VET EnergieGraphitschale mit Siliziumkarbidbeschichtung, Platte und Abdeckung sind auf höchste Leistung ausgelegt und gewährleisten einen zuverlässigen und konstanten Betrieb über einen längeren Zeitraum. Dies macht sie zu einer unverzichtbaren Wahl für Waferverarbeitungsanwendungen in der Halbleiterindustrie. Diese Hochleistungs-Graphitplatte mit Siliziumkarbidbeschichtungzeichnet sich durch außergewöhnliche Hitzebeständigkeit, hervorragende thermische Gleichmäßigkeit und hervorragende chemische Stabilität, insbesondere bei hohen Temperaturen, aus. Seine hochreine Konstruktion, gepaart mit hoher Erosionsbeständigkeit, macht es unverzichtbar für anspruchsvolle Umgebungen wieMOCVD-Suszeptoren.
Hauptmerkmale von Graphitschalen, -platten und -abdeckungen mit Siliziumkarbidbeschichtung
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:Hält Temperaturen bis zu 1700 °C stand und ermöglicht so einen zuverlässigen Betrieb auch unter extremen Bedingungen.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit:Für MOCVD-Anwendungen sind eine gleichbleibend hohe Reinheit und eine gleichmäßige Wärmeverteilung entscheidend.
3. Außergewöhnliche Korrosionsbeständigkeit:Beständig gegen Säuren, Laugen, Salze und verschiedene organische Reagenzien, wodurch langfristige Stabilität in unterschiedlichen Umgebungen gewährleistet wird.
4. Hohe Härte und kompakte Oberfläche:Verfügt über eine dichte Oberfläche mit feinen Partikeln, die die allgemeine Haltbarkeit und Verschleißfestigkeit verbessern.
5. Längere Lebensdauer:Auf Langlebigkeit ausgelegt, übertrifft herkömmlicheSiliziumkarbid-beschichtete Graphitsuszeptorenin rauen Umgebungen der Halbleiterverarbeitung.
| Herz-Kreislauf-Erkrankungen SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2 bis 10 μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Die Expertise von VET Energy im Bereich kundenspezifischer Graphit- und Siliziumkarbidlösungen
Als zuverlässiger Hersteller ist VET Energy auf kundenspezifische Graphitsuszeptoren und Siliziumkarbid-Beschichtungslösungen spezialisiert. Wir bieten eine Reihe von Produkten speziell für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie an, darunterSiC-beschichtete Graphitkomponentenwie Tabletts, Teller und Deckel. Unser Produktsortiment umfasst auch verschiedene Beschichtungsmöglichkeiten, wie zum BeispielSiC-Beschichtung für MOCVD, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, und pyrolytische Kohlenstoffbeschichtung, wodurch wir sicherstellen, dass wir die unterschiedlichen Anforderungen der Hightech-Industrie erfüllen.
Unser erfahrenes technisches Team, bestehend aus Experten führender inländischer Forschungseinrichtungen, bietet unseren Kunden umfassende Materiallösungen. Wir verfeinern kontinuierlich unsere fortschrittlichen Prozesse, darunter eine exklusive patentierte Technologie, die die Bindung zwischen der Siliziumkarbidbeschichtung und dem Graphitsubstrat verbessert, das Ablösungsrisiko verringert und die Produktlebensdauer weiter verlängert.
Anwendungen und Vorteile in der Halbleiterfertigung
DerSiliziumkarbid-Beschichtung für MOCVDmacht diese Graphit-Suszeptoren in korrosiven Umgebungen mit hohen Temperaturen hochwirksam. Ob als Graphit-Waferträger oder andere MOCVD-Komponenten eingesetzt, diese Siliziumkarbid-beschichteten Suszeptoren zeichnen sich durch überlegene Haltbarkeit und Leistung aus. Für alle, die zuverlässige Lösungen in derSiC-beschichteter GraphitsuszeptorMarkt bieten die mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitschalen, -platten und -abdeckungen von VET Energy eine robuste und vielseitige Option, die den strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht wird.
Durch die Konzentration auf fortschrittliche Materialwissenschaften ist VET Energy bestrebt, hochleistungsfähige SiC-beschichtete Graphitlösungen bereitzustellen, die Innovationen in der Halbleiterverarbeitung vorantreiben und eine zuverlässige Leistung in allen MOCVD-bezogenen Anwendungen gewährleisten.
VET Energy ist der eigentliche Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung usw. und kann verschiedene kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie liefern.
Unser technisches Team kommt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann Ihnen professionellere Materiallösungen bieten.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um noch fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Bindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.
Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns das weiter besprechen!
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