Sospensione della canna personalizzata con rivestimento in SiC

Sospensione della cannaÈ un componente fondamentale nei processi di crescita epitassiale dei semiconduttori come MOCVD, MBE e CVD. Viene utilizzato principalmente per trasportare i wafer nelle camere di reazione ad alta temperatura e per fornire un ambiente termico uniforme e stabile che garantisca la deposizione precisa di strati epitassiali (come GaN, SiC, ecc.). La sua funzione principale è quella di ottenere un'elevata uniformità della temperatura superficiale del wafer attraverso un controllo preciso del campo termico, garantendo così l'uniformità dello spessore, della concentrazione di drogaggio e della struttura cristallina dei film sottili epitassiali.

Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare ilsospensore a barilecon purezza estremamente elevata, buona uniformità del rivestimento e un'eccellente durata, nonché elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

VET Energy utilizza grafite ad elevata purezza con rivestimento CVD-SiC per migliorare la stabilità chimica:

1. Materiale in grafite ad elevata purezza
Elevata conduttività termica: la conduttività termica della grafite è tre volte superiore a quella del silicio, il che consente di trasferire rapidamente il calore dalla sorgente di riscaldamento al wafer e di ridurre i tempi di riscaldamento.
Resistenza meccanica: densità della grafite a pressione isostatica ≥ 1,85 g/cm³, in grado di resistere ad alte temperature superiori a 1200 ℃ senza deformarsi.

2. Rivestimento in SiC CVD
Uno strato di β-SiC viene formato sulla superficie della grafite mediante deposizione chimica da fase vapore (CVD), con una purezza ≥ 99,99995%, un errore di uniformità dello spessore del rivestimento inferiore a ±5% e una rugosità superficiale inferiore a Ra0,5 μm.

3. Miglioramento delle prestazioni:
Resistenza alla corrosione: può resistere a gas altamente corrosivi come Cl2, HCl, ecc., e può prolungare la durata dell'epitassia di GaN di tre volte in ambiente NH3.
Stabilità termica: il coefficiente di dilatazione termica (4,5 × 10⁻⁶/℃) è compatibile con quello della grafite, evitando così la formazione di crepe nel rivestimento causate dalle fluttuazioni di temperatura.
Durezza e resistenza all'usura: la durezza Vickers raggiunge i 28 GPa, ovvero 10 volte superiore a quella della grafite, riducendo il rischio di graffi sui wafer.