He aha te CVD SiC Coating?
Ko te whakangao kohu matū (CVD) he tukanga whakangao korehau e whakamahia ana hei whakaputa i nga rawa totoka tino parakore. He maha nga wa e whakamahia ana tenei mahi i roto i te mara hangahanga semiconductor hei hanga i nga kiriata kikokore ki te mata o te angiangi. I roto i te whakaritenga o te carbide silicon ma te CVD, ka kitea te tïpako ki tetahi, neke atu ranei o nga kaitapa kawa, ka tauhohe matū ki runga i te mata o te tïpako ki te whakatakoto i nga putunga carbide silicon e hiahiatia ana. I roto i te maha o nga tikanga mo te whakarite rauemi carbide silicon, ko nga hua kua mahia e te waipara matū he nui ake te rite me te ma, a he kaha te mana whakahaere o tenei tikanga. Ko nga rauemi carbide silicon CVD he huinga ahurei o nga taonga waiariki, hiko me te matū tino pai, e tino pai ana mo te whakamahi i roto i te ahumahi semiconductor e hiahiatia ana nga rauemi mahi teitei. Ko nga waahanga carbide silicon CVD e whakamahia nuitia ana i roto i nga taputapu tarai, taputapu MOCVD, taputapu epitaxial Si me nga taputapu epitaxial SiC, taputapu tukatuka waiariki tere me etahi atu mara.
Ko tenei tuhinga e aro ana ki te tātari i te kounga o nga kiriata angiangi i whakatipuria i nga wera o te tukanga i te wa o te whakariteKo te paninga CVD SiC, kia rite ki te whiriwhiri i te pāmahana tukanga tino tika. Ka whakamahia e te whakamatautau te graphite hei tïpako me te trichloromethylsilane (MTS) hei hau puna tauhohenga. Ko te paninga SiC ka tukuna e te tukanga CVD pehanga-iti, me te micromorphology o teKo te paninga CVD SiCka kitea ma te karapa irahiko moroiti hei tātari i tona kiato hanganga.
Na te mea he tiketike rawa te pāmahana mata o te tïpako kauwhata, ka whakakorehia te hau takawaenga ka tukuna mai i te mata tïpako, ka mutu ko te C me te Si e toe ana i te mata tïpako ka hanga i te wahanga totoka SiC hei hanga paninga SiC. E ai ki te tukanga tipu CVD-SiC i runga ake nei, ka kitea ka pa te pawera ki te whakamaaramatanga o te hau, te pirau o WhM, te hanganga o nga rūrūtia me te whakaheke me te tukunga o te hau takawaenga, na reira ka whai waahi nui te pāmahana waipara ki te morphology o te paninga SiC. Ko te ahua moroiti o te paninga ko te whakaaturanga tino mohio o te kiato o te paninga. Na reira, he mea tika ki te ako i te paanga o nga rereke rereke o te pāmahana waipara i runga i te moroiti moroiti o te paninga CVD SiC. I te mea ka taea e WhM te pirau me te whakatakoto i te paninga SiC i waenga i te 900~1600 ℃, ka tohua e tenei whakamatautau e rima nga pāmahana whakahekenga o te 900 ℃, 1000 ℃, 1100 ℃, 1200 ℃ me te 1300 ℃ mo te whakarite i te paninga SiC ki te ako i te paanga o te pāmahana ki te paninga CVD-SiC. Ko nga tawhā motuhake e whakaatuhia ana i te Ripanga 3. Ko te Whakaahua 2 e whakaatu ana i te ahua moroiti o te paninga CVD-SiC i whakatipuhia i nga rereke rereke o te pāmahana.
Ina 900 ℃ te pāmahana waipara, ka tipu katoa te SiC ki te hanga muka. Ka kitea ko te diameter o te muka kotahi he 3.5μm, a ko te ahua o te ahua kei te 3 (<10). I tua atu, he maha nga matūriki nano-SiC i tito, no reira no te hanganga polycrystalline SiC, he rereke mai i nga miihini SiC tuku iho me nga paihikara SiC kotahi-kiriata. Ko tenei SiC kaiota he koha hanganga na nga tawhā o te tukanga koretake. Ka kitea ko te hanganga o tenei paninga SiC he ahua ngawari, he nui nga pores i waenga i te SiC fibrous, he iti rawa te kiato. Na reira, kaore tenei pāmahana e pai mo te whakarite i nga paninga SiC matotoru. I te nuinga o te wa, na te iti rawa o te paohana o te whakatakotoranga o te SiC. I te iti o te mahana, he iti te kaha o nga ngota ngota iti e uru ana ki te mata o te tïpako me te ngoikore o te kaha o te heke. Na reira, ka heke nga ngota ngota iti ka tipu ki te iti rawa o te mata o nga karepe SiC (penei i te pito o te witi). Ko te tipu haere tonu o te ahunga ka puta he kohatanga hanganga SiC.
