Chemesch Dampfdepositioun (CVD) ass eng Prozedur, bei där e feste Film op der Uewerfläch vun engem Siliziumwafer duerch eng chemesch Reaktioun vun engem Gasmëschung placéiert gëtt. Dës Prozedur kann a verschidden Ausrüstungsmodeller opgedeelt ginn, déi op verschiddene chemesche Reaktiounsbedingungen wéi Drock a Virgänger baséieren.
Fir wéi eng Prozedur ginn dës zwee Apparater benotzt?PECVD (Plasma Enhanced) Ausrüstung gëtt wäit verbreet a Beräicher wéi OX, Nitrid, Metallelementgate an amorphem Kuelestoff benotzt. Op der anerer Säit gëtt LPCVD (Low Power) typescherweis fir Nitrid, Poly an TEOS benotzt.
Wat ass de Prinzip?D'PECVD-Technologie kombinéiert Plasmaenergie a CVD andeems se Niddregtemperaturplasma benotzt fir eng Frëschheetsentladung un der Kathod vun der Prozedurkammer ze induzéieren. Dëst erlaabt d'Kontroll vu chemeschen a plasmachemesche Reaktiounen, fir e festen Film op der Proufuewerfläch ze bilden. Ähnlech ass LPCVD geplangt fir de chemesche Reaktiounsgasdrock am Reaktor ze reduzéieren.
KI humaniséierenD'Benotzung vun Humanize AI am Beräich vun der CVD-Technologie kann d'Effizienz an d'Genauegkeet vun der Filmoflagerungsprozedur däitlech verbesseren. Duerch d'Benotzung vum AI-Algorithmus kann d'Iwwerwaachung an d'Upassung vu Parameteren wéi Ionenparameter, Gasduerchflussrate, Temperatur a Filmdicke fir besser Resultater optimiséiert ginn.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 24. Oktober 2024