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Estudo de simulação numérica sobre o efeito da grafite porosa no crescimento de cristais de carboneto de silício
O processo básico de crescimento de cristais de SiC é dividido em sublimação e decomposição de matérias-primas em alta temperatura, transporte de substâncias em fase gasosa sob a ação de gradiente de temperatura e crescimento de recristalização de substâncias em fase gasosa no cristal semente. Com base nisso,...Ler mais -
Tipos de grafite especial
A grafite especial é um material de grafite de alta pureza, alta densidade e alta resistência, com excelente resistência à corrosão, alta estabilidade térmica e ótima condutividade elétrica. É feita de grafite natural ou artificial após tratamento térmico de alta temperatura e processamento de alta pressão...Ler mais -
Análise de equipamentos de deposição de filmes finos – princípios e aplicações de equipamentos PECVD/LPCVD/ALD
A deposição de filme fino consiste em revestir uma camada de filme sobre o material do substrato principal do semicondutor. Este filme pode ser feito de diversos materiais, como composto isolante de dióxido de silício, polissilício semicondutor, cobre metálico, etc. O equipamento utilizado para o revestimento é chamado de deposição de filme fino...Ler mais -
Materiais importantes que determinam a qualidade do crescimento do silício monocristalino – campo térmico
O processo de crescimento do silício monocristalino é realizado inteiramente no campo térmico. Um bom campo térmico contribui para melhorar a qualidade dos cristais e proporciona uma maior eficiência de cristalização. O projeto do campo térmico determina em grande parte as mudanças nos gradientes de temperatura...Ler mais -
Quais são as dificuldades técnicas do forno de crescimento de cristais de carboneto de silício?
O forno de crescimento de cristais é o equipamento principal para o crescimento de cristais de carboneto de silício. É semelhante ao forno tradicional de crescimento de cristais de silício cristalino. A estrutura do forno não é muito complexa. É composto principalmente pelo corpo do forno, sistema de aquecimento, mecanismo de transmissão da bobina...Ler mais -
Quais são os defeitos da camada epitaxial de carboneto de silício
A tecnologia central para o crescimento de materiais epitaxiais de SiC é, em primeiro lugar, a tecnologia de controle de defeitos, especialmente para tecnologias de controle de defeitos propensas à falha do dispositivo ou degradação da confiabilidade. O estudo do mecanismo de defeitos do substrato que se estendem para o epitaxial...Ler mais -
Tecnologia de grãos oxidados em pé e crescimento epitaxial-II
2. Crescimento de filme fino epitaxial: O substrato fornece uma camada de suporte físico ou camada condutora para dispositivos de energia de Ga2O3. A próxima camada importante é a camada de canal ou camada epitaxial, usada para resistência de tensão e transporte de portadores. Para aumentar a tensão de ruptura e minimizar a con...Ler mais -
Tecnologia de crescimento epitaxial e monocristal de óxido de gálio
Semicondutores de banda larga (WBG), representados por carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN), têm recebido ampla atenção. As pessoas têm grandes expectativas quanto às perspectivas de aplicação do carboneto de silício em veículos elétricos e redes elétricas, bem como quanto às perspectivas de aplicação do gálio...Ler mais -
Quais são as barreiras técnicas ao carboneto de silício?Ⅱ
As dificuldades técnicas na produção em massa estável de wafers de carboneto de silício de alta qualidade com desempenho estável incluem: 1) Como os cristais precisam crescer em um ambiente selado de alta temperatura acima de 2000 °C, os requisitos de controle de temperatura são extremamente altos; 2) Como o carboneto de silício tem ...Ler mais
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