Àwo àti Ìbòrí Àwo Graphite Silikoni Carbide

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwo àti ìbòrí graphite ti a fi awọ ṣe ti VET Energy silicon carbide jẹ́ ọjà tí ó ní agbára gíga tí a ṣe láti pèsè iṣẹ́ tí ó dúró ṣinṣin àti tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé fún àkókò gígùn. Ó ní agbára ìdènà ooru tí ó dára gidigidi àti ìṣọ̀kan ooru, mímọ́ ga, àti agbára ìfọ́, èyí tí ó mú kí ó jẹ́ ojútùú pípé fún àwọn ohun èlò ṣíṣe wafer.

 

 


Àlàyé Ọjà

Àwọn àmì ọjà

Agbara VETÀtẹ Graphite Silikoni CarbideA ṣe àgbékalẹ̀ Àwo àti Ibò láti fi iṣẹ́ tó ga jùlọ hàn, èyí tó ń fúnni ní iṣẹ́ tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé àti tó dúró ṣinṣin lórí lílo tó gùn, èyí tó mú kí ó jẹ́ àṣàyàn pàtàkì fún àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ wafer nínú ilé iṣẹ́ semiconductor.Àwo Grafiti Silikoni CarbideÓ ní agbára ìdènà ooru tó tayọ, ìṣọ̀kan ooru tó ga jùlọ, àti ìdúróṣinṣin kẹ́míkà tó tayọ, pàápàá jùlọ ní àwọn ipò igbóná gíga. Ìṣẹ̀dá rẹ̀ tó mọ́ tónítóní, pẹ̀lú agbára ìdènà ìfọ́, mú kí ó ṣe pàtàkì fún àwọn àyíká tó ń béèrè fún irú bíiÀwọn olùfaragbá MOCVD.

7

Àwọn Ohun Pàtàkì Nínú Àwo Gíráfítì Tí A Fi Sílíkónì Carbide Bo

1. Agbara Idena Oxidation Oloorun Giga:O duro pẹlu iwọn otutu titi di 1700℃, eyi ti o mu ki o ṣiṣẹ ni igbẹkẹle ni awọn ipo ti o nira.

2. Ìmọ́tótó Gíga àti Ìṣọ̀kan Ooru:Ìwà mímọ́ gíga tí ó dúró ṣinṣin àti pípín ooru pàápàá ṣe pàtàkì fún àwọn ohun èlò MOCVD.

3. Àìfaradà ìbàjẹ́ tó yàtọ̀:Ó kojú àwọn ásíìdì, alkalis, iyọ̀, àti onírúurú ohun èlò ìṣẹ̀dá ara, ó sì ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin fún ìgbà pípẹ́ ní onírúurú àyíká.

4. Líle Gíga àti Ilẹ̀ Kékeré:Ó ní ojú ilẹ̀ tó nípọn pẹ̀lú àwọn èròjà kéékèèké tó dára, èyí tó ń mú kí gbogbo agbára rẹ̀ lágbára sí i, tó sì ń dènà ìgbóná ara.

5. Ìgbésí ayé iṣẹ́ gígùn:A ṣe é fún ọjọ́ pípẹ́, ó sì ṣiṣẹ́ dáadáa ju ti àṣà lọàwọn ohun tí ó lè mú kí graphite tí a fi silicon carbide bo mọ́ ara wọnní àwọn àyíká ìṣiṣẹ́ semikondokito líle.

 

CVD SiC薄膜基本物理性能

Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora

性质 / Ohun-ini

典型数值 / Iye deede

晶体结构 / Ìṣètò Kírísítà

Ìpele FCC β多晶,主要为(111)取向

密度 / Ìwọ̀n

3.21 g/cm³

硬度 / Líle

2500 维氏硬度 (ẹrù 500g)

晶粒大小 / Iwọn ọkà

2 ~ 10μm

纯度 / Ìmọ́tótó Kẹ́míkà

99.99995%

热容 / Agbara Ooru

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Iwọn otutu sublimation

2700℃

抗弯强度 / Agbára Rírọ̀

415 MPa RT 4-point

杨氏模量 / Modulu Young

430 GPA 4pt tẹ, 1300℃

导热系数 / ThermalÌgbékalẹ̀ ìṣiṣẹ́

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE)

