Năng lượng VETKhay Graphite phủ Silicon Carbide, Plate, and Cover được thiết kế để mang lại hiệu suất hàng đầu, cung cấp hoạt động đáng tin cậy và nhất quán trong thời gian sử dụng kéo dài, khiến nó trở thành lựa chọn thiết yếu cho các ứng dụng xử lý wafer trong ngành công nghiệp bán dẫn. Hiệu suất cao nàyTấm Graphite phủ Silicon Carbidetự hào có khả năng chịu nhiệt đặc biệt, tính đồng nhất nhiệt vượt trội và độ ổn định hóa học tuyệt vời, đặc biệt là trong điều kiện nhiệt độ cao. Cấu trúc tinh khiết cao, kết hợp với khả năng chống xói mòn tiên tiến, khiến nó trở nên không thể thiếu đối với các môi trường khắc nghiệt nhưNgười dễ bị nhiễm MOCVD.
Các tính năng chính của lớp phủ Silicon Carbide Khay than chì, tấm và nắp
1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:Chịu được nhiệt độ lên tới 1700℃, cho phép hoạt động đáng tin cậy trong điều kiện khắc nghiệt.
2. Độ tinh khiết cao và đồng đều nhiệt:Độ tinh khiết cao và phân phối nhiệt đều là yếu tố quan trọng đối với các ứng dụng MOCVD.
3. Khả năng chống ăn mòn đặc biệt:Chịu được axit, kiềm, muối và nhiều loại thuốc thử hữu cơ, đảm bảo độ ổn định lâu dài trong nhiều môi trường khác nhau.
4. Độ cứng cao và bề mặt nhỏ gọn:Có bề mặt dày đặc với các hạt mịn, cải thiện độ bền tổng thể và khả năng chống mài mòn.
5. Kéo dài tuổi thọ sử dụng:Được thiết kế để có tuổi thọ cao hơn, vượt trội hơn so với thông thườngbộ phận cảm ứng graphite phủ silicon carbidetrong môi trường xử lý chất bán dẫn khắc nghiệt.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Tính chất vật lý cơ bản của CVD SiClớp phủ | |
| 性质 / Tài sản | 典型数值 / Giá trị điển hình |
| 晶体结构 / Cấu trúc tinh thể | Giai đoạn β của FCC多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Tỉ trọng | 3,21g/cm³ |
| 硬度 / Độ cứng | 2500 维氏硬度(tải 500g) |
| 晶粒大小 / Kích thước hạt | 2~10μm |
| 纯度 / Độ tinh khiết hóa học | 99,99995% |
| 热容 / Nhiệt dung | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Nhiệt độ thăng hoa | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Độ bền uốn | 415 MPa RT 4 điểm |
| 杨氏模量 / Môđun Young | 430 Gpa 4pt uốn cong, 1300℃ |
| 导热系数 / NhiệttôiĐộ dẫn điện | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Sự giãn nở vì nhiệt (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Chuyên môn của VET Energy trong các giải pháp Graphite và Silicon Carbide tùy chỉnh
Là một nhà sản xuất đáng tin cậy, VET Energy chuyên về các giải pháp lớp phủ graphite susceptors và silicon carbide được thiết kế riêng. Chúng tôi cung cấp một loạt các sản phẩm được thiết kế riêng cho ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện, bao gồmLinh kiện graphite phủ SiCnhư khay, đĩa và nắp đậy. Dòng sản phẩm của chúng tôi cũng bao gồm nhiều tùy chọn lớp phủ khác nhau, chẳng hạn nhưLớp phủ SiC cho MOCVD, Lớp phủ TaC, lớp phủ carbon thủy tinhvà lớp phủ carbon nhiệt phân, đảm bảo đáp ứng được các nhu cầu khác nhau của các ngành công nghiệp công nghệ cao.
Đội ngũ kỹ thuật giàu kinh nghiệm của chúng tôi, bao gồm các chuyên gia từ các viện nghiên cứu hàng đầu trong nước, cung cấp các giải pháp vật liệu toàn diện cho khách hàng. Chúng tôi liên tục cải tiến các quy trình tiên tiến của mình, bao gồm công nghệ được cấp bằng sáng chế độc quyền giúp tăng cường liên kết giữa lớp phủ silicon carbide và chất nền graphite, giảm nguy cơ bong tróc và kéo dài tuổi thọ của sản phẩm.
Ứng dụng và lợi ích trong sản xuất chất bán dẫn
CácLớp phủ Silicon Carbide cho MOCVDlàm cho các bộ phận tiếp nhận graphite này có hiệu quả cao trong môi trường ăn mòn, nhiệt độ cao. Cho dù được sử dụng làm bộ phận mang wafer graphite hay các thành phần MOCVD khác, các bộ phận tiếp nhận phủ silicon carbide này đều chứng minh được độ bền và hiệu suất vượt trội. Đối với những người tìm kiếm các giải pháp đáng tin cậy trongChất dẫn điện graphite phủ SiCTrên thị trường, khay, tấm và nắp graphite phủ silicon carbide của VET Energy cung cấp một lựa chọn mạnh mẽ và linh hoạt, đáp ứng được nhu cầu khắt khe của ngành công nghiệp bán dẫn.
Bằng cách tập trung vào khoa học vật liệu tiên tiến, VET Energy cam kết cung cấp các giải pháp than chì phủ SiC hiệu suất cao thúc đẩy sự đổi mới trong xử lý chất bán dẫn và đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong mọi ứng dụng liên quan đến MOCVD.
VET Energy là nhà sản xuất thực sự các sản phẩm than chì và silicon carbide tùy chỉnh với nhiều lớp phủ khác nhau như lớp phủ SiC, lớp phủ TaC, lớp phủ carbon thủy tinh, lớp phủ carbon nhiệt phân, v.v., có thể cung cấp nhiều bộ phận tùy chỉnh khác nhau cho ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện.
Đội ngũ kỹ thuật của chúng tôi đến từ các viện nghiên cứu hàng đầu trong nước, có thể cung cấp cho bạn các giải pháp vật liệu chuyên nghiệp hơn.
Chúng tôi liên tục phát triển các quy trình tiên tiến để cung cấp các vật liệu tiên tiến hơn và đã tạo ra một công nghệ độc quyền được cấp bằng sáng chế, có thể làm cho liên kết giữa lớp phủ và chất nền chặt chẽ hơn và ít bị bong tróc hơn.
Chào mừng bạn đến thăm nhà máy của chúng tôi, chúng ta hãy thảo luận thêm!
-
Thuyền CFC composite carbon-carbon phủ CVD SiC...
-
Khuôn đúc composite carbon-carbon phủ CVD sic
-
Tấm composite cacbon-cacbon có lớp phủ SiC
-
Thanh composite cc phủ CVD sic, silicon carbi...
-
Đúc khuôn than chì phủ thuyền
-
ống than chì carbon cường độ cao, mật độ cao...
-
Chất nền graphite phủ silicon carbide cho S...
-
Chất nền/Chất mang Graphite với Silicon Carbi...
-
Lớp phủ Silicon Carbide CVD MOCVD Susceptor
-
Khay phủ lớp phủ Silicon Carbide Graphite và...
-
Ống graphite phủ bề mặt, đồ thị kích thước nhỏ...
-
vòng đệm silicon vòng đệm carbon bơm cơ khí ...
-
Ra mắt sản phẩm mới rotor than chì carbon tại Trung Quốc
-
Vải sợi than hoạt tính, than hoạt tính...







