Ipu ma Ufiufi o le Vasega Graphite Coating Silicon Carbide

Ata Fa'aalia o le Ipu ma le Ufiufi o le Vase Fa'apalapala o le Silicon Carbide

Fa'amatalaga Pupuu:

O le VET Energy silicon carbide coating graphite plate ma le ufiufi o se oloa maualuga le faatinoga ua mamanuina e maua ai le faatinoga faifai pea ma faatuatuaina i se vaitaimi umi. E matua lelei lava lona tete'e atu i le vevela ma le tutusa o le vevela, maualuga le mama, ma tete'e atu i le ele, ma avea ai ma fofo atoatoa mo galuega fa'atino o le wafer processing.

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Fa'amatalaga o le oloa

Fa'ailoga o Oloa

VET MalosiagaFata Graphite Ufiufi Silicon Carbide, Plate, ma le Cover ua mamanuina e tuʻuina atu le faʻatinoga sili ona lelei, e maua ai le faʻagaioiga faʻatuatuaina ma faifai pea i le faʻaaogaina umi, ma avea ai ma filifiliga taua mo faʻaoga faʻagasologa wafer i le alamanuia semiconductor. O lenei faʻatinoga maualugaIpu Graphite Ufiufi Silicon Carbidee mitamita i le tete'e atu i le vevela, le tutusa lelei o le vevela, ma le mautu lelei o vaila'au, aemaise lava i tulaga maualuga o le vevela. O lona fausiaina e maualuga le mama, fa'atasi ai ma le tete'e atu i le solo, e taua tele mo siosiomaga faigata e pei oO mea e taofia ai le MOCVD.

Vaega Autū o le Silicon Carbide Coating Graphite Tray, Plate, ma le Ufiufi

1. Tete'e atu i le Oxidation i le Vevela Maualuga:E tatalia le vevela e oo atu i le 1700℃, ma e mafai ai ona faatino ma le faatuatuaina i tulaga sili ona faigata.

2. Mama Maualuga ma le Tutusa o le Vevela:E taua tele le tumau i le maualuga o le mama ma le tutusa o le tufatufaina atu o le vevela mo faʻaoga MOCVD.

3. Tete'e Fa'apitoa i le 'Ele:E tete'e i 'āsi, alkalis, masima, ma isi vaila'au fa'aola eseese, ma mautinoa ai le mautu mo se taimi umi i siosiomaga eseese.

4. Ma'a'a Maualuga ma Laupapa Fa'apipi'i:E iai se fogāeleele mafiafia ma ni fasi mea manifinifi, e fa'aleleia atili ai le tumau ma le tete'e atu i le ofuina.

5. Fa'alauteleina o le Ola Auaunaga:Fa'a'a'oa'oina mo le umi o le ola, e sili atu nai lo le masanimea e fa'aoso ai le graphite ua ufiufi i le silicon carbidei totonu o siosiomaga faigata o le fa'agasologa o semiconductor.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Uiga faaletino faavae o le CVD SiCufiufi
性质 / Meatotino	典型数值 / Taua Masani
晶体结构 / Fausaga o le Kilisitala	Vaega β o le FCC多晶，主要为（111）取向
密度 / Mafiafia	3.21 kalama/cm³
硬度 / Faigata	2500 维氏硬度（500g uta）
晶粒大小 / Tele o le saito	2~10μm
纯度 / Mamā Fa'akemikolo	99.99995%
热容 / Malosiaga o le Vevela	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Vevela o le Sublimation	2700℃
抗弯强度 / Malosiaga Fa'alava	415 MPa RT 4-point
杨氏模量 / Modulus a Young	430 Gpa 4pt pi'o, 1300℃
导热系数 / ThermalAmioga	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le Vevela (CTE)	4.5×10^-6K^-1

Tomai Faapitoa o le VET Energy i Fofo Fa'apitoa mo le Graphite ma le Silicon Carbide

