Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Verfahren, bei dem durch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches ein fester Film auf der Oberfläche eines Siliziumwafers abgeschieden wird. Dieses Verfahren kann in verschiedene Gerätemodelle unterteilt werden, die auf unterschiedlichen chemischen Reaktionsbedingungen wie Druck und Vorläufer basieren.
Für welchen Eingriff werden diese beiden Geräte eingesetzt?PECVD-Geräte (Plasma Enhanced) werden häufig für Anwendungen wie OX, Nitrid, metallische Element-Gates und amorphen Kohlenstoff eingesetzt. LPCVD (Low Power) hingegen wird typischerweise für Nitrid, Poly und TEOS verwendet.
Was ist das Prinzip?Die PECVD-Technologie kombiniert Plasmaenergie und CVD durch die Nutzung von Niedertemperaturplasma, um eine Frischluftentladung an der Kathode der Prozesskammer zu induzieren. Dies ermöglicht die Steuerung chemischer und plasmachemischer Reaktionen zur Bildung eines festen Films auf der Probenoberfläche. LPCVD arbeitet analog dazu bei reduziertem Reaktionsgasdruck im Reaktor.
Humanisierung der KIDer Einsatz von Humanize AI im Bereich der CVD-Technologie kann die Effizienz und Genauigkeit des Filmabscheidungsverfahrens erheblich steigern. Durch den Einsatz von KI-Algorithmen können die Überwachung und Anpassung von Parametern wie Ionenparameter, Gasflussrate, Temperatur und Filmdicke für bessere Ergebnisse optimiert werden.
Veröffentlichungszeit: 24. Oktober 2024