اخبار

مطالعه شبیه‌سازی عددی تأثیر گرافیت متخلخل بر رشد بلور کاربید سیلیکون
توسط مدیر در تاریخ 24-06-18
فرآیند اساسی رشد کریستال SiC به تصعید و تجزیه مواد اولیه در دمای بالا، انتقال مواد فاز گازی تحت تأثیر گرادیان دما و رشد تبلور مجدد مواد فاز گازی در کریستال بذر تقسیم می‌شود. بر این اساس،...
ادامه مطلب
انواع گرافیت ویژه
توسط مدیر در تاریخ 24-06-17
گرافیت ویژه یک ماده گرافیتی با خلوص بالا، چگالی بالا و استحکام بالا است و از مقاومت در برابر خوردگی عالی، پایداری در دمای بالا و رسانایی الکتریکی عالی برخوردار است. این ماده از گرافیت طبیعی یا مصنوعی پس از عملیات حرارتی در دمای بالا و پردازش فشار بالا ساخته می‌شود...
ادامه مطلب
تحلیل تجهیزات لایه نشانی لایه نازک - اصول و کاربردهای تجهیزات PECVD/LPCVD/ALD
توسط مدیر در تاریخ 24-06-12
رسوب لایه نازک به معنای پوشاندن یک لایه از فیلم روی ماده اصلی بستر نیمه هادی است. این فیلم می‌تواند از مواد مختلفی مانند دی اکسید سیلیکون عایق، پلی سیلیکون نیمه هادی، مس فلزی و غیره ساخته شود. تجهیزات مورد استفاده برای پوشش، رسوب لایه نازک نامیده می‌شود...
ادامه مطلب
مواد مهمی که کیفیت رشد سیلیکون تک کریستالی را تعیین می‌کنند - میدان حرارتی
توسط مدیر در تاریخ 24-06-12
فرآیند رشد سیلیکون تک کریستالی کاملاً در میدان حرارتی انجام می‌شود. یک میدان حرارتی خوب برای بهبود کیفیت کریستال‌ها مفید است و راندمان تبلور بالاتری دارد. طراحی میدان حرارتی تا حد زیادی تغییرات گرادیان دما را تعیین می‌کند...
ادامه مطلب
مشکلات فنی کوره رشد کریستال کاربید سیلیکون چیست؟
توسط مدیر در تاریخ 24-06-07
کوره رشد کریستال، تجهیزات اصلی برای رشد کریستال کاربید سیلیکون است. این کوره شبیه به کوره رشد کریستال درجه سیلیکون کریستالی سنتی است. ساختار کوره خیلی پیچیده نیست. عمدتاً از بدنه کوره، سیستم گرمایش، مکانیزم انتقال کویل و ... تشکیل شده است.
ادامه مطلب
نقص‌های لایه اپیتاکسیال کاربید سیلیکون چیست؟
توسط مدیر در تاریخ 24-06-05
فناوری اصلی برای رشد مواد اپیتاکسیال SiC در درجه اول فناوری کنترل نقص است، به خصوص برای فناوری کنترل نقصی که مستعد خرابی دستگاه یا کاهش قابلیت اطمینان است. مطالعه مکانیسم نقص‌های زیرلایه که به اپیتاکسیال گسترش می‌یابند...
ادامه مطلب
دانه ایستاده اکسید شده و فناوری رشد اپیتاکسیال - Ⅱ
توسط مدیر در تاریخ 24-05-30
2. رشد لایه نازک اپیتاکسیال این زیرلایه یک لایه پشتیبان فیزیکی یا لایه رسانا برای دستگاه‌های قدرت Ga2O3 فراهم می‌کند. لایه مهم بعدی، لایه کانال یا لایه اپیتاکسیال است که برای مقاومت ولتاژ و انتقال حامل استفاده می‌شود. به منظور افزایش ولتاژ شکست و به حداقل رساندن ...
ادامه مطلب
فناوری رشد تک بلور و اپیتاکسیال اکسید گالیوم
توسط مدیر در تاریخ 24-05-30
نیمه‌هادی‌های با شکاف باند وسیع (WBG) که توسط کاربید سیلیکون (SiC) و نیترید گالیم (GaN) نشان داده می‌شوند، توجه گسترده‌ای را به خود جلب کرده‌اند. مردم انتظارات بالایی از چشم‌انداز کاربرد کاربید سیلیکون در وسایل نقلیه الکتریکی و شبکه‌های برق و همچنین چشم‌انداز کاربرد گالیم دارند...
ادامه مطلب
موانع فنی برای کاربید سیلیکون چیست؟
توسط مدیر در تاریخ 24-05-22
مشکلات فنی در تولید انبوه و پایدار ویفرهای کاربید سیلیکون با کیفیت بالا و عملکرد پایدار عبارتند از: ۱) از آنجایی که کریستال‌ها باید در یک محیط مهر و موم شده با دمای بالا بالای ۲۰۰۰ درجه سانتیگراد رشد کنند، الزامات کنترل دما بسیار بالا است؛ ۲) از آنجایی که کاربید سیلیکون ...
ادامه مطلب