တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဝေဖာညစ်ညမ်းမှုနှင့် သန့်ရှင်းရေး၏ရင်းမြစ်များ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရာတွင် ပါဝင်ရန်အတွက် အော်ဂဲနစ်နှင့် အင်အော်ဂဲနစ် ဒြပ်ပေါင်းအချို့ လိုအပ်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ လုပ်ငန်းစဉ်ကို လူသားပါဝင်မှုဖြင့် သန့်ရှင်းသောအခန်းတွင် အမြဲလုပ်ဆောင်သောကြောင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဝေဖာများမသန့်ရှင်းမှုအမျိုးမျိုးဖြင့် မလွဲမသွေ ညစ်ညမ်းလာကြသည်။

ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများ၏ အရင်းအမြစ်နှင့် သဘောသဘာဝအရ၊ ၎င်းတို့ကို အကြမ်းဖျင်းအားဖြင့် အမျိုးအစားလေးမျိုးခွဲခြားနိုင်သည်- အမှုန်များ၊ အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းများနှင့် အောက်ဆိုဒ်များ။

 

၁။ အမှုန်များ

အမှုန်များသည် အဓိကအားဖြင့် ပိုလီမာအချို့၊ ဖိုတိုရီဆစ်များနှင့် ထွင်းထုသည့် မသန့်စင်မှုများ ဖြစ်သည်။

ထိုကဲ့သို့သော ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများသည် wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပ်ယူရန် မော်လီကျူးများအကြား အားများအပေါ် မူတည်လေ့ရှိပြီး ကိရိယာ photolithography လုပ်ငန်းစဉ်၏ ဂျီဩမေတြီပုံများနှင့် လျှပ်စစ် parameters များဖွဲ့စည်းခြင်းကို ထိခိုက်စေပါသည်။

ထိုကဲ့သို့သော ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို အဓိကအားဖြင့် မျက်နှာပြင်နှင့် ထိတွေ့ဧရိယာကို တဖြည်းဖြည်း လျှော့ချခြင်းဖြင့် ဖယ်ရှားပစ်ပါသည်။ဝေဖာရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒနည်းလမ်းများမှတစ်ဆင့်။

 

၂။ အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ

လူ့အရေပြားဆီ၊ ဘက်တီးရီးယား၊ စက်ဆီ၊ ဖုန်စုပ်အဆီ၊ ဖိုတိုရီစတစ်၊ သန့်ရှင်းရေးအရည်များ စသည်တို့ကဲ့သို့သော အော်ဂဲနစ်မသန့်စင်မှုများ၏ အရင်းအမြစ်များသည် အတော်လေးကျယ်ပြန့်ပါသည်။

ထိုကဲ့သို့သော ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများသည် ဝေဖာမျက်နှာပြင်သို့ သန့်ရှင်းရေးအရည်မရောက်စေရန် ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အော်ဂဲနစ်အလွှာတစ်ခုကို ဖွဲ့စည်းလေ့ရှိပြီး ဝေဖာမျက်နှာပြင်ကို မပြည့်စုံစွာ သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။

ထိုကဲ့သို့သော ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားခြင်းကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်၏ ပထမအဆင့်တွင် မကြာခဏ ပြုလုပ်လေ့ရှိပြီး အဓိကအားဖြင့် ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်နှင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့သော ဓာတုနည်းလမ်းများကို အသုံးပြုသည်။

 

၃။ သတ္တုအိုင်းယွန်းများ

အဖြစ်များသော သတ္တုမသန့်စင်မှုများတွင် သံ၊ ကြေးနီ၊ အလူမီနီယမ်၊ ခရိုမီယမ်၊ သံရည်ကျို၊ တိုက်တေနီယမ်၊ ဆိုဒီယမ်၊ ပိုတက်စီယမ်၊ လီသီယမ် စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ အဓိကရင်းမြစ်များမှာ အမျိုးမျိုးသော မီးဖိုချောင်သုံးပစ္စည်းများ၊ ပိုက်များ၊ ဓာတုဗေဒပစ္စည်းများနှင့် သတ္တုဆက်စပ်မှုများ ပြုလုပ်သောအခါ ဖြစ်ပေါ်လာသော သတ္တုညစ်ညမ်းမှုများ ဖြစ်သည်။

