Ярымүткәргечләр җитештерүдә катнашу өчен кайбер органик һәм органик булмаган матдәләр кирәк. Моннан тыш, процесс һәрвакыт кеше катнашында чиста бүлмәдә башкарылганлыктан, ярымүткәргечвафлилартөрле катнашмалар белән пычранырга мөмкин.
Пычратучыларның чыганагы һәм табигате буенча, аларны якынча дүрт категориягә бүлеп була: кисәкчәләр, органик матдәләр, металл ионнары һәм оксидлар.
1. Кисәкчәләр:
Кисәкчәләр, нигездә, кайбер полимерлар, фоторезистлар һәм гравюра катнашмаларыннан тора.
Мондый пычраткычлар, гадәттә, пластина өслегендә адсорбцияләнү өчен молекулаара көчләргә таяна, бу геометрик фигуралар формалашуына һәм җайланманың фотолитография процессының электр параметрларына тәэсир итә.
Мондый пычраткычлар, нигездә, аларның өслеге белән контакт мәйданын әкренләп киметү юлы белән бетерелә.вафлифизик яки химик ысуллар аша.
2. Органик матдәләр:
Органик катнашмалар чыганаклары чагыштырмача киң, мәсәлән, кеше тиресе мае, бактерияләр, машина мае, вакуум мае, фоторезист, чистарту эреткечләре һ.б.
Мондый пычраткычлар гадәттә пластина өслегендә органик пленка барлыкка китерә, чистарту сыекчасы пластина өслегенә барып җитмәсен өчен, нәтиҗәдә пластина өслеге тулысынча чистартылмый.
Мондый пычраткычларны бетерү еш кына чистарту процессының беренче этабында, нигездә, күкерт кислотасы һәм водород пероксиды кебек химик ысуллар кулланып башкарыла.
3. Металл ионнары:
Металл катнашмаларына тимер, бакыр, алюминий, хром, чуен, титан, натрий, калий, литий һ.б. керә. Төп чыганаклар - төрле савыт-саба, торбалар, химик реагентлар һәм эшкәртү вакытында металл тоташулары барлыкка килгән металл пычрануы.
Бу төр катнашма еш кына металл ион комплекслары формалаштыру аша химик ысуллар белән бетерелә.
4. Оксид:
Ярымүткәргеч булгандавафлиларкислород һәм су булган мохиткә дучар булганда, өслектә табигый оксид катламы барлыкка киләчәк. Бу оксид пленкасы ярымүткәргечләр җитештерүдә күп процессларга комачаулый һәм шулай ук билгеле бер металл катнашмаларын үз эченә ала. Кайбер шартларда алар электр кимчелекләрен барлыкка китерәчәк.
Бу оксид пленкасын бетерү еш кына сыекландырылган фторлы водород кислотасында чылау белән тәмамлана.
Гомуми чистарту эзлеклелеге
Ярымүткәргеч өслегендә адсорбцияләнгән катнашмаларвафлиларөч төргә бүлеп була: молекуляр, ионлы һәм атомлы.
Алар арасында молекуляр катнашмалар һәм пластина өслеге арасындагы адсорбция көче көчсез, һәм бу төр катнашма кисәкчәләрен бетерү чагыштырмача җиңел. Алар, нигездә, гидрофоб үзенчәлекләргә ия майлы катнашмалар, алар ярымүткәргеч пластиналар өслеген пычраткан ион һәм атом катнашмаларын яшерә ала, бу исә бу ике төр катнашманы бетерүгә ярдәм итми. Шуңа күрә, ярымүткәргеч пластиналарны химик чистартканда, башта молекуляр катнашмаларны бетерергә кирәк.
Шуңа күрә, ярымүткәргечнең гомуми процедурасывафличистарту процессы түбәндәгечә:
Демолекуляризация-деионизация-деатомизация-деионизацияләнгән су белән чайкату.
Моннан тыш, пластина өслегендәге табигый оксид катламын бетерү өчен, сыекландырылган аминокислота белән чылату этабын өстәргә кирәк. Шуңа күрә чистартуның төп максаты - башта өслектәге органик пычрануны бетерү; аннары оксид катламын эретү; ниһаять, кисәкчәләрне һәм металл пычрануын бетерү һәм шул ук вакытта өслекне пассивлаштыру.
Гомуми чистарту ысуллары
Ярымүткәргеч пластиналарны чистарту өчен еш кына химик ысуллар кулланыла.
