Suscettore a barilotto rivestito in SiC personalizzato

Suscettore a botteÈ un componente fondamentale nei processi di crescita epitassiale dei semiconduttori come MOCVD, MBE e CVD. Viene utilizzato principalmente per trasportare i wafer in camere di reazione ad alta temperatura e fornire un ambiente di campo termico uniforme e stabile per garantire la deposizione precisa di strati epitassiali (come GaN, SiC, ecc.). La sua funzione principale è quella di ottenere un'elevata uniformità della temperatura superficiale del wafer attraverso un preciso controllo del campo termico, garantendo così l'uniformità dello spessore, della concentrazione del drogaggio e della struttura cristallina dei film sottili epitassiali.

Utilizziamo la nostra tecnologia brevettata per realizzare ilsuscettore a barilecon purezza estremamente elevata, buona uniformità del rivestimento ed eccellente durata, nonché elevate proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

VET Energy utilizza grafite ad alta purezza con rivestimento CVD-SiC per migliorare la stabilità chimica:

1. Materiale in grafite ad alta purezza
Elevata conduttività termica: la conduttività termica della grafite è tre volte superiore a quella del silicio, il che consente di trasferire rapidamente il calore dalla fonte di riscaldamento al wafer e di ridurre i tempi di riscaldamento.
Resistenza meccanica: pressione isostatica densità grafite ≥ 1,85 g/cm³, in grado di resistere ad alte temperature superiori a 1200 ℃ senza deformazioni.

2. Rivestimento CVD SiC
Uno strato di β-SiC si forma sulla superficie della grafite mediante deposizione chimica da vapore (CVD), con una purezza ≥ 99,99995%, l'errore di uniformità dello spessore del rivestimento è inferiore a ± 5% e la rugosità superficiale è inferiore a Ra 0,5 um.

3. Miglioramento delle prestazioni:
Resistenza alla corrosione: può resistere a gas altamente corrosivi come Cl2, HCl, ecc., può prolungare la durata dell'epitassia GaN di tre volte nell'ambiente NH3.
Stabilità termica: il coefficiente di dilatazione termica (4,5 × 10-6/℃) è uguale a quello della grafite, per evitare la formazione di crepe nel rivestimento causate dalle fluttuazioni di temperatura.
Durezza e resistenza all'usura: la durezza Vickers raggiunge i 28 GPa, ovvero 10 volte superiore a quella della grafite, e può ridurre il rischio di graffi sui wafer.