ဤမသန့်စင်မှုအမျိုးအစားကို သတ္တုအိုင်းယွန်းဒြပ်ပေါင်းများ ဖွဲ့စည်းခြင်းဖြင့် ဓာတုနည်းလမ်းများဖြင့် မကြာခဏ ဖယ်ရှားလေ့ရှိသည်။

 

၄။ အောက်ဆိုဒ်

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်တဲ့အခါဝေဖာများအောက်ဆီဂျင်နှင့် ရေပါဝင်သော ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ထိတွေ့မိပါက မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သဘာဝအောက်ဆိုဒ်အလွှာတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာပါလိမ့်မည်။ ဤအောက်ဆိုဒ်အလွှာသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရာတွင် လုပ်ငန်းစဉ်များစွာကို အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေပြီး သတ္တုမသန့်စင်မှုအချို့လည်း ပါဝင်ပါသည်။ အချို့သောအခြေအနေများတွင် ၎င်းတို့သည် လျှပ်စစ်ချို့ယွင်းချက်များကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။

ဤအောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖယ်ရှားခြင်းကို မကြာခဏဆိုသလို ပျော့ပျောင်းသော ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်တွင် စိမ်ခြင်းဖြင့် အပြီးသတ်လေ့ရှိသည်။

 

အထွေထွေသန့်ရှင်းရေးအစီအစဉ်

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပ်ယူထားသော မသန့်စင်မှုများဝေဖာများကို အမျိုးအစားသုံးမျိုးခွဲခြားနိုင်သည်- မော်လီကျူး၊ အိုင်းယွန်းနစ် နှင့် အက်တမ်။

၎င်းတို့တွင် မော်လီကျူးမသန့်စင်မှုများနှင့် wafer မျက်နှာပြင်ကြားရှိ adsorption အား အားနည်းပြီး ဤမသန့်စင်မှုအမှုန်အမျိုးအစားကို ဖယ်ရှားရန် အတော်လေးလွယ်ကူပါသည်။ ၎င်းတို့သည် hydrophobic ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသော အဆီပြန်မသန့်စင်မှုများဖြစ်ပြီး semiconductor wafers ၏ မျက်နှာပြင်ကို ညစ်ညမ်းစေသော ionic နှင့် atomic မသန့်စင်မှုများကို ဖုံးကွယ်ပေးနိုင်ပြီး ဤမသန့်စင်မှုနှစ်မျိုးကို ဖယ်ရှားရန် မသင့်တော်ပါ။ ထို့ကြောင့် semiconductor wafers များကို ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်သည့်အခါ မော်လီကျူးမသန့်စင်မှုများကို ဦးစွာဖယ်ရှားသင့်သည်။

ထို့ကြောင့်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အထွေထွေလုပ်ထုံးလုပ်နည်းဝေဖာသန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်သည်-

မော်လီကျူးဖြိုခွဲခြင်း-အိုင်းယွန်းဓာတ်ကင်းစင်စေခြင်း-အက်တမ်ဓာတ်ကင်းစင်စေခြင်း-အိုင်းယွန်းဓာတ်ကင်းစင်သောရေဖြင့် ဆေးကြောခြင်း။

ထို့အပြင်၊ wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သဘာဝအောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အမိုင်နိုအက်ဆစ်ကို ပျော့အောင်စိမ်သည့်အဆင့်ကို ထည့်သွင်းရန် လိုအပ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့်၊ သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း၏ အယူအဆမှာ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုကို ဦးစွာဖယ်ရှားပြီးနောက် အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ပျော်ဝင်စေပြီး နောက်ဆုံးတွင် အမှုန်အမွှားများနှင့် သတ္တုညစ်ညမ်းမှုကို ဖယ်ရှားကာ မျက်နှာပြင်ကို တစ်ချိန်တည်းတွင် တက်ကြွစေသည်။

 

