Chất nhạy cảm thùng Epiticular Epi Graphite

Chất nhạy cảm thùng Epiticular Epi Graphite

Chất nhạy cảm thùng Epiticular Epi Graphitelà thiết bị hỗ trợ và gia nhiệt được thiết kế đặc biệt dùng để giữ và gia nhiệt các chất nền bán dẫn trong quá trình sản xuất như quy trình lắng đọng hoặc epitaxy.

Cấu trúc của nó thường bao gồm hình trụ hoặc hơi giống hình thùng, bề mặt có nhiều túi hoặc bệ để đặt các tấm wafer, có thể là thiết kế đặc hoặc rỗng, tùy thuộc vào phương pháp gia nhiệt.

Chức năng chính của susceptor nòng epitaxial:

1. Bộ phận mang wafer và kiểm soát nhiệt độ
Bề mặt susceptor được thiết kế với nhiều túi wafer (như sắp xếp hình lục giác hoặc bát giác), có thể hỗ trợ 6-15 wafer cùng một lúc. Độ dẫn nhiệt cao của graphite tinh khiết cao (120-150W/mK) đảm bảo truyền nhiệt nhanh, kết hợp với chức năng quay (5-20 vòng/phút), dẫn đến độ lệch nhiệt độ bề mặt wafer <± 1 ℃ và độ đồng đều độ dày lớp epitaxial <1%.

2. Tối ưu hóa hướng dòng khí phản ứng
Cấu trúc vi mô của bề mặt tiếp xúc có thể phá vỡ hiệu ứng lớp ranh giới, cho phép phân phối đồng đều các khí phản ứng (như SiH4, NH3) và cải thiện tính nhất quán của tốc độ lắng đọng.

3. Bảo vệ chống ô nhiễm và chống ăn mòn
Chất nền graphite dễ bị phân hủy và giải phóng tạp chất kim loại (như Fe, Ni) ở nhiệt độ cao, trong khi lớp phủ CVD SiC dày 100μm có thể tạo thành một lớp rào cản dày đặc để ngăn chặn sự bay hơi graphite, dẫn đến tỷ lệ khuyết tật của tấm wafer là <0,1 khuyết tật/cm ².

Ứng dụng:
- Chủ yếu được sử dụng cho sự phát triển epitaxy silicon
- Cũng có thể áp dụng cho phản ứng epitaxy của các vật liệu bán dẫn khác như GaAs, InP, v.v.

VET Energy sử dụng than chì có độ tinh khiết cao với lớp phủ CVD-SiC để tăng cường độ ổn định hóa học:

1. Vật liệu than chì có độ tinh khiết cao
Độ dẫn nhiệt cao: độ dẫn nhiệt của than chì gấp ba lần so với silicon, có khả năng truyền nhiệt nhanh từ nguồn nhiệt đến tấm wafer, rút ​​ngắn thời gian gia nhiệt.
Độ bền cơ học: Khối lượng riêng của than chì áp suất đẳng tĩnh ≥ 1,85 g/cm³, có khả năng chịu được nhiệt độ cao trên 1200℃ mà không bị biến dạng.

2. Lớp phủ CVD SiC
Lớp β - SiC được hình thành trên bề mặt than chì bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD), có độ tinh khiết ≥ 99,99995%, sai số đồng đều về độ dày lớp phủ nhỏ hơn ± 5% và độ nhám bề mặt nhỏ hơn Ra0,5um.

3. Cải thiện hiệu suất:
Khả năng chống ăn mòn: có thể chịu được các loại khí có tính ăn mòn cao như Cl2, HCl, v.v., có thể kéo dài tuổi thọ của GaN epitaxy lên gấp ba lần trong môi trường NH3.
Độ ổn định nhiệt: Hệ số giãn nở nhiệt (4,5 × 10-6/℃) phù hợp với than chì để tránh nứt lớp phủ do biến động nhiệt độ.
Độ cứng và khả năng chống mài mòn: Độ cứng Vickers đạt tới 28 GPa, cao hơn than chì 10 lần và có thể giảm nguy cơ trầy xước tấm wafer.