Химик чистарту төрле химик реагентлар һәм органик эреткечләр кулланып, пластина өслегендәге пычракларны һәм май тапларын реакциягә кертү яки эретү процессын аңлата, аннары чиста өслек алу өчен күп күләмдә югары сафлыклы кайнар һәм салкын деионизацияләнгән су белән чайкау.
Химик чистартуны дымлы химик чистартуга һәм коры химик чистартуга бүлергә мөмкин, алар арасында дымлы химик чистарту әле дә өстенлек итә.
Дымлы химик чистарту
1. Дымлы химик чистарту:
Дымлы химик чистарту, нигездә, эремәгә батыру, механик чистарту, ультратавыш чистарту, мегатоник чистарту, роторлы сиптерү һ.б. үз эченә ала.
2. Эремәгә чуму:
Эретмәгә батыру - пластинаны химик эремәгә батыру юлы белән өслек пычрануын бетерү ысулы. Бу дымлы химик чистартуда иң еш кулланыла торган ысул. Пластинаның өслегендәге төрле пычраткычларны бетерү өчен төрле эретмәләр кулланылырга мөмкин.
Гадәттә, бу ысул пластина өслегендәге пычракны тулысынча бетерә алмый, шуңа күрә чумдырганда еш кына җылыту, ультратавыш һәм болгату кебек физик чаралар кулланыла.
3. Механик чистарту:
Механик чистарту еш кына пластина өслегендәге кисәкчәләрне яки органик калдыкларны бетерү өчен кулланыла. Аны, гадәттә, ике ысулга бүлеп була:кул белән чистарту һәм сөрткеч белән чистарту.
Кул белән чистартуиң гади чистарту ысулы. Сусыз этанол яки башка органик эреткечләрдә манылган шарны тоту һәм пластина өслеген шул ук юнәлештә йомшак итеп ышку өчен дат басмас корыч щетка кулланыла, шул рәвешле балавыз пленкасын, тузанны, калдык җилемне яки башка каты кисәкчәләрне бетерә. Бу ысул тырналу һәм җитди пычрануга китерергә мөмкин.
Сөрткеч йомшак йон щетка яки катнаш щетка белән пластина өслеген механик әйләндерү ярдәмендә ышкый. Бу ысул пластинадагы тырналуларны шактый киметә. Югары басымлы сөрткеч механик ышкылу булмау сәбәпле пластинаны тырнамый һәм чокырдагы пычрануны бетерә ала.
4. Ультратавыш белән чистарту:
Ультратавышлы чистарту - ярымүткәргечләр сәнәгатендә киң кулланыла торган чистарту ысулы. Аның өстенлекләре - яхшы чистарту эффекты, гади эшләү, шулай ук катлаулы җайланмаларны һәм контейнерларны чистарта алу.
Бу чистарту ысулы көчле ультратавыш дулкыннары тәэсирендә кулланыла (гадәттә кулланыла торган ультратавыш ешлыгы 2040 кГц), һәм сыек мохит эчендә сирәк һәм тыгыз өлешләр барлыкка киләчәк. Сирәк өлеш диярлек вакуумлы куышлык күбеге барлыкка китерәчәк. Куышлык күбеге юкка чыккач, аның янында көчле җирле басым барлыкка киләчәк, бу молекулалардагы химик бәйләнешләрне өзеп, пластина өслегендәге пычракны эретәчәк. Ультратавышлы чистарту эреми торган яки эреми торган флюс калдыкларын бетерү өчен иң нәтиҗәле.
5. Мегасоник чистарту:
Мегасоник чистарту ультратавыш чистартуның өстенлекләренә генә түгел, ә аның кимчелекләрен дә бетерә.
Мегасоник чистарту - югары энергияле (850 кГц) ешлыклы тибрәнү эффектын химик чистарту чараларының химик реакциясе белән берләштереп, пластиналарны чистарту ысулы. Чистарту вакытында эремә молекулалары мегасоник дулкын белән тизләнә (максималь тизлек 30 смВс га җитәргә мөмкин), һәм югары тизлекле сыеклык дулкыны пластина өслегенә өзлексез тәэсир итә, шуңа күрә пластина өслегенә беркетелгән пычраткыч матдәләр һәм вак кисәкчәләр көч белән чыгарыла һәм чистарту эремәсенә керә. Чистарту эремәсенә кислоталы өслек актив матдәләр өстәү, бер яктан, өслек актив матдәләрнең адсорбциясе аша полировкалау өслегендәге кисәкчәләрне һәм органик матдәләрне бетерү максатына ирешә ала; икенче яктан, өслек актив матдәләр һәм кислоталы мохитне интеграцияләү аша, полировкалау бите өслегендәге металл пычрануын бетерү максатына ирешә ала. Бу ысул бер үк вакытта механик сөртү һәм химик чистарту ролен уйный ала.