အဖြစ်များသော သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများ

ဓာတုဗေဒနည်းလမ်းများကို semiconductor wafers များကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်ရာတွင် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သန့်ရှင်းရေးဆိုသည်မှာ ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ မသန့်စင်မှုများနှင့် ဆီအစွန်းအထင်းများကို ဓာတ်ပြုခြင်း သို့မဟုတ် ပျော်ဝင်စေရန် မတူညီသော ဓာတုပစ္စည်းများနှင့် အော်ဂဲနစ် ပျော်ရည်များကို အသုံးပြု၍ မသန့်စင်မှုများကို ဖယ်ရှားပြီးနောက် သန့်ရှင်းသော မျက်နှာပြင်ရရှိရန် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းသော ရေနွေးနှင့် အအေး deionized ရေ အများအပြားဖြင့် ဆေးကြောခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။

ဓာတုသန့်ရှင်းရေးကို အစိုဓာတုသန့်ရှင်းရေးနှင့် အခြောက်ဓာတုသန့်ရှင်းရေးဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်ပြီး ၎င်းတို့အနက် အစိုဓာတုသန့်ရှင်းရေးသည် အဓိကကျနေဆဲဖြစ်သည်။

 

စိုစွတ်သော ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သန့်ရှင်းရေး

 

၁။ စိုစွတ်သော ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း

အစိုဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းတွင် အဓိကအားဖြင့် အရည်ကိုနှစ်ခြင်း၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာပွတ်တိုက်ခြင်း၊ အသံလှိုင်းဖြင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း၊ မက်ဂါဆွန်နစ်ဖြင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း၊ လည်ပတ်မှုဖြင့် ဖြန်းခြင်း စသည်တို့ ပါဝင်ပါသည်။

 

၂။ အရည်နှစ်မြှုပ်ခြင်း-

ပျော်ရည်နှစ်မြှုပ်ခြင်းသည် ဝေဖာကို ဓာတုပျော်ရည်တွင် နှစ်မြှုပ်ခြင်းဖြင့် မျက်နှာပြင်ညစ်ညမ်းမှုကို ဖယ်ရှားသည့် နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် စိုစွတ်သော ဓာတုဗေဒ သန့်ရှင်းရေးတွင် အသုံးအများဆုံး နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ဝေဖာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ မတူညီသော ညစ်ညမ်းမှုအမျိုးအစားများကို ဖယ်ရှားရန် မတူညီသော ပျော်ရည်များကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

ပုံမှန်အားဖြင့် ဤနည်းလမ်းသည် ဝေဖာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ မသန့်စင်မှုများကို လုံးဝဖယ်ရှားပေးနိုင်ခြင်းမရှိသောကြောင့် အပူပေးခြင်း၊ အာထရာဆောင်းနှင့် မွှေခြင်းကဲ့သို့သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ တိုင်းတာမှုများကို နှစ်မြှုပ်နေစဉ်တွင် မကြာခဏ အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

 

၃။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပွတ်တိုက်ခြင်း-

wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အမှုန်အမွှားများ သို့မဟုတ် အော်ဂဲနစ်အကြွင်းအကျန်များကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာပွတ်တိုက်ခြင်းကို မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ၎င်းကို ယေဘုယျအားဖြင့် နည်းလမ်းနှစ်ခုခွဲခြားနိုင်သည်-လက်ဖြင့်ပွတ်တိုက်ခြင်းနှင့် wiper ဖြင့်ပွတ်တိုက်ခြင်း.

လက်ဖြင့်ပွတ်တိုက်ခြင်းအရိုးရှင်းဆုံး ပွတ်တိုက်နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ရေဓာတ်မပါဝင်သော အီသနော သို့မဟုတ် အခြားအော်ဂဲနစ်ပျော်ရည်များတွင် စိမ်ထားသောဘောလုံးကို ကိုင်ထားပြီး ဖယောင်းအလွှာ၊ ဖုန်မှုန့်၊ ကျန်ရှိနေသောကော် သို့မဟုတ် အခြားအစိုင်အခဲအမှုန်အမွှားများကို ဖယ်ရှားရန် ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်ကို ထိုဦးတည်ချက်အတိုင်း ညင်သာစွာပွတ်တိုက်ရန် သံမဏိဘရက်ရှ်ကို အသုံးပြုသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ခြစ်ရာများနှင့် ပြင်းထန်သောညစ်ညမ်းမှုများ ဖြစ်စေရန် လွယ်ကူသည်။

