минимальләштерергә мөмкин. Гадәти калыплау катнашмасының ябышлыгы якынча 800000 мПа · с, ә Янг модуле ике санлы диапазонда.
Гомумән алганда, тикшеренүләр күрсәткәнчә, зур мәйданлы калыплау өчен ультрафиолет нурлары белән катыртылган материалларны куллану чип лидеры вентиляторлы пластина дәрәҗәсендәге төргәкләү җитештерү өчен файдалы, шул ук вакытта чипның тайпылышын һәм чипның тайпылышын мөмкин кадәр минимальләштерә. Кулланылган материаллар арасында җылылык киңәю коэффициентларындагы зур аермаларга карамастан, температура үзгәрүе булмау сәбәпле, бу процессның күп кулланылышы бар. Моннан тыш, ультрафиолет нурлары белән катыру катыру вакытын һәм энергия куллануны да киметә ала.
Термик катыру урынына ультрафиолет нурланышы вентиляторлы пластина дәрәҗәсендәге төргәктә кәкрелекне һәм форма күчүен киметә
Термик яктан катыртылган, югары тутыргычлы кушылма (A) һәм ультрафиолет нурлары белән катыртылган кушылма (B) кулланып, 12 дюймлы капланган пластиналарны чагыштыру.
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 5 ноябре