lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một quy trình liên quan đến việc phủ một lớp màng rắn lên bề mặt của một wafer silicon thông qua phản ứng hóa học của hỗn hợp khí. Quy trình này có thể được chia thành nhiều mô hình thiết bị khác nhau được thiết lập trên các điều kiện phản ứng hóa học khác nhau như áp suất và tiền chất.
Hai thiết bị này được sử dụng cho mục đích gì?Thiết bị PECVD (Plasma Enhanced) được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng như OX, Nitride, cổng nguyên tố kim loại và carbon vô định hình. Mặt khác, LPCVD (Công suất thấp) thường được sử dụng cho Nitride, poly và TEOS.
Nguyên tắc là gì?Công nghệ PECVD kết hợp năng lượng plasma và CVD bằng cách khai thác plasma nhiệt độ thấp để tạo ra sự phóng điện tươi mới tại catốt của buồng quy trình. Điều này cho phép kiểm soát phản ứng hóa học và plasma tạo thành một lớp màng rắn trên bề mặt mẫu. Tương tự như vậy, LPCVD có kế hoạch hoạt động ở áp suất khí phản ứng hóa học giảm trong lò phản ứng.
nhân bản hóa AI: Việc sử dụng Humanize AI trong lĩnh vực công nghệ CVD có thể nâng cao đáng kể hiệu quả và độ chính xác của quy trình lắng đọng phim. Bằng cách tận dụng thuật toán AI, việc giám sát và điều chỉnh các thông số như thông số ion, lưu lượng khí, nhiệt độ và độ dày phim có thể được tối ưu hóa để có kết quả tốt hơn.
Thời gian đăng: 24-10-2024