သုတ်တံသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာလည်ပတ်မှုကို အသုံးပြု၍ နူးညံ့သောသိုးမွှေးစုတ်တံ သို့မဟုတ် ရောနှောစုတ်တံဖြင့် ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်ကို ပွတ်တိုက်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ဝေဖာပေါ်ရှိ ခြစ်ရာများကို သိသိသာသာ လျော့နည်းစေသည်။ မြင့်မားသောဖိအားရှိသော သုတ်တံသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာပွတ်တိုက်မှုမရှိခြင်းကြောင့် ဝေဖာကို ခြစ်မိမည်မဟုတ်ဘဲ မြောင်းအတွင်းရှိ ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားနိုင်သည်။

 

၄။ အာထရာဆောင်း သန့်ရှင်းရေး

Ultrasonic သန့်ရှင်းရေးသည် semiconductor လုပ်ငန်းတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသော သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အားသာချက်များမှာ ကောင်းမွန်သော သန့်ရှင်းရေးအာနိသင်၊ ရိုးရှင်းသောလည်ပတ်မှုနှင့် ရှုပ်ထွေးသော စက်ပစ္စည်းများနှင့် ကွန်တိန်နာများကိုလည်း သန့်ရှင်းရေးလုပ်နိုင်သည်။

ဤသန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းသည် အားကောင်းသော အာထရာဆောင်းလှိုင်းများ (အသုံးများသော အာထရာဆောင်းကြိမ်နှုန်းမှာ 20s40kHz) ၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင်ဖြစ်ပြီး၊ အရည်အလယ်အလတ်အတွင်းတွင် ပါးလွှာပြီး သိပ်သည်းသော အစိတ်အပိုင်းများ ဖြစ်ပေါ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ပါးလွှာသောအစိတ်အပိုင်းသည် လစ်ဟာနေသော အခေါင်းပေါက်ပူဖောင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အခေါင်းပေါက်ပူဖောင်း ပျောက်ကွယ်သွားသောအခါ၊ ၎င်းအနီးတွင် ပြင်းထန်သော ဒေသတွင်းဖိအားတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာပြီး မော်လီကျူးများရှိ ဓာတုနှောင်ကြိုးများကို ဖြိုခွဲကာ ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ မသန့်စင်မှုများကို ပျော်ဝင်စေသည်။ အာထရာဆောင်းသန့်ရှင်းရေးသည် မပျော်ဝင်နိုင်သော သို့မဟုတ် မပျော်ဝင်နိုင်သော ရေစစ်အကြွင်းအကျန်များကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အထိရောက်ဆုံးဖြစ်သည်။

 

၅။ မီဂါဆွန်နစ် သန့်ရှင်းရေး

Megasonic သန့်ရှင်းရေးသည် ultrasonic သန့်ရှင်းရေး၏ အားသာချက်များသာမက ၎င်း၏ အားနည်းချက်များကိုလည်း ကျော်လွှားနိုင်သည်။

Megasonic သန့်ရှင်းရေးဆိုသည်မှာ မြင့်မားသောစွမ်းအင် (850kHz) ကြိမ်နှုန်းတုန်ခါမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့် ဓာတုသန့်ရှင်းရေးပစ္စည်းများ၏ ဓာတုဓာတ်ပြုမှုကို ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ဝေဖာများကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်သည့်နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ သန့်ရှင်းရေးလုပ်နေစဉ်အတွင်း အရည်မော်လီကျူးများကို megasonic လှိုင်းဖြင့် အရှိန်မြှင့်ပေးသည် (အမြင့်ဆုံးလက်ငင်းအမြန်နှုန်း 30cmVs အထိရောက်ရှိနိုင်သည်)၊ မြန်နှုန်းမြင့်အရည်လှိုင်းသည် ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်ကို အဆက်မပြတ်ထိခိုက်စေသောကြောင့် ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်တွင်ကပ်နေသော ညစ်ညမ်းစေသောပစ္စည်းများနှင့် အမှုန်အမွှားများကို အတင်းဖယ်ရှားပြီး သန့်ရှင်းရေးအရည်ထဲသို့ဝင်ရောက်စေသည်။ သန့်ရှင်းရေးအရည်ထဲသို့ အက်ဆစ်ဓာတ်ပါဝင်သော မျက်နှာပြင်ပစ္စည်းများထည့်ခြင်းသည် တစ်ဖက်တွင် မျက်နှာပြင်ပစ္စည်းများကို စုပ်ယူခြင်းဖြင့် ပွတ်တိုက်မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အမှုန်အမွှားများနှင့် အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားရန် ရည်ရွယ်ချက်ကို ပြီးမြောက်အောင်မြင်စေနိုင်သည်။ အခြားတစ်ဖက်တွင် မျက်နှာပြင်ပစ္စည်းများနှင့် အက်ဆစ်ဓာတ်ပါဝင်သောပတ်ဝန်းကျင်ကို ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ပွတ်တိုက်စာရွက်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သတ္တုညစ်ညမ်းမှုကို ဖယ်ရှားရန် ရည်ရွယ်ချက်ကို ပြီးမြောက်အောင်မြင်စေနိုင်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာသုတ်ခြင်းနှင့် ဓာတုသန့်ရှင်းရေးတို့ကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

