Fan-out Wafer-Level-Verpackung (FOWLP) ass eng käschtegënschteg Method an der Hallefleederindustrie. Mee déi typesch Niewewierkunge vun dësem Prozess sinn Verzerrung a Chip-Offset. Trotz der kontinuéierlecher Verbesserung vun der Wafer-Level- a Panel-Level-Fan-out-Technologie gëtt et dës Problemer am Zesummenhang mam Formen nach ëmmer.
Verzerrung gëtt duerch chemesch Schrumpfung vu flësseger Kompressiounsmass (LCM) beim Härten an Ofkille nom Formen verursaacht. Den zweete Grond fir d'Verzerrung ass d'Diskretioun vum thermeschen Ausdehnungskoeffizient (CTE) tëscht dem Siliziumchip, dem Formmaterial an dem Substrat. Den Offset ass doduerch bedingt, datt viskos Formmaterialien mat engem héije Fëllstoffgehalt normalerweis nëmmen ënner héijer Temperatur an héijem Drock benotzt kënne ginn. Well de Chip duerch temporär Bindung um Träger fixéiert ass, wäert d'Erhéijung vun der Temperatur de Klebstoff mëll maachen, wouduerch seng Haftkraaft geschwächt a seng Fäegkeet, de Chip ze fixéieren, reduzéiert gëtt. Den zweete Grond fir den Offset ass, datt den Drock, deen fir d'Formen erfuerderlech ass, Spannung op all Chip erstellt.
Fir Léisunge fir dës Erausfuerderungen ze fannen, huet d'DELO eng Machbarkeetsstudie duerchgefouert andeems en einfachen analogen Chip op engem Träger gebonnen gouf. Wat den Opbau ugeet, gëtt de Trägerwafer mat engem temporäre Klebstoff beschichtet, an de Chip gëtt mat der Säit no ënnen geluecht. Duerno gouf de Wafer mat engem DELO-Klebstoff mat niddereger Viskositéit geformt an mat ultravioletter Stralung gehärtet, ier de Trägerwafer ewechgeholl gouf. An esou Uwendungen ginn typescherweis héichviskos Thermohärtungskompositte benotzt.
D'DELO huet am Experiment och d'Verformung vun thermohärtende Formmaterialien a UV-gehärtete Produkter verglach, an d'Resultater hunn gewisen, datt typesch Formmaterialien während der Ofkillzäit no der Thermohärtung verformen. Dofir kann d'Benotzung vun Ultraviolett-Härtung bei Raumtemperatur amplaz vun der Hëtzthärtung den Impakt vun der thermescher Ausdehnungskoeffizient-Differenz tëscht der Formmass an dem Träger däitlech reduzéieren, wouduerch d'Verformung sou vill wéi méiglech miniméiert gëtt.
D'Benotzung vun ultraviolett-härtende Materialien kann och de Gebrauch vu Fëllstoffer reduzéieren, wouduerch d'Viskositéit an de Young-Modul reduzéiert ginn. D'Viskositéit vum Modellklebstoff, deen am Test benotzt gouf, ass 35000 mPa · s, an de Young-Modul ass 1 GPa. Well d'Formmaterial net erhëtzt oder ze héich ass, kann de Spanoffset sou vill wéi méiglech miniméiert ginn. Eng typesch Formmass huet eng Viskositéit vu ronn 800000 mPa · s an e Young-Modul am Beräich vun zwou Stellen.
Am Allgemengen huet d'Fuerschung gewisen, datt d'Benotzung vun UV-gehäerte Materialien fir d'Groussflächeformung virdeelhaft ass fir Chip-Leader-Fan-out-Wafer-Level-Verpackungen ze produzéieren, wärend d'Verzerrung an de Chip-Offset sou miniméiert wéi méiglech ginn. Trotz bedeitenden Ënnerscheeder an den thermeschen Ausdehnungskoeffizienten tëscht de benotzte Materialien huet dëse Prozess ëmmer nach vill Uwendungen, well et keng Temperaturschwankungen gëtt. Zousätzlech kann d'UV-Gehärtung och d'Härtungszäit an den Energieverbrauch reduzéieren.
UV amplaz vun der thermescher Härtung reduzéiert Verzerrung a Verrécklung vun de Stäipen bei der Fan-out-Wafer-Niveau-Verpackung
Vergläich vu 12-Zoll-beschichtete Waferen mat enger thermesch gehärter Verbindung mat héijem Fëllstoffgehalt (A) an enger UV-gehäerter Verbindung (B)
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 05. November 2024