4.5×10-6K-1

Ọgbọ́n VET Energy nínú Àwọn Ojútùú Graphite àti Silicon Carbide Tí A Ṣe Àṣàyàn

Gẹ́gẹ́ bí olùpèsè tí a gbẹ́kẹ̀lé, VET Energy jẹ́ ògbóǹtarìgì nínú àwọn ohun èlò tí a ṣe àgbékalẹ̀ graphite àti àwọn ojútùú ìbòrí silicon carbide. A ń pèsè oríṣiríṣi àwọn ọjà tí a ṣe àgbékalẹ̀ fún àwọn ilé iṣẹ́ semiconductor àti photovoltaic, títí kanÀwọn ẹ̀yà ara graphite tí a fi SiC bobíi àwọn àwo, àwo àti àwọn ìbòrí. Àwọn ọjà wa tún ní onírúurú àṣàyàn ìbòrí, bíiIbora SiC fun MOCVD, Ibora TaC, ideri erogba gilasi, àti ìbòrí erogba pyrolytic, èyí tí ó ń mú kí a rí i dájú pé a ń pàdé àwọn ìbéèrè onírúurú ti àwọn ilé iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga.

Àwọn òṣìṣẹ́ wa tó ní ìmọ̀ nípa iṣẹ́ ẹ̀rọ, tí wọ́n ní àwọn ògbóǹkangí láti àwọn ilé ìwádìí tó ga jùlọ ní orílẹ̀-èdè yìí, ń pèsè àwọn ohun èlò tó péye fún àwọn oníbàárà. A máa ń ṣe àtúnṣe sí àwọn iṣẹ́ wa tó ti pẹ́, títí kan ìmọ̀ ẹ̀rọ tó ní àṣẹ lórí rẹ̀ tó ń mú kí ìsopọ̀ tó wà láàárín ohun èlò bíi silicon carbide àti graphite substrate pọ̀ sí i, èyí tó ń dín ewu ìyapa kù, tó sì tún ń mú kí iṣẹ́ náà pẹ́ sí i.

Àwọn Ohun Èlò àti Àǹfààní Nínú Ṣíṣe Semiconductor

ÀwọnÀwọ̀ Silikoni Carbide fún MOCVDÓ máa ń jẹ́ kí àwọn ohun tí ó lè fa ìbàjẹ́ graphite yìí ṣiṣẹ́ dáadáa ní àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù gíga àti ìbàjẹ́. Yálà a lò ó gẹ́gẹ́ bí ohun tí ń gbé wafer graphite tàbí àwọn ohun èlò MOCVD mìíràn, àwọn ohun tí ó lè fa ìbàjẹ́ silicon carbide wọ̀nyí fi agbára àti iṣẹ́ wọn hàn. Fún àwọn tí wọ́n ń wá ojútùú tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé nínúÀàbò graphite tí a fi SiC boọjà, àwo graphite oní silicon carbide, àwo àti ìbòrí VET Energy ń fúnni ní àṣàyàn tó lágbára àti tó wúlò tó bá àwọn ìbéèrè tó lágbára ti ilé iṣẹ́ semiconductor mu.

Nípa fífi ọkàn sí ìmọ̀ sáyẹ́ǹsì ohun èlò tó ti lọ síwájú, VET Energy ti pinnu láti fi àwọn ojútùú graphite SiC tó ní agbára gíga tí ó ń mú kí ìṣẹ̀dá tuntun ṣiṣẹ́ nínú iṣẹ́ semiconductor àti láti rí i dájú pé iṣẹ́ náà ṣeé gbẹ́kẹ̀lé nínú gbogbo àwọn ohun èlò tó ní í ṣe pẹ̀lú MOCVD.

1

2

VET Energy ni olùpèsè gidi ti àwọn ọjà graphite àti silicon carbide tí a ṣe àdáni pẹ̀lú oríṣiríṣi ìbòrí bíi ìbòrí SiC, ìbòrí TaC, ìbòrí erogba gilasi, ìbòrí erogba pyrolytic, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, ó lè pèsè oríṣiríṣi àwọn ẹ̀yà ara tí a ṣe àdáni fún ilé iṣẹ́ semiconductor àti photovoltaic.

Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke, o le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ sii fun ọ.

A n ṣe agbekalẹ awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, a si ti ṣe agbekalẹ imọ-ẹrọ iyasọtọ ti a fun ni aṣẹ, eyiti o le jẹ ki asopọ laarin ibora ati substrate naa le nipọn ati ki o dinku si fifọ.

Ẹ kí yin káàbọ̀ pẹ̀lú ayọ̀ láti wá sí ilé iṣẹ́ wa, ẹ jẹ́ kí a tún jíròrò rẹ̀!

 

生产设备

 

公司客户

 


  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

  • Iwiregbe lori ayelujara WhatsApp!