လက်ရှိတွင် megasonic သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းသည် polishing sheets များကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်ရာတွင် ထိရောက်သောနည်းလမ်းတစ်ခု ဖြစ်လာသည်။

 

၆။ လည်ပတ်ဖြန်းနည်းလမ်း-

လည်ပတ်ဖြန်းနည်းလမ်းသည် ဝေဖာကို မြန်နှုန်းမြင့်ဖြင့် လှည့်ရန် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနည်းလမ်းများကို အသုံးပြုသည့် နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အရည် (အိုင်းယွန်းကင်းစင်သောရေ သို့မဟုတ် အခြားသန့်ရှင်းရေးအရည်) ကို အဆက်မပြတ်ဖြန်းပေးခြင်းဖြင့် ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ မသန့်စင်မှုများကို ဖယ်ရှားပေးသည်။

ဤနည်းလမ်းသည် ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိညစ်ညမ်းမှုကို အသုံးပြု၍ ဖြန်းထားသောအရည်တွင်ပျော်ဝင်စေသည် (သို့မဟုတ် ၎င်းနှင့်ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့်ပျော်ဝင်စေရန်)၊ မြန်နှုန်းမြင့်လည်ပတ်မှု၏ ဗဟိုခွာအားအကျိုးသက်ရောက်မှုကို အသုံးပြု၍ မသန့်စင်မှုများပါရှိသော အရည်ကို ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်မှ အချိန်မီခွဲထုတ်သည်။

လည်ပတ်ဖြန်းနည်းလမ်းသည် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သန့်ရှင်းရေး၊ အရည်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ သန့်ရှင်းရေးနှင့် မြင့်မားသောဖိအားဖြင့် ပွတ်တိုက်ခြင်းတို့၏ အားသာချက်များရှိသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဤနည်းလမ်းကို အခြောက်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်နှင့်လည်း ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။ အိုင်းယွန်းကင်းစင်သော ရေဖြန်းသန့်စင်မှုကာလတစ်ခုပြီးနောက်၊ ရေဖြန်းခြင်းကို ရပ်တန့်ပြီး ဖြန်းဓာတ်ငွေ့ကို အသုံးပြုသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်ကို လျင်မြန်စွာ ရေခန်းခြောက်စေရန်အတွက် ဗဟိုခွာအားကို မြှင့်တင်ရန် လည်ပတ်အမြန်နှုန်းကို မြှင့်တင်နိုင်သည်။

 

7.ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် ခြောက်သွေ့စွာ သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း

ခြောက်သွေ့စွာ သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းဆိုသည်မှာ အရည်များ အသုံးမပြုသော သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာကို ရည်ညွှန်းသည်။

လက်ရှိအသုံးပြုနေသော ခြောက်သွေ့သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများတွင် ပလာစမာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ၊ ဓာတ်ငွေ့အဆင့်သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ၊ ရောင်ခြည်သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ စသည်တို့ ပါဝင်သည်။

ခြောက်သွေ့စွာ သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း၏ အားသာချက်များမှာ လုပ်ငန်းစဉ်ရိုးရှင်းပြီး ပတ်ဝန်းကျင်ညစ်ညမ်းမှု မရှိသော်လည်း ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားပြီး လောလောဆယ်တွင် အသုံးပြုမှုအတိုင်းအတာမှာ များပြားလှခြင်း မရှိပါ။

