Novaĵoj

Nombra simuladstudo pri la efiko de pora grafito sur siliciokarbida kristalkresko
de administranto je 24-06-18
La baza procezo de kresko de SiC-kristaloj estas dividita en sublimadon kaj malkomponiĝon de krudmaterialoj je alta temperaturo, transportadon de gasfazaj substancoj sub la ago de temperaturgradiento, kaj rekristaliĝan kreskon de gasfazaj substancoj ĉe la semkristalo. Surbaze de tio, la...
Legu pli
Tipoj de Speciala Grafito
de administranto je 24-06-17
Speciala grafito estas altpureca, altdenseca kaj altforta grafita materialo kaj havas bonegan korodreziston, alttemperaturan stabilecon kaj grandan elektran konduktivecon. Ĝi estas farita el natura aŭ artefarita grafito post alttemperatura varmotraktado kaj altprema prilaborado...
Legu pli
Analizo de ekipaĵo por deponado de maldikaj filmoj - la principoj kaj aplikoj de ekipaĵo por PECVD/LPCVD/ALD
de administranto je 24-06-12
Demetado de maldika filmo estas kovri tavolon de filmo sur la ĉefan substratan materialon de la duonkonduktaĵo. Ĉi tiu filmo povas esti farita el diversaj materialoj, kiel ekzemple izola kombinaĵo silicia dioksido, duonkonduktaĵo polisilicio, metala kupro, ktp. La ekipaĵo uzata por la tegado nomiĝas demetado de maldika filmo...
Legu pli
Gravaj materialoj kiuj determinas la kvaliton de kresko de monokristala silicio - termika kampo
de administranto je 24-06-12
La kreskoprocezo de monokristala silicio estas tute efektivigata en la termika kampo. Bona termika kampo favoras plibonigi la kvaliton de kristaloj kaj havas pli altan kristaliĝan efikecon. La dezajno de la termika kampo plejparte determinas la ŝanĝojn en temperaturgradientoj...
Legu pli
Kiuj estas la teknikaj malfacilaĵoj de kristala kreskoforno de siliciokarbido?
de administranto je 24-06-07
La kristala kreskoforno estas la kerna ekipaĵo por kristala kresko de silicia karbido. Ĝi similas al la tradicia kristala kreskforno de silicia kvalito. La strukturo de la forno ne estas tre komplika. Ĝi konsistas ĉefe el la forna korpo, hejtadsistemo, bobena transmisiomekanismo...
Legu pli
Kiuj estas la difektoj de la epitaksa tavolo de siliciokarbido
de administranto je 24-06-05
La kerna teknologio por la kreskigo de SiC-epitaksaj materialoj estas unue difekto-kontrola teknologio, precipe por difekto-kontrola teknologio, kiu emas al aparata paneo aŭ fidindecdegradiĝo. La studo de la mekanismo de substrataj difektoj etendiĝantaj en la epi...
Legu pli
Oksidigite staranta greno kaj epitaksia kreskoteknologio-II
de administranto je 24-05-30
2. Epitaksa kresko de maldika filmo La substrato provizas fizikan subtenan tavolon aŭ konduktan tavolon por Ga2O3-potencaparatoj. La sekva grava tavolo estas la kanala tavolo aŭ epitaksa tavolo uzata por tensiorezisto kaj portantotransporto. Por pliigi kolapsan tension kaj minimumigi kon...
Legu pli
Unkristala galiumoksido kaj epitaksa kreskoteknologio
de administranto je 24-05-30
Larĝbendbreĉaj (WBG) duonkonduktaĵoj reprezentitaj de silicia karbido (SiC) kaj galiuma nitrido (GaN) ricevis vastan atenton. Homoj havas altajn atendojn pri la aplikaj perspektivoj de silicia karbido en elektraj veturiloj kaj elektroretoj, same kiel pri la aplikaj perspektivoj de galiumo...
Legu pli
Kiuj estas la teknikaj baroj al siliciokarbido?
de administranto je 24-05-22
La teknikaj malfacilaĵoj en stabile amasproduktanta altkvalitan silician karbidan obleton kun stabila funkciado inkluzivas: 1) Ĉar kristaloj devas kreski en alt-temperatura hermetika medio super 2000 °C, la temperaturkontrolaj postuloj estas ekstreme altaj; 2) Ĉar silicia karbido havas ...
Legu pli