Energia VETVassoio in grafite con rivestimento in carburo di silicio, Plate e Cover sono progettati per offrire prestazioni di alto livello, garantendo un funzionamento affidabile e costante anche per un utilizzo prolungato, rendendoli una scelta essenziale per le applicazioni di elaborazione di wafer nel settore dei semiconduttori. Questo sistema ad alte prestazioniPiastra in grafite con rivestimento in carburo di siliciovanta un'eccezionale resistenza al calore, una superiore uniformità termica e un'eccellente stabilità chimica, in particolare in condizioni di alta temperatura. La sua struttura ad elevata purezza, unita a un'elevata resistenza all'erosione, lo rende indispensabile per ambienti difficili comeSuscettori MOCVD.
Caratteristiche principali del vassoio, della piastra e del coperchio in grafite con rivestimento in carburo di silicio
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:Resiste a temperature fino a 1700°C, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni estreme.
2. Elevata purezza e uniformità termica:Per le applicazioni MOCVD sono essenziali un'elevata purezza costante e una distribuzione uniforme del calore.
3. Eccezionale resistenza alla corrosione:Resistente ad acidi, alcali, sali e vari reagenti organici, garantendo stabilità a lungo termine in diversi ambienti.
4. Elevata durezza e superficie compatta:Presenta una superficie densa con particelle fini, migliorando la durevolezza complessiva e la resistenza all'usura.
5. Durata di servizio prolungata:Progettato per durare a lungo, superando le prestazioni convenzionalisuscettori in grafite rivestiti in carburo di silicioin ambienti di lavorazione dei semiconduttori difficili.
| malattie cardiovascolari SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 晶体结构 / Struttura cristallina | Fase β FCC多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 tonnellate di carico (carico da 500 g) |
| 晶粒大小 / Granulometria | 2~10μm |
| 纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistenza alla flessione | 415 MPa RT 4 punti |
| 杨氏模量 / Modulo di Young | 430 Gpa 4pt curva, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConduttività | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Espansione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
L'esperienza di VET Energy nelle soluzioni personalizzate in grafite e carburo di silicio
In qualità di produttore affidabile, VET Energy è specializzata in suscettori in grafite e soluzioni di rivestimento in carburo di silicio su misura. Offriamo una gamma di prodotti su misura per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico, tra cuiComponenti in grafite rivestiti in SiCcome vassoi, piatti e coperchi. La nostra gamma di prodotti include anche diverse opzioni di rivestimento, comeRivestimento in SiC per MOCVD, Rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetrosoe rivestimento in carbonio pirolitico, garantendo la soddisfazione delle diverse esigenze delle industrie high-tech.
Il nostro team tecnico esperto, composto da esperti provenienti dai principali istituti di ricerca nazionali, fornisce ai clienti soluzioni complete per i materiali. Perfezioniamo costantemente i nostri processi avanzati, tra cui un'esclusiva tecnologia brevettata che migliora l'adesione tra il rivestimento in carburo di silicio e il substrato di grafite, riducendo il rischio di distacco e prolungando ulteriormente la durata del prodotto.
Applicazioni e vantaggi nella produzione di semiconduttori
ILRivestimento in carburo di silicio per MOCVDrende questi suscettori in grafite altamente efficaci in ambienti corrosivi ad alta temperatura. Che vengano utilizzati come supporti per wafer in grafite o altri componenti MOCVD, questi suscettori rivestiti in carburo di silicio dimostrano durata e prestazioni superiori. Per coloro che cercano soluzioni affidabili nelSuscettore in grafite rivestito in SiCsul mercato, il vassoio, la piastra e la copertura in grafite rivestita in carburo di silicio di VET Energy offrono un'opzione robusta e versatile che soddisfa le rigorose esigenze dell'industria dei semiconduttori.
Concentrandosi sulla scienza dei materiali avanzata, VET Energy si impegna a fornire soluzioni in grafite rivestita in SiC ad alte prestazioni che stimolano l'innovazione nella lavorazione dei semiconduttori e garantiscono prestazioni affidabili in tutte le applicazioni correlate al MOCVD.
VET Energy è il vero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti come rivestimento in SiC, rivestimento in TaC, rivestimento in carbonio vetroso, rivestimento in carbonio pirolitico, ecc., in grado di fornire vari componenti personalizzati per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico.
Il nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali ed è in grado di fornirvi le soluzioni più professionali in materia di materiali.
Sviluppiamo costantemente processi avanzati per fornire materiali ancora più avanzati e abbiamo elaborato una tecnologia brevettata esclusiva in grado di rendere l'adesione tra il rivestimento e il substrato più salda e meno soggetta a distacco.
Vi invitiamo calorosamente a visitare la nostra fabbrica, per approfondire la questione!
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