 

၁။ ပလာစမာ သန့်ရှင်းရေး နည်းပညာ

ပလာစမာသန့်စင်ခြင်းကို ဖိုတိုရီစတစ်ဖယ်ရှားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ အောက်ဆီဂျင်အနည်းငယ်ကို ပလာစမာဓာတ်ပြုမှုစနစ်ထဲသို့ ထည့်သွင်းသည်။ အားကောင်းသောလျှပ်စစ်စက်ကွင်းတစ်ခု၏လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် အောက်ဆီဂျင်သည် ပလာစမာကိုထုတ်ပေးပြီး ဖိုတိုရီစတစ်ကို လျင်မြန်စွာဓာတ်တိုးစေပြီး ငွေ့ရည်ဖွဲ့အခြေအနေအဖြစ်သို့ပြောင်းလဲကာ ထုတ်ယူသည်။

ဤသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာသည် အသုံးပြုရလွယ်ကူခြင်း၊ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားခြင်း၊ မျက်နှာပြင်သန့်ရှင်းခြင်း၊ ခြစ်ရာမရှိခြင်းစသည့် အားသာချက်များရှိပြီး ကော်ချွတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို သေချာစေရန် အထောက်အကူပြုပါသည်။ ထို့အပြင် အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီနှင့် အော်ဂဲနစ်ပျော်ရည်များကို အသုံးမပြုဘဲ အမှိုက်စွန့်ပစ်ခြင်းနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်ညစ်ညမ်းခြင်းကဲ့သို့သော ပြဿနာများလည်း မရှိပါ။ ထို့ကြောင့် လူများက ပိုမိုတန်ဖိုးထားလာကြသည်။ သို့သော် ကာဗွန်နှင့် အခြားမပျံ့လွင့်နိုင်သော သတ္တု သို့မဟုတ် သတ္တုအောက်ဆိုဒ် မသန့်စင်မှုများကို မဖယ်ရှားနိုင်ပါ။

 

၂။ ဓာတ်ငွေ့အဆင့် သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ-

ဓာတ်ငွေ့အဆင့်သန့်ရှင်းရေးဆိုသည်မှာ အရည်လုပ်ငန်းစဉ်တွင် သက်ဆိုင်ရာပစ္စည်း၏ ဓာတ်ငွေ့အဆင့်ညီမျှမှုကို အသုံးပြု၍ wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ညစ်ညမ်းပစ္စည်းနှင့် အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်ပြီး မသန့်စင်မှုများကို ဖယ်ရှားရန် ရည်ရွယ်ချက်အောင်မြင်စေရန် သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းကို ရည်ညွှန်းသည်။

ဥပမာအားဖြင့် CMOS လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ wafer သန့်ရှင်းရေးသည် အောက်ဆိုဒ်များကို ဖယ်ရှားရန် ဓာတ်ငွေ့အဆင့် HF နှင့် ရေငွေ့အကြား အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှုကိုအသုံးပြုသည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် ရေပါဝင်သော HF လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အမှုန်ဖယ်ရှားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်နှင့်အတူ ပါဝင်ရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ဓာတ်ငွေ့အဆင့် HF သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းသည် နောက်ဆက်တွဲ အမှုန်ဖယ်ရှားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ် မလိုအပ်ပါ။

ရေဖြင့် HF လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အရေးကြီးဆုံး အားသာချက်များမှာ HF ဓာတုပစ္စည်း သုံးစွဲမှု နည်းပါးခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းရေး စွမ်းဆောင်ရည် မြင့်မားခြင်းတို့ ဖြစ်သည်။

 

ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းမှ မည်သည့်ဖောက်သည်မဆို နောက်ထပ်ဆွေးနွေးမှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံ လာရောက်လည်ပတ်ရန် ကြိုဆိုပါတယ်။

https://www.vet-china.com/

https://www.facebook.com/people/Ningbo-Miami-Advanced-Material-Technology-Co-Ltd/100085673110923/

https://www.linkedin.com/company/100890232/admin/page-posts/published/

https://www.youtube.com/@user-oo9nl2qp6j