-
සිලිකන් කාබයිඩ් ස්ඵටික වර්ධනයට සිදුරු සහිත මිනිරන් වල බලපෑම පිළිබඳ සංඛ්යාත්මක සමාකරණ අධ්යයනය.
SiC ස්ඵටික වර්ධනයේ මූලික ක්රියාවලිය ඉහළ උෂ්ණත්වයේ දී අමුද්රව්ය උත්පාදනය සහ වියෝජනය, උෂ්ණත්ව අනුක්රමයේ ක්රියාකාරිත්වය යටතේ වායු අවධි ද්රව්ය ප්රවාහනය සහ බීජ ස්ඵටිකයේ වායු අවධි ද්රව්ය නැවත ස්ඵටිකීකරණය වර්ධනය ලෙස බෙදා ඇත. මේ මත පදනම්ව,...තවත් කියවන්න -
විශේෂ මිනිරන් වර්ග
විශේෂ මිනිරන් යනු ඉහළ සංශුද්ධතාවය, ඉහළ ඝනත්වය සහ ඉහළ ශක්තියක් සහිත මිනිරන් ද්රව්යයක් වන අතර විශිෂ්ට විඛාදන ප්රතිරෝධයක්, ඉහළ උෂ්ණත්ව ස්ථායිතාවයක් සහ විශිෂ්ට විද්යුත් සන්නායකතාවක් ඇත. එය ඉහළ උෂ්ණත්ව තාප පිරියම් කිරීම සහ අධි පීඩන සැකසුම් වලින් පසු ස්වභාවික හෝ කෘතිම මිනිරන් වලින් සාදා ඇත...තවත් කියවන්න -
තුනී පටල තැන්පත් කිරීමේ උපකරණ විශ්ලේෂණය - PECVD/LPCVD/ALD උපකරණවල මූලධර්ම සහ යෙදුම්
තුනී පටල තැන්පත් කිරීම යනු අර්ධ සන්නායකයේ ප්රධාන උපස්ථර ද්රව්යය මත පටල තට්ටුවක් ආලේප කිරීමයි. මෙම පටලය පරිවාරක සංයෝග සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ්, අර්ධ සන්නායක පොලිසිලිකන්, ලෝහ තඹ වැනි විවිධ ද්රව්ය වලින් සෑදිය හැකිය. ආලේපනය සඳහා භාවිතා කරන උපකරණ තුනී පටල තැන්පත් කිරීම ලෙස හැඳින්වේ...තවත් කියවන්න -
ඒකස්ඵටික සිලිකන් වර්ධනයේ ගුණාත්මකභාවය තීරණය කරන වැදගත් ද්රව්ය - තාප ක්ෂේත්රය
ඒකස්ඵටික සිලිකන් වර්ධන ක්රියාවලිය සම්පූර්ණයෙන්ම තාප ක්ෂේත්රය තුළ සිදු කෙරේ. හොඳ තාප ක්ෂේත්රයක් ස්ඵටිකවල ගුණාත්මකභාවය වැඩි දියුණු කිරීමට හිතකර වන අතර ඉහළ ස්ඵටිකීකරණ කාර්යක්ෂමතාවයක් ඇත. තාප ක්ෂේත්රයේ සැලසුම බොහෝ දුරට උෂ්ණත්ව අනුක්රමණවල වෙනස්කම් තීරණය කරයි...තවත් කියවන්න -
සිලිකන් කාබයිඩ් ස්ඵටික වර්ධන උදුනේ තාක්ෂණික දුෂ්කරතා මොනවාද?
ස්ඵටික වර්ධන උදුන සිලිකන් කාබයිඩ් ස්ඵටික වර්ධනය සඳහා මූලික උපකරණ වේ. එය සාම්ප්රදායික ස්ඵටික සිලිකන් ශ්රේණියේ ස්ඵටික වර්ධන උදුනට සමාන වේ. උදුන ව්යුහය එතරම් සංකීර්ණ නොවේ. එය ප්රධාන වශයෙන් උදුන ශරීරය, තාපන පද්ධතිය, දඟර සම්ප්රේෂණ යාන්ත්රණයෙන් සමන්විත වේ...තවත් කියවන්න -
සිලිකන් කාබයිඩ් එපිටැක්සියල් ස්ථරයේ දෝෂ මොනවාද?
SiC එපිටැක්සියල් ද්රව්ය වර්ධනය සඳහා මූලික තාක්ෂණය වන්නේ පළමුව දෝෂ පාලන තාක්ෂණයයි, විශේෂයෙන් උපාංග අසාර්ථකත්වයට හෝ විශ්වසනීයත්වය පිරිහීමට ලක්වන දෝෂ පාලන තාක්ෂණය සඳහා. එපි දක්වා විහිදෙන උපස්ථර දෝෂවල යාන්ත්රණය අධ්යයනය...තවත් කියවන්න -
ඔක්සිකරණය වූ ස්ථාවර ධාන්ය සහ එපිටැක්සියල් වර්ධන තාක්ෂණය-Ⅱ
2. එපිටැක්සියල් තුනී පටල වර්ධනය උපස්ථරය Ga2O3 බල උපාංග සඳහා භෞතික ආධාරක ස්ථරයක් හෝ සන්නායක ස්ථරයක් සපයයි. ඊළඟ වැදගත් ස්ථරය වන්නේ වෝල්ටීයතා ප්රතිරෝධය සහ වාහක ප්රවාහනය සඳහා භාවිතා කරන නාලිකා ස්ථරය හෝ එපිටැක්සියල් ස්ථරයයි. බිඳවැටීමේ වෝල්ටීයතාවය වැඩි කිරීමට සහ අවම කිරීමට...තවත් කියවන්න -
ගැලියම් ඔක්සයිඩ් තනි ස්ඵටික සහ එපිටැක්සියල් වර්ධන තාක්ෂණය
සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) සහ ගැලියම් නයිට්රයිඩ් (GaN) මගින් නියෝජනය වන පුළුල් කලාප පරතරය (WBG) අර්ධ සන්නායක පුළුල් අවධානයක් දිනාගෙන ඇත. විදුලි වාහන සහ විදුලිබල ජාල වල සිලිකන් කාබයිඩ් යෙදීමේ අපේක්ෂාවන් මෙන්ම ගැලියම් යෙදීමේ අපේක්ෂාවන් සඳහා ජනතාව ඉහළ අපේක්ෂාවන් දරති...තවත් කියවන්න -
සිලිකන් කාබයිඩ් සඳහා ඇති තාක්ෂණික බාධක මොනවාද?Ⅱ
ස්ථායී කාර්ය සාධනයක් සහිත ස්ථායීව මහා පරිමාණයෙන් නිපදවන උසස් තත්ත්වයේ සිලිකන් කාබයිඩ් වේෆර්වල තාක්ෂණික දුෂ්කරතා අතරට: 1) 2000°C ට වැඩි ඉහළ උෂ්ණත්ව මුද්රා තැබූ පරිසරයක ස්ඵටික වර්ධනය වීමට අවශ්ය බැවින්, උෂ්ණත්ව පාලන අවශ්යතා අතිශයින් ඉහළ ය; 2) සිලිකන් කාබයිඩ් ඇති බැවින් ...තවත් කියවන්න