-
Nghiên cứu mô phỏng số về tác động của than chì xốp lên sự phát triển tinh thể silicon carbide
Quá trình cơ bản của quá trình phát triển tinh thể SiC được chia thành quá trình thăng hoa và phân hủy nguyên liệu thô ở nhiệt độ cao, quá trình vận chuyển các chất pha khí dưới tác động của gradien nhiệt độ và quá trình phát triển kết tinh lại các chất pha khí tại tinh thể mầm. Dựa trên điều này,...Đọc thêm -
Các loại than chì đặc biệt
Graphite đặc biệt là vật liệu graphite có độ tinh khiết cao, mật độ cao và độ bền cao, có khả năng chống ăn mòn tuyệt vời, độ ổn định nhiệt độ cao và độ dẫn điện tuyệt vời. Nó được làm bằng graphite tự nhiên hoặc nhân tạo sau khi xử lý nhiệt độ cao và gia công áp suất cao...Đọc thêm -
Phân tích thiết bị lắng đọng màng mỏng – nguyên lý và ứng dụng của thiết bị PECVD/LPCVD/ALD
Lắng đọng màng mỏng là phủ một lớp màng lên vật liệu nền chính của chất bán dẫn. Lớp màng này có thể được làm từ nhiều loại vật liệu khác nhau, chẳng hạn như hợp chất cách điện silicon dioxide, polysilicon bán dẫn, kim loại đồng, v.v. Thiết bị dùng để phủ được gọi là lắng đọng màng mỏng...Đọc thêm -
Vật liệu quan trọng quyết định chất lượng tăng trưởng của silicon đơn tinh thể – trường nhiệt
Quá trình phát triển của silic đơn tinh thể được thực hiện hoàn toàn trong trường nhiệt. Một trường nhiệt tốt có lợi cho việc cải thiện chất lượng tinh thể và có hiệu suất kết tinh cao hơn. Thiết kế của trường nhiệt phần lớn quyết định sự thay đổi của các gradient nhiệt độ...Đọc thêm -
Những khó khăn về mặt kỹ thuật của lò phát triển tinh thể silicon carbide là gì?
Lò tăng trưởng tinh thể là thiết bị cốt lõi cho sự tăng trưởng tinh thể silicon carbide. Nó tương tự như lò tăng trưởng tinh thể silicon cấp tinh thể truyền thống. Cấu trúc lò không phức tạp lắm. Nó chủ yếu bao gồm thân lò, hệ thống gia nhiệt, cơ cấu truyền động cuộn dây...Đọc thêm -
Những khuyết tật của lớp epitaxy silicon carbide là gì?
Công nghệ cốt lõi cho sự phát triển của vật liệu epitaxial SiC trước tiên là công nghệ kiểm soát khuyết tật, đặc biệt là đối với công nghệ kiểm soát khuyết tật dễ bị hỏng thiết bị hoặc suy giảm độ tin cậy. Nghiên cứu về cơ chế khuyết tật của chất nền mở rộng vào epi...Đọc thêm -
Công nghệ tăng trưởng epitaxial và hạt đứng oxy hóa-Ⅱ
2. Phát triển màng mỏng epitaxial Chất nền cung cấp lớp hỗ trợ vật lý hoặc lớp dẫn điện cho các thiết bị điện Ga2O3. Lớp quan trọng tiếp theo là lớp kênh hoặc lớp epitaxial được sử dụng cho điện trở điện áp và vận chuyển hạt mang. Để tăng điện áp đánh thủng và giảm thiểu con...Đọc thêm -
Công nghệ phát triển tinh thể đơn và epitaxial của oxit gali
Chất bán dẫn có khoảng cách băng thông rộng (WBG) được biểu thị bằng silicon carbide (SiC) và gali nitride (GaN) đã nhận được sự chú ý rộng rãi. Mọi người có kỳ vọng cao về triển vọng ứng dụng của silicon carbide trong xe điện và lưới điện, cũng như triển vọng ứng dụng của gali...Đọc thêm -
Những rào cản kỹ thuật đối với silicon carbide là gì?Ⅱ
Những khó khăn về mặt kỹ thuật trong việc sản xuất hàng loạt ổn định các tấm silicon carbide chất lượng cao có hiệu suất ổn định bao gồm: 1) Vì tinh thể cần phải phát triển trong môi trường kín chịu nhiệt độ cao trên 2000°C nên yêu cầu kiểm soát nhiệt độ cực kỳ cao; 2) Vì silicon carbide có ...Đọc thêm