Chemische dampdepositie (CVD) is een procedure waarbij een vaste film op het oppervlak van een siliciumwafer wordt aangebracht door middel van een chemische reactie van een gasmengsel. Deze procedure kan worden onderverdeeld in diverse apparatuurmodellen die zijn afgestemd op verschillende chemische reactieomstandigheden, zoals druk en precursor.
Waarvoor worden deze twee apparaten gebruikt?PECVD (Plasma Enhanced)-apparatuur wordt veel gebruikt in toepassingen zoals OX, Nitride, Metal Element Gate en amorfe koolstof. LPCVD (Low Power) wordt daarentegen doorgaans gebruikt voor Nitride, Poly en TEOS.
Wat is het principe?PECVD-technologie combineert plasma-energie en CVD door gebruik te maken van plasma met een lage temperatuur om verse ontlading bij de kathode van de proceskamer te induceren. Dit maakt het mogelijk om de chemische en plasmachemische reactie te controleren en een vaste film op het monsteroppervlak te vormen. LPCVD is eveneens van plan om te werken met een lagere druk van het chemische reactiegas in de reactor.
humaniseer AIHet gebruik van Humanize AI in CVD-technologie kan de efficiëntie en nauwkeurigheid van filmdepositie aanzienlijk verbeteren. Door gebruik te maken van AI-algoritmen kunnen parameters zoals ionenparameters, gasstroomsnelheid, temperatuur en filmdikte worden geoptimaliseerd voor betere resultaten.
Plaatsingstijd: 24-10-2024