Chất nhạy cảm thùng Epiticular Epi Graphite

Chất nhạy cảm thùng Epiticular Epi Graphite

Chất nhạy cảm thùng Epiticular Epi GraphiteĐây là thiết bị hỗ trợ và gia nhiệt được thiết kế đặc biệt, dùng để giữ và gia nhiệt các chất nền bán dẫn trong các quy trình sản xuất như lắng đọng hoặc epitaxy.

Cấu trúc của nó thường bao gồm hình trụ hoặc hơi hình thùng, bề mặt có nhiều hốc hoặc bệ để đặt các tấm bán dẫn, có thể là thiết kế đặc hoặc rỗng, tùy thuộc vào phương pháp gia nhiệt.

Các chức năng chính của giá đỡ hình thùng epitaxy:

1. Giá đỡ wafer và điều khiển nhiệt độ
Bề mặt của bộ phận đỡ được thiết kế với nhiều hốc đựng wafer (như bố trí hình lục giác hoặc bát giác), có thể đỡ đồng thời 6-15 wafer. Độ dẫn nhiệt cao của than chì tinh khiết cao (120-150W/mK) đảm bảo truyền nhiệt nhanh, kết hợp với chức năng quay (5-20 RPM), dẫn đến độ lệch nhiệt độ bề mặt wafer <± 1 ℃ và độ đồng nhất độ dày lớp epitaxy <1%.

2. Tối ưu hóa hướng dòng khí phản ứng
Cấu trúc vi mô của bề mặt giá đỡ có thể phá vỡ hiệu ứng lớp biên, cho phép phân bố đồng đều các khí phản ứng (như SiH4, NH3) và cải thiện tính nhất quán của tốc độ lắng đọng.

3. Bảo vệ chống ô nhiễm và chống ăn mòn
Các chất nền than chì dễ bị phân hủy và giải phóng các tạp chất kim loại (như Fe, Ni) ở nhiệt độ cao, trong khi lớp phủ SiC CVD dày 100μm có thể tạo thành một lớp chắn dày đặc để ngăn chặn sự bay hơi của than chì, dẫn đến tỷ lệ lỗi trên tấm wafer là <0,1 lỗi/cm².

Ứng dụng:
- Chủ yếu được sử dụng cho quá trình tăng trưởng màng mỏng silicon.
-Cũng áp dụng được cho quá trình epitaxy của các vật liệu bán dẫn khác như GaAs, InP, v.v.

VET Energy sử dụng than chì có độ tinh khiết cao với lớp phủ CVD-SiC để tăng cường độ ổn định hóa học:

1. Vật liệu than chì có độ tinh khiết cao
Độ dẫn nhiệt cao: độ dẫn nhiệt của than chì gấp ba lần so với silicon, giúp truyền nhiệt nhanh chóng từ nguồn nhiệt đến tấm bán dẫn và rút ngắn thời gian gia nhiệt.
Độ bền cơ học: Mật độ than chì ở áp suất đẳng tĩnh ≥ 1,85 g/cm³, có khả năng chịu được nhiệt độ cao trên 1200 ℃ mà không bị biến dạng.

2. Lớp phủ SiC CVD
Một lớp β-SiC được hình thành trên bề mặt than chì bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD), với độ tinh khiết ≥ 99,99995%, sai số về độ dày lớp phủ nhỏ hơn ±5%, và độ nhám bề mặt nhỏ hơn Ra0,5um.

3. Cải thiện hiệu suất:
Khả năng chống ăn mòn: có thể chịu được các khí ăn mòn mạnh như Cl2, HCl, v.v., có thể kéo dài tuổi thọ của lớp màng GaN lên gấp ba lần trong môi trường NH3.
Độ ổn định nhiệt: Hệ số giãn nở nhiệt (4,5 × 10-6/℃) phù hợp với than chì để tránh hiện tượng nứt lớp phủ do biến động nhiệt độ.
Độ cứng và khả năng chống mài mòn: Độ cứng Vickers đạt 28 GPa, cao gấp 10 lần so với than chì và có thể giảm nguy cơ trầy xước tấm bán dẫn.