Uwendung vu Siliziumkarbidkeramik am Halbleiterberäich

Dat bevorzugt Material fir Präzisiounsdeeler vu Photolithographiemaschinnen

Am Beräich vun den Hallefleeder,Siliziumkarbid KeramikMaterialien ginn haaptsächlech a Schlësselausrüstung fir d'Fabrikatioun vun integréierte Schaltungen benotzt, wéi zum Beispill Siliziumkarbid-Aarbechtsdëscher, Führungsschinnen,Reflekteren, Keramik-Saugfutter, Äerm, Schleifscheiwen, Befestigungen, etc. fir Lithographiemaschinnen.

Siliziumkarbid Keramikdeelerfir Halbleiter- an optesch Ausrüstung

● Schleifscheif aus Siliziumcarbid-Keramik. Wann d'Schleifscheif aus Goss oder Kuelestol besteet, ass hir Liewensdauer kuerz an hiren thermeschen Ausdehnungskoeffizient grouss. Wärend der Veraarbechtung vu Siliziumwaferen, besonnesch beim Schleifen oder Polieren mat héijer Geschwindegkeet, maachen de Verschleiss an d'thermesch Deformatioun vun der Schleifscheif et schwéier, d'Flaachheet an d'Parallelitéit vum Siliziumwafer ze garantéieren. D'Schleifscheif aus Siliziumcarbid-Keramik huet eng héich Häert a wéineg Verschleiss, an den thermeschen Ausdehnungskoeffizient ass am Fong dee selwechte wéi dee vu Siliziumwaferen, sou datt se mat héijer Geschwindegkeet geschliffen a poléiert ka ginn.
● Siliziumkarbid-Keramikfixtur. Zousätzlech musse Siliziumwafere bei héijer Temperatur Hëtztbehandlung ënnerworf ginn a ginn dacks mat Siliziumkarbidfixturen transportéiert. Si si hitzebeständeg an net-destruktiv. Diamantähnlech Kuelestoff (DLC) an aner Beschichtunge kënnen op d'Uewerfläch opgedroe ginn, fir d'Leeschtung ze verbesseren, Schied un de Waferen ze reduzéieren an d'Verbreedung vu Kontaminatioun ze verhënneren.
● Siliziumkarbid-Aarbechtsdësch. Wann ee sech den Aarbechtsdësch an der Lithographiemaschinn als Beispill ukuckt, ass den Aarbechtsdësch haaptsächlech verantwortlech fir d'Beliichtungsbewegung ofzeschléissen, wouduerch eng héichgeschwindeg, grouss Schlaganlag an eng sechs-Grad-Fräiheetsbewegung op Nanoniveau mat Ultrapräzisioun erfuerderlech ass. Zum Beispill, fir eng Lithographiemaschinn mat enger Opléisung vun 100 nm, enger Iwwerlagerungsgenauegkeet vun 33 nm an enger Linnbreet vun 10 nm, muss d'Positionéierungsgenauegkeet vum Aarbechtsdësch 10 nm erreechen, d'gläichzäiteg Schrëtt- a Scangeschwindegkeete vun der Mask a Siliziumwafer sinn 150 nm/s respektiv 120 nm/s, an d'Scangeschwindegkeet vun der Mask ass no bei 500 nm/s, an den Aarbechtsdësch muss eng ganz héich Bewegungsgenauegkeet a Stabilitéit hunn.

Schematesch Duerstellung vum Aarbechtsdësch an dem Mikrobewegungsdësch (deelweisen Duerchschnëtt)

● Quadratspigel aus Siliziumcarbid-Keramik. Schlësselkomponenten a wichtegen integréierte Schaltungsausrüstung wéi Lithographiemaschinnen hunn komplex Formen, komplex Dimensiounen an huel, liicht Strukturen, wat et schwéier mécht, sou Siliziumcarbid-Keramikkomponenten ze preparéieren. Aktuell benotzen déi international Mainstream-Hiersteller vun integréierte Schaltungsausrüstung, wéi ASML an den Nidderlanden, NIKON a CANON a Japan, eng grouss Quantitéit u Materialien wéi mikrokristallint Glas a Cordierit, fir quadratesch Spigelen, déi Kärkomponente vu Lithographiemaschinnen, ze preparéieren, a Siliziumcarbid-Keramik fir aner héich performant Strukturkomponenten mat einfache Formen ze preparéieren. Experten vum China Building Materials Research Institute hunn awer proprietär Virbereedungstechnologie benotzt, fir d'Virbereedung vu grousse, komplex geformte, héich liichte, voll zouene Quadratspigel aus Siliziumcarbid-Keramik an aner strukturell an funktionell optesch Komponenten fir Lithographiemaschinnen z'erreechen.