I le avea ai ma se kamupani gaosi oloa faʻatuatuaina, e faʻapitoa le VET Energy i le mamanuina faʻapitoa o graphite susceptors ma le silicon carbide coating solutions. Matou te ofoina atu le tele o oloa ua faʻapitoa mo pisinisi semiconductor ma photovoltaic, e aofia aiVaega o le karapite ua ufiufi i le SiCe pei o fata, ipu, ma ufi. O la matou laina oloa e aofia ai foʻi filifiliga eseese o ufiufi, e pei oUfiufi SiC mo le MOCVD, Ufiufi TaC, ufiufi kaponi tioata, ma le ufi o le kaponi pyrolytic, ma ia mautinoa matou te faʻamalieina manaʻoga eseese o pisinisi faʻatekonolosi maualuluga.

O la matou 'au fa'apitoa e iai le poto masani, e aofia ai tagata tomai fa'apitoa mai fa'alapotopotoga su'esu'e sili ona lelei i totonu o le atunu'u, e tu'uina atu fofo atoatoa mo tagata fa'atau. Matou te fa'aleleia pea a matou faiga fa'apitoa, e aofia ai se tekinolosi fa'apitoa ua pateniina e fa'aleleia atili ai le pipii i le va o le ufiufi silicon carbide ma le graphite substrate, e fa'aitiitia ai le lamatiaga o le motusia ma fa'alauteleina atili ai le ola o le oloa.

Fa'aoga ma Penefiti i le Gaosiga o Semiconductor

O leUfiufi Silicon Carbide mo le MOCVDe matuā aogā ai nei mea e fa'a'ofu ai le graphite i siosiomaga e vevela tele ma 'ele'elea. Pe fa'aaogaina o ni mea e feavea'i ai le graphite wafer po'o isi vaega o le MOCVD, o nei mea e ufiufi i le silicon carbide e fa'aalia ai le tumau ma le fa'atinoga sili atu. Mo i latou o lo'o sailia ni fofo fa'atuatuaina i leFa'asusu karapite ua ufiufi i le SiCmaketi, o le fata, ipu, ma le ufi o le graphite ua ufi i le silicon carbide a le VET Energy ua ofoina atu ai se filifiliga malosi ma fetuutuunai e faamalieina ai manaoga faigata o le alamanuia semiconductor.

I le taulaʻi atu i le faasaienisi o meafaitino maualuluga, ua tautino atu ai le VET Energy e tuʻuina atu ni fofo maualuga o le graphite ua ufiufi i le SiC e faʻaleleia atili ai le faʻafouga i le faʻagasologa o semiconductor ma faʻamautinoa ai le faʻatinoga faʻatuatuaina i faʻaoga uma e fesoʻotaʻi ma le MOCVD.

O le VET Energy o le kamupani gaosi oloa fa'apitoa mo le graphite ma le silicon carbide ma oloa vali eseese e pei o le SiC coating, TaC coating, glassy carbon coating, pyrolytic carbon coating, ma isi, e mafai ona sapalai vaega eseese fa'apitoa mo le alamanuia semiconductor ma le photovoltaic.

O la matou 'au fa'apitoa e sau mai fa'alapotopotoga su'esu'e sili ona lelei i totonu o le atunu'u, e mafai ona tu'uina atu ni fofo fa'apitoa mo oe.

Matou te faʻaauau pea ona atiaʻe ni faiga faʻaonaponei e tuʻuina atu ai meafaitino e sili atu ona faʻaonaponei, ma ua matou faia se tekinolosi faʻapitoa ua pateniina, lea e mafai ona faʻamautu ai le pipii i le va o le ufiufi ma le mea e fai ai ma faʻaitiitia ai le faigofie ona motusia.

Faafeiloa'i atu ma le agalelei oe e asiasi mai i la matou fale gaosimea, se'i o tatou faia nisi talanoaga!