Хәзерге вакытта мегатовик чистарту ысулы полировкалау битләрен чистарту өчен нәтиҗәле ысулга әйләнде.
6. Әйләнмәле сиптерү ысулы:
Әйләнмәле сиптерү ысулы - пластинаны югары тизлектә әйләндерү өчен механик ысуллар куллану ысулы, һәм әйләндерү процессында пластина өслегенә өзлексез сыеклык (югары сафлыклы деионизацияләнгән су яки башка чистарту сыекчасы) сиптереп, пластина өслегендәге пычракны бетерә.
Бу ысул пластина өслегендәге пычрануны сиптерелгән сыеклыкта эретү өчен куллана (яки аның белән химик реакциягә кереп эретә), һәм югары тизлекле әйләнүнең центрифуга эффектын кулланып, катнашмалар булган сыеклык пластина өслегеннән вакыт узу белән аерыла.
Әйләнмәле сиптерү ысулының химик чистарту, сыеклык механикасы чистарту һәм югары басымлы чистарту кебек өстенлекләре бар. Шул ук вакытта, бу ысулны киптерү процессы белән берләштерергә мөмкин. Деионизацияләнгән су сиптерү чистарту чорыннан соң, су сиптерү туктатыла һәм сиптерү газы кулланыла. Шул ук вакытта, пластина өслеген тиз сусызландыру өчен үзәктән качу көчен арттыру өчен әйләнү тизлеген арттырырга мөмкин.
7.Коры химик чистарту
Коры чистарту - эретмәләр кулланылмаган чистарту технологиясен аңлата.
Хәзерге вакытта кулланыла торган коры чистарту технологияләренә түбәндәгеләр керә: плазма чистарту технологиясе, газ фазасын чистарту технологиясе, нур чистарту технологиясе һ.б.
Химик чистартуның өстенлекләре - процессның гадилеге һәм әйләнә-тирә мохитне пычратмау, ләкин бәясе югары һәм куллану күләме әлегә зур түгел.
1. Плазма чистарту технологиясе:
Плазма чистарту еш кына фоторезистны бетерү процессында кулланыла. Плазма реакция системасына аз күләмдә кислород кертелә. Көчле электр кыры тәэсирендә кислород плазма барлыкка китерә, ул фоторезистны тиз арада очучан газ хәленә оксидлаштыра һәм экстракцияләнә.
Бу чистарту технологиясе җиңел эшләү, югары нәтиҗәлелек, чиста өслек, тырналулар булмау кебек өстенлекләргә ия һәм дезинфекцияләү процессында продукт сыйфатын тәэмин итәргә ярдәм итә. Моннан тыш, ул кислоталар, селтеләр һәм органик эреткечләр кулланмый, калдыкларны юк итү һәм әйләнә-тирә мохитне пычрату кебек проблемалар юк. Шуңа күрә ул кешеләр тарафыннан барган саен кадерлерәк. Ләкин ул углеродны һәм башка очучан булмаган металл яки металл оксиды катнашмаларын бетерә алмый.
2. Газ фазасын чистарту технологиясе:
Газ фазасын чистарту - сыеклык процессында тиешле матдәнең газ фазасы эквивалентын кулланып, пластина өслегендәге пычранган матдә белән үзара бәйләнештә булып, пычракны бетерү максатына ирешү өчен чистарту ысулы.
Мәсәлән, CMOS процессында пластиналарны чистарту оксидларны бетерү өчен газ фазасындагы HF һәм су пары арасындагы үзара бәйләнешне куллана. Гадәттә, суны үз эченә алган HF процессы кисәкчәләрне бетерү процессы белән бергә барырга тиеш, ә газ фазасындагы HF чистарту технологиясен куллану кисәкчәләрне бетерү процессын таләп итми.
Сулы HF процессы белән чагыштырганда иң мөһим өстенлекләр - HF химик чыгымнарының күпкә азрак булуы һәм югарырак чистарту нәтиҗәлелеге.
Дөньяның төрле почмакларыннан килгән теләсә нинди клиентларны безгә өстәмә фикер алышу өчен рәхим итегез!
https://www.vet-china.com/
https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/
https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/
https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 13 августы