Energia VETERANAVassoio in grafite con rivestimento in carburo di silicio, Piastra e Coperchio è progettato per offrire prestazioni di alto livello, garantendo un funzionamento affidabile e costante per un utilizzo prolungato, rendendolo una scelta essenziale per le applicazioni di elaborazione dei wafer nell'industria dei semiconduttori. Queste prestazioni elevatePiastra in grafite con rivestimento in carburo di silicioVanta un'eccezionale resistenza al calore, un'uniformità termica superiore e un'eccezionale stabilità chimica, in particolare in condizioni di alta temperatura. La sua costruzione ad elevata purezza, unita all'avanzata resistenza all'erosione, lo rende indispensabile per ambienti esigenti comesuscettibili MOCVD.
Caratteristiche principali del vassoio, della piastra e del coperchio in grafite con rivestimento in carburo di silicio.
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:Resiste a temperature fino a 1700℃, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni estreme.
2. Elevata purezza e uniformità termica:Per le applicazioni MOCVD, un'elevata purezza costante e una distribuzione uniforme del calore sono cruciali.
3. Eccezionale resistenza alla corrosione:Resistente ad acidi, alcali, sali e vari reagenti organici, garantisce stabilità a lungo termine in diversi ambienti.
4. Elevata durezza e superficie compatta:Presenta una superficie densa con particelle fini, che migliorano la durata complessiva e la resistenza all'usura.
5. Durata di servizio prolungata:Progettato per durare a lungo, con prestazioni superiori a quelle convenzionali.suscettori in grafite rivestiti di carburo di silicioin ambienti difficili di lavorazione dei semiconduttori.
| Malattia cardiovascolare SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 晶体结构 / Struttura cristallina | Fase β FCC多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densità | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Durezza | 2500 tonnellate di carico (carico di 500 g) |
| 晶粒大小 / Dimensione del grano | 2~10μm |
| 纯度 / Purezza chimica | 99,99995% |
| 热容 / Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura di sublimazione | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistenza alla flessione | 415 MPa RT 4 punti |
| 杨氏模量 Modulo di Young | 430 GPa piegatura a 4 punti, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConduttività | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
L'esperienza di VET Energy nelle soluzioni personalizzate a base di grafite e carburo di silicio.
In qualità di produttore affidabile, VET Energy è specializzata in suscettori in grafite progettati su misura e soluzioni di rivestimento in carburo di silicio. Offriamo una gamma di prodotti su misura per i settori dei semiconduttori e del fotovoltaico, tra cui:Componenti in grafite rivestiti in SiCcome vassoi, piatti e coperchi. La nostra gamma di prodotti comprende anche diverse opzioni di rivestimento, comeRivestimento in SiC per MOCVD, Rivestimento TaC, rivestimento in carbonio vetrosoe rivestimento in carbonio pirolitico, garantendo così di soddisfare le diverse esigenze delle industrie ad alta tecnologia.
Il nostro team tecnico esperto, composto da specialisti provenienti dai migliori istituti di ricerca nazionali, offre ai clienti soluzioni complete sui materiali. Perfezioniamo costantemente i nostri processi avanzati, tra cui un'esclusiva tecnologia brevettata che migliora l'adesione tra il rivestimento in carburo di silicio e il substrato di grafite, riducendo il rischio di distacco e prolungando ulteriormente la durata del prodotto.
Applicazioni e vantaggi nella produzione di semiconduttori
ILRivestimento in carburo di silicio per MOCVDrende questi suscettori in grafite altamente efficaci in ambienti corrosivi ad alta temperatura. Sia che vengano utilizzati come supporti per wafer di grafite o altri componenti MOCVD, questi suscettori rivestiti in carburo di silicio dimostrano durata e prestazioni superiori. Per coloro che cercano soluzioni affidabili nelSuscettore in grafite rivestito in SiCSul mercato, i vassoi, le piastre e i coperchi in grafite rivestita di carburo di silicio di VET Energy offrono una soluzione robusta e versatile che soddisfa le rigorose esigenze dell'industria dei semiconduttori.
Concentrandosi sulla scienza dei materiali avanzati, VET Energy si impegna a fornire soluzioni di grafite rivestita in SiC ad alte prestazioni che promuovono l'innovazione nella lavorazione dei semiconduttori e garantiscono prestazioni affidabili in tutte le applicazioni correlate alla tecnologia MOCVD.
VET Energy è un produttore affidabile di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con diversi rivestimenti, come rivestimento in SiC, rivestimento in TaC, rivestimento in carbonio vetroso, rivestimento in carbonio pirolitico, ecc., e può fornire vari componenti personalizzati per l'industria dei semiconduttori e del fotovoltaico.
Il nostro team tecnico, composto da professionisti provenienti dai migliori istituti di ricerca nazionali, è in grado di offrirvi soluzioni più professionali in termini di materiali.
Sviluppiamo costantemente processi avanzati per fornire materiali sempre più performanti e abbiamo messo a punto una tecnologia brevettata esclusiva in grado di rendere l'adesione tra il rivestimento e il substrato più forte e meno soggetta al distacco.
Vi diamo un caloroso benvenuto a visitare il nostro stabilimento, saremo lieti di discuterne ulteriormente!
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