Haberler

Gözenekli grafitin silisyum karbür kristal büyümesi üzerindeki etkisine ilişkin sayısal simülasyon çalışması
admin tarafından 24-06-18 tarihinde
SiC kristal büyümesinin temel süreci, yüksek sıcaklıkta ham maddelerin süblimleşmesi ve ayrışması, sıcaklık gradyanının etkisi altında gaz fazı maddelerinin taşınması ve tohum kristalinde gaz fazı maddelerinin yeniden kristalleşme büyümesi olarak ikiye ayrılır. Buna dayanarak,...
Devamını oku
Özel Grafit Çeşitleri
admin tarafından 24-06-17 tarihinde
Özel grafit, yüksek saflıkta, yüksek yoğunluklu ve yüksek mukavemetli bir grafit malzemesidir ve mükemmel korozyon direncine, yüksek sıcaklık kararlılığına ve harika elektriksel iletkenliğe sahiptir. Yüksek sıcaklıkta ısıl işlem ve yüksek basınç işlemesinden sonra doğal veya yapay grafitten yapılır...
Devamını oku
İnce film biriktirme ekipmanının analizi – PECVD/LPCVD/ALD ekipmanının prensipleri ve uygulamaları
admin tarafından 24-06-12 tarihinde
İnce film biriktirme, yarı iletkenin ana alt tabaka malzemesi üzerine bir film tabakası kaplamaktır. Bu film, yalıtım bileşiği silisyum dioksit, yarı iletken polisilikon, metal bakır vb. gibi çeşitli malzemelerden yapılabilir. Kaplama için kullanılan ekipmana ince film biriktirme denir...
Devamını oku
Monokristalin silisyum büyümesinin kalitesini belirleyen önemli malzemeler – termal alan
admin tarafından 24-06-12 tarihinde
Monokristalin silisyumun büyüme süreci tamamen termal alanda gerçekleştirilir. İyi bir termal alan, kristallerin kalitesini iyileştirmeye elverişlidir ve daha yüksek bir kristalleşme verimliliğine sahiptir. Termal alanın tasarımı, sıcaklık gradyanlarındaki değişiklikleri büyük ölçüde belirler...
Devamını oku
Silisyum karbür kristal büyütme fırınının teknik zorlukları nelerdir?
admin tarafından 24-06-07 tarihinde
Kristal büyüme fırını, silisyum karbür kristal büyümesi için temel ekipmandır. Geleneksel kristal silisyum sınıfı kristal büyüme fırınına benzer. Fırın yapısı çok karmaşık değildir. Esas olarak fırın gövdesi, ısıtma sistemi, bobin iletim mekanizmasından oluşur...
Devamını oku
Silisyum karbür epitaksiyel tabakasının kusurları nelerdir?
admin tarafından 24-06-05 tarihinde
SiC epitaksiyel malzemelerin büyümesi için çekirdek teknoloji, öncelikle kusur kontrol teknolojisidir, özellikle cihaz arızasına veya güvenilirlik bozulmasına eğilimli kusur kontrol teknolojisi için. Epitaksiyel malzemeye uzanan alt tabaka kusurlarının mekanizmasının incelenmesi...
Devamını oku
Oksitlenmiş ayakta duran tane ve epitaksiyel büyüme teknolojisi-Ⅱ
admin tarafından 24-05-30 tarihinde
2. Epitaksiyel ince film büyümesi Alt tabaka, Ga2O3 güç cihazları için fiziksel bir destek tabakası veya iletken tabaka sağlar. Bir sonraki önemli tabaka, voltaj direnci ve taşıyıcı taşıma için kullanılan kanal tabakası veya epitaksiyel tabakadır. Arıza voltajını artırmak ve kon...
Devamını oku
Galyum oksit tek kristal ve epitaksiyel büyüme teknolojisi
admin tarafından 24-05-30 tarihinde
Silisyum karbür (SiC) ve galyum nitrür (GaN) ile temsil edilen geniş bant aralığı (WBG) yarı iletkenler yaygın ilgi görmüştür. İnsanlar, silisyum karbürün elektrikli araçlar ve elektrik şebekelerindeki uygulama beklentilerinin yanı sıra galyumun uygulama beklentileri konusunda da yüksek beklentilere sahiptir...
Devamını oku
Silisyum karbürün teknik engelleri nelerdir?Ⅱ
admin tarafından 24-05-22 tarihinde
Kararlı performansa sahip yüksek kaliteli silisyum karbür plakaların istikrarlı bir şekilde seri üretiminde karşılaşılan teknik zorluklar şunlardır: 1) Kristallerin 2000°C'nin üzerindeki yüksek sıcaklıktaki kapalı bir ortamda büyümesi gerektiğinden, sıcaklık kontrol gereksinimleri son derece yüksektir; 2) Silisyum karbürün ...
Devamını oku