સમાચાર

સિલિકોન કાર્બાઇડ સ્ફટિક વૃદ્ધિ પર છિદ્રાળુ ગ્રેફાઇટની અસર પર સંખ્યાત્મક સિમ્યુલેશન અભ્યાસ
એડમિન દ્વારા 24-06-18 ના રોજ
SiC સ્ફટિક વૃદ્ધિની મૂળભૂત પ્રક્રિયાને ઉચ્ચ તાપમાને કાચા માલના ઉત્કર્ષ અને વિઘટન, તાપમાન ઢાળની ક્રિયા હેઠળ ગેસ તબક્કાના પદાર્થોનું પરિવહન અને બીજ સ્ફટિક પર ગેસ તબક્કાના પદાર્થોના પુનઃસ્ફટિકીકરણ વૃદ્ધિમાં વિભાજિત કરવામાં આવે છે. આના આધારે,...
વધુ વાંચો
ખાસ ગ્રેફાઇટના પ્રકારો
એડમિન દ્વારા 24-06-17 ના રોજ
ખાસ ગ્રેફાઇટ એ ઉચ્ચ શુદ્ધતા, ઉચ્ચ ઘનતા અને ઉચ્ચ શક્તિવાળી ગ્રેફાઇટ સામગ્રી છે અને તેમાં ઉત્તમ કાટ પ્રતિકાર, ઉચ્ચ તાપમાન સ્થિરતા અને મહાન વિદ્યુત વાહકતા છે. તે ઉચ્ચ તાપમાન ગરમીની સારવાર અને ઉચ્ચ દબાણ પ્રક્રિયા પછી કુદરતી અથવા કૃત્રિમ ગ્રેફાઇટથી બનેલું છે...
વધુ વાંચો
પાતળા ફિલ્મ ડિપોઝિશન સાધનોનું વિશ્લેષણ - PECVD/LPCVD/ALD સાધનોના સિદ્ધાંતો અને ઉપયોગો
એડમિન દ્વારા 24-06-12 ના રોજ
પાતળી ફિલ્મ ડિપોઝિશન એટલે સેમિકન્ડક્ટરના મુખ્ય સબસ્ટ્રેટ મટિરિયલ પર ફિલ્મના સ્તરને કોટ કરવું. આ ફિલ્મ વિવિધ સામગ્રીઓથી બનાવી શકાય છે, જેમ કે ઇન્સ્યુલેટીંગ કમ્પાઉન્ડ સિલિકોન ડાયોક્સાઇડ, સેમિકન્ડક્ટર પોલિસિલિકોન, મેટલ કોપર, વગેરે. કોટિંગ માટે વપરાતા સાધનોને પાતળી ફિલ્મ ડિપોઝિશન કહેવામાં આવે છે...
વધુ વાંચો
મોનોક્રિસ્ટલાઇન સિલિકોન વૃદ્ધિની ગુણવત્તા નક્કી કરતી મહત્વપૂર્ણ સામગ્રી - થર્મલ ક્ષેત્ર
એડમિન દ્વારા 24-06-12 ના રોજ
મોનોક્રિસ્ટલાઇન સિલિકોનની વૃદ્ધિ પ્રક્રિયા સંપૂર્ણપણે થર્મલ ક્ષેત્રમાં થાય છે. સારું થર્મલ ક્ષેત્ર સ્ફટિકોની ગુણવત્તા સુધારવા માટે અનુકૂળ છે અને તેની સ્ફટિકીકરણ કાર્યક્ષમતા વધુ હોય છે. થર્મલ ક્ષેત્રની ડિઝાઇન મોટાભાગે તાપમાનના ગ્રેડિયન્ટમાં થતા ફેરફારો નક્કી કરે છે...
વધુ વાંચો
સિલિકોન કાર્બાઇડ ક્રિસ્ટલ ગ્રોથ ફર્નેસની ટેકનિકલ મુશ્કેલીઓ શું છે?
