La deposizione chimica da vapore (CVD) è una procedura che prevede il deposito di una pellicola solida sulla superficie di un wafer di silicio attraverso una reazione chimica di una miscela di gas. Questa procedura può essere suddivisa in diversi modelli di apparecchiature, basati su diverse condizioni di reazione chimica, come pressione e precursore.
Per quale procedura vengono utilizzati questi due dispositivi?Le apparecchiature PECVD (Plasma Enhanced) sono ampiamente utilizzate in applicazioni come OX, nitruri, gate di elementi metallici e carbonio amorfo. D'altra parte, le apparecchiature LPCVD (Low Power) sono tipicamente utilizzate per nitruri, poli e TEOS.
Qual è il principio?La tecnologia PECVD combina l'energia del plasma con la deposizione chimica di vapore (CVD) sfruttando il plasma a bassa temperatura per indurre una scarica di vapore fresco al catodo della camera di processo. Ciò consente di controllare la reazione chimica e plasmatica, formando una pellicola solida sulla superficie del campione. Analogamente, la LPCVD è progettata per operare riducendo la pressione del gas di reazione chimica nel reattore.
umanizzare l'intelligenza artificialeL'utilizzo dell'intelligenza artificiale Humanize nel campo della tecnologia CVD può migliorare notevolmente l'efficienza e l'accuratezza della procedura di deposizione dei film. Sfruttando l'algoritmo di intelligenza artificiale, è possibile ottimizzare il monitoraggio e la regolazione di parametri quali parametri ionici, portata del gas, temperatura e spessore del film per ottenere risultati migliori.
Data di pubblicazione: 24 ottobre 2024