Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé qui consiste à déposer un film solide à la surface d'une plaquette de silicium par réaction chimique d'un mélange gazeux. Ce procédé peut être divisé en plusieurs modèles d'équipements établis en fonction de différentes conditions de réaction chimique, telles que la pression et le précurseur.
A quelle procédure servent ces deux appareils ?L'équipement PECVD (Plasma Enhanced) est largement utilisé dans des applications telles que l'oxydation, le nitrure, les grilles métalliques et le carbone amorphe. Le LPCVD (Low Power) est quant à lui généralement utilisé pour le nitrure, le poly(oxyde de titane) et le TEOS.
Quel est le principe ?La technologie PECVD combine l'énergie du plasma et le CVD en exploitant le plasma basse température pour induire une décharge de chaleur à la cathode de la chambre de traitement. Cela permet de contrôler la réaction chimique et plasmatique afin de former un film solide à la surface de l'échantillon. De même, le LPCVD est conçu pour fonctionner à une pression réduite du gaz de réaction chimique dans le réacteur.
humaniser l'IAL'utilisation de l'IA d'Humanize dans le domaine de la technologie CVD peut considérablement améliorer l'efficacité et la précision du dépôt de films. Grâce à l'algorithme d'IA, la surveillance et l'ajustement de paramètres tels que les paramètres ioniques, le débit de gaz, la température et l'épaisseur du film peuvent être optimisés pour de meilleurs résultats.
Date de publication : 24 octobre 2024