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Numerische Simulationsstudie zum Einfluss von porösem Graphit auf das Kristallwachstum von Siliziumkarbid
Der grundlegende Prozess des SiC-Kristallwachstums gliedert sich in die Sublimation und Zersetzung von Rohstoffen bei hohen Temperaturen, den Transport von Gasphasensubstanzen unter Einwirkung eines Temperaturgradienten und das Rekristallisationswachstum von Gasphasensubstanzen am Impfkristall. Darauf basierend...Mehr lesen -
Arten von Spezialgraphit
Spezialgraphit ist ein hochreiner, dichter und hochfester Graphitwerkstoff mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit, hoher Temperaturstabilität und hoher elektrischer Leitfähigkeit. Er wird aus natürlichem oder künstlichem Graphit nach Hochtemperatur-Wärmebehandlung und Hochdruckverarbeitung hergestellt.Mehr lesen -
Analyse von Dünnschichtabscheidungsgeräten – Prinzipien und Anwendungen von PECVD/LPCVD/ALD-Geräten
Bei der Dünnschichtabscheidung wird eine Schicht auf das Hauptsubstratmaterial des Halbleiters aufgebracht. Diese Schicht kann aus verschiedenen Materialien bestehen, wie z. B. isolierendem Siliziumdioxid, Halbleiterpolysilizium, metallischem Kupfer usw. Die zur Beschichtung verwendete Anlage wird als Dünnschichtabscheidung bezeichnet.Mehr lesen -
Wichtige Materialien, die die Qualität des monokristallinen Siliziumwachstums bestimmen – thermisches Feld
Der Wachstumsprozess von monokristallinem Silizium erfolgt vollständig im thermischen Feld. Ein gutes thermisches Feld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität bei und erhöht die Kristallisationseffizienz. Die Gestaltung des thermischen Feldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen der Temperaturgradienten.Mehr lesen -
Welche technischen Schwierigkeiten gibt es bei Siliziumkarbid-Kristallzüchtungsöfen?
Der Kristallwachstumsofen ist das Kerngerät für das Wachstum von Siliziumkarbidkristallen. Er ähnelt dem herkömmlichen Kristallwachstumsofen für kristallines Silizium. Der Ofenaufbau ist unkompliziert. Er besteht hauptsächlich aus Ofenkörper, Heizsystem und Spulenübertragungsmechanismus.Mehr lesen -
Was sind die Defekte der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht
Die Kerntechnologie für das Wachstum epitaktischer SiC-Materialien ist zunächst die Defektkontrolle, insbesondere bei Defekten, die anfällig für Geräteausfälle oder Zuverlässigkeitsverluste sind. Die Untersuchung des Mechanismus von Substratdefekten, die sich in die Epitaxie ausbreiten, ist...Mehr lesen -
Oxidierte stehende Korn- und epitaktische Wachstumstechnologie - Ⅱ
2. Epitaktisches Dünnschichtwachstum. Das Substrat dient als physikalische Trägerschicht oder leitfähige Schicht für Ga2O3-Leistungsbauelemente. Die nächste wichtige Schicht ist die Kanalschicht oder Epitaxieschicht, die für Spannungsbeständigkeit und Ladungsträgertransport dient. Um die Durchbruchspannung zu erhöhen und die Konstanz zu minimieren...Mehr lesen -
Galliumoxid-Einkristall und epitaktische Wachstumstechnologie
Halbleiter mit großer Bandlücke (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) erfreuen sich großer Beliebtheit. Die Erwartungen an die Anwendungsmöglichkeiten von Siliziumkarbid in Elektrofahrzeugen und Stromnetzen sowie an die Anwendungsmöglichkeiten von Gallium sind hoch.Mehr lesen -
Welche technischen Hindernisse gibt es für Siliziumkarbid?Ⅱ
Zu den technischen Schwierigkeiten bei der stabilen Massenproduktion hochwertiger Siliziumkarbid-Wafer mit stabiler Leistung gehören: 1) Da Kristalle in einer abgedichteten Hochtemperaturumgebung über 2000 °C wachsen müssen, sind die Anforderungen an die Temperaturregelung extrem hoch; 2) Da Siliziumkarbid ...Mehr lesen
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