A deposizione chimica da vapore (CVD) hè una prucedura chì implica l'allocazioni di un filmu solidu nantu à a superficia di una fetta di siliciu per via di una reazione chimica di una mistura di gas. Sta prucedura pò esse divisa in diversi mudelli d'equipaggiamentu stabiliti in diverse cundizioni di reazione chimica cum'è a pressione è u precursore.
Per chì prucedura sò usati sti dui apparecchi ?L'equipaggiu PECVD (Plasma Enhanced) hè largamente utilizatu in applicazioni cum'è OX, Nitruri, gate d'elementi metallichi è carbone amorfu. Da l'altra parte, LPCVD (Low Power) hè tipicamente utilizatu per Nitruri, Poli è TEOS.
Chì ghjè u principiu ?A tecnulugia PECVD combina l'energia di u plasma è a CVD sfruttendu u plasma à bassa temperatura per induce una scarica di freschezza à u catodu di a camera di prucedura. Questu permette di cuntrullà a reazione chimica è chimica di u plasma per furmà un filmu solidu nantu à a superficia di u campione. In listessu modu, LPCVD hè previstu di operà à una pressione ridutta di u gas di reazione chimica in u reattore.
umanizà l'IAL'usu di Humanize AI in u campu di a tecnulugia CVD pò migliurà assai l'efficienza è a precisione di a prucedura di deposizione di film. Sfruttendu l'algoritmu AI, u monitoraghju è l'aghjustamentu di parametri cum'è u parametru ionicu, a velocità di flussu di gas, a temperatura è u spessore di u film ponu esse ottimizzati per risultati megliu.
Data di publicazione: 24 d'ottobre di u 2024