એડમિન દ્વારા 24-06-07 ના રોજ
સિલિકોન કાર્બાઇડ ક્રિસ્ટલ ગ્રોથ માટે ક્રિસ્ટલ ગ્રોથ ફર્નેસ મુખ્ય સાધન છે. તે પરંપરાગત ક્રિસ્ટલાઇન સિલિકોન ગ્રેડ ક્રિસ્ટલ ગ્રોથ ફર્નેસ જેવું જ છે. ફર્નેસનું માળખું ખૂબ જટિલ નથી. તે મુખ્યત્વે ફર્નેસ બોડી, હીટિંગ સિસ્ટમ, કોઇલ ટ્રાન્સમિશન મિકેનિઝમથી બનેલું છે...
વધુ વાંચો
સિલિકોન કાર્બાઇડ એપિટેક્સિયલ સ્તરમાં શું ખામીઓ છે?
એડમિન દ્વારા 24-06-05 ના રોજ
SiC એપિટેક્સિયલ સામગ્રીના વિકાસ માટેની મુખ્ય તકનીક સૌ પ્રથમ ખામી નિયંત્રણ તકનીક છે, ખાસ કરીને ખામી નિયંત્રણ તકનીક માટે જે ઉપકરણની નિષ્ફળતા અથવા વિશ્વસનીયતામાં ઘટાડો થવાની સંભાવના ધરાવે છે. એપિમાં વિસ્તરેલા સબસ્ટ્રેટ ખામીઓની પદ્ધતિનો અભ્યાસ...
વધુ વાંચો
ઓક્સિડાઇઝ્ડ સ્ટેન્ડિંગ અનાજ અને એપિટેક્સિયલ ગ્રોથ ટેકનોલોજી-Ⅱ
એડમિન દ્વારા 24-05-30 ના રોજ
2. એપિટેક્સિયલ પાતળી ફિલ્મ વૃદ્ધિ સબસ્ટ્રેટ Ga2O3 પાવર ઉપકરણો માટે ભૌતિક સપોર્ટ સ્તર અથવા વાહક સ્તર પૂરો પાડે છે. આગળનું મહત્વપૂર્ણ સ્તર ચેનલ સ્તર અથવા એપિટેક્સિયલ સ્તર છે જેનો ઉપયોગ વોલ્ટેજ પ્રતિકાર અને વાહક પરિવહન માટે થાય છે. બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ વધારવા અને કોન ઘટાડવા માટે...
વધુ વાંચો
ગેલિયમ ઓક્સાઇડ સિંગલ ક્રિસ્ટલ અને એપિટેક્સિયલ ગ્રોથ ટેકનોલોજી
એડમિન દ્વારા 24-05-30 ના રોજ
સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) અને ગેલિયમ નાઇટ્રાઇડ (GaN) દ્વારા રજૂ કરાયેલા વાઇડ બેન્ડગેપ (WBG) સેમિકન્ડક્ટર્સે વ્યાપક ધ્યાન મેળવ્યું છે. ઇલેક્ટ્રિક વાહનો અને પાવર ગ્રીડમાં સિલિકોન કાર્બાઇડના ઉપયોગની સંભાવનાઓ તેમજ ગેલિયમના ઉપયોગની સંભાવનાઓ માટે લોકોને ઉચ્ચ અપેક્ષાઓ છે...
વધુ વાંચો
સિલિકોન કાર્બાઇડ માટે ટેકનિકલ અવરોધો શું છે?Ⅱ
એડમિન દ્વારા 24-05-22 ના રોજ
સ્થિર કામગીરી સાથે ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા સિલિકોન કાર્બાઇડ વેફરનું સ્થિર રીતે મોટા પ્રમાણમાં ઉત્પાદન કરવામાં તકનીકી મુશ્કેલીઓમાં શામેલ છે: 1) સ્ફટિકોને 2000°C થી ઉપરના ઉચ્ચ-તાપમાન સીલબંધ વાતાવરણમાં વધવાની જરૂર હોવાથી, તાપમાન નિયંત્રણ આવશ્યકતાઓ અત્યંત ઊંચી છે; 2) સિલિકોન કાર્બાઇડમાં ... હોવાથી.
વધુ વાંચો