Te Whakaritenga o te Whakakikorua CVD SiC:
Tuatahi, ka whakanohoia te taputapu kauwhata ki roto i te oumu korehau teitei, ka pupuri i te 1500 ℃ mo te 1h i roto i te hau Ar mo te tango pungarehu. Na ka tapahia te poraka graphite ki roto i te poraka o te 15x15x5mm, ka whakakoihia te mata o te poraka graphite ki te kirikiri 1200-mesh ki te whakakore i nga pores o te mata e pa ana ki te waahi o te SiC. Ka horoia te paraka graphite ki te waiwaro anhydrous me te wai makuku, ka maka ki roto i te oumu i te 100 ℃ mo te whakamaroke. Ka mutu, ka tuuhia te tïpako kauwhata ki roto i te rohe pāmahana matua o te oumu tubular mo te waipara SiC. E whakaatuhia ana te hoahoa hoahoa o te punaha whakaheke kohu matū i te Whakaahua 1.
Ko teKo te paninga CVD SiCi kitea ma te matawai karuiti irahiko hei tātari i te rahi o te matūriki me te kiato. I tua atu, ko te reiti waipara o te paninga SiC i tatauhia kia rite ki te tauira i raro nei: VSiC=(m2-m1)/(Sxt)x100% VSiC=Reiti Whakapae; m2–papatipu o te tauira paninga (mg); m1–papatipu o te tïpako (mg); S-mata rohe o te tïpako (mm2); t-te wa tukunga (h). He tino uaua te CVD-SiC, a ka taea te whakarapopoto i te mahi penei: i te teitei o te mahana, ka pangia e WhM te waiariki hei hanga i te puna waro me te puna hika ngota ngota iti. Ko te puna waro ngota ngota iti te nuinga kei roto ko CH3, C2H2 me C2H4, me te puna silicon nga ngota ngota iti ko te nuinga ko SiCI2, SiCI3, me etahi atu; Ko enei puna waro me te puna silicon nga ngota iti ka haria ki te mata o te tïpako kauwhata e te hau kawe me te hau diluent, katahi ka uru enei ngota iti ki runga i te mata o te tïpako i roto i te ahua o te adsorption, katahi ka puta nga tauhohenga matū i waenga i nga ngota ngota iti ki te hanga i nga riipene iti ka tipu haere te tipu, ka tipu ano hoki nga rūpahu o te rūpahu, ka tipu ano hoki nga rūpahu o te tauhohenga. nga hua o waenga (HCl hau); Ka piki te pāmahana ki te 1000 ℃, ka tino pai ake te kiato o te paninga SiC. Ka kitea ko te nuinga o te paninga he karepe SiC (mo te 4μm te rahi), engari ka kitea ano etahi kohakore SiC kiko, e whakaatu ana kei te tipu tonu te ahunga o te SiC i tenei pāmahana, a, kaore ano kia tino kiko te paninga. Ka piki ake te pāmahana ki te 1100 ℃, ka kitea he tino mātotoru te paninga SiC, kua ngaro rawa atu nga hapa SiC kiko. Ko te paninga kei te matūriki SiC te ahua o te maturuturunga iho me te diameter o te 5~10μm, e piri ana. He tino taratara te mata o nga matūriki. He maha nga kakano SiC tauine nano. Ko te tikanga, ko te tukanga tipu CVD-SiC i te 1100 ℃ kua riro te mana whakawhiti papatipu. Ko nga ngota ngota iti ka uru ki te mata o te tïpako he rawaka te kaha me te wa ki te hanga karihi me te tipu ki nga karepe SiC. Ko nga kakano SiC he rite tonu te hanga i nga rūrūtia nui. I raro i te mahi a te kaha o te mata, he porowhita te nuinga o nga rūrūtia, ā, ka honoa ngā rūrūtia ki te hanga i tētahi paninga SiC mātotoru. Ka piki te pāmahana ki te 1200 ℃, he mātotoru hoki te paninga SiC, engari ka huri te ahua o te SiC ki nga hiwi-maha, ka ahua taratara ake te mata o te paninga. Ka piki te pāmahana ki te 1300 ℃, he maha nga matūriki porowhita auau me te diameter o te 3μm ka kitea i runga i te mata o te taputapu kauwhata. Ko tenei na te mea i tenei pāmahana, kua huri a SiC ki te wahanga karihi hau, a he tere rawa te reiti whakapohehe o WhM. Kua tauhohe nga ngota ngota iti me te karihi ki te hanga i nga karepe SiC i mua i te whakauru ki runga i te mata tïpako. I muri i te hanga o nga kakano matūriki porowhita, ka taka ki raro, ka hua mai he paninga matūriki SiC wetekina he iti te kiato. Maamaa, kaore e taea te whakamahi i te 1300 ℃ hei pāmahana hanga o te paninga SiC mātotoru. Ko te whakatairite matawhānui e whakaatu ana mena ka whakaritea he paninga SiC kiato, ko te 1100 ℃ te paemahana whakamahana CVD tino pai.
Ko te Whakaaturanga 3 e whakaatu ana i te tere o te whakahekenga o nga paninga CVD SiC i nga rereke rereke rereke. I te pikinga o te pāmahana waipara, ka heke haere te reiti o te paninga SiC. Ko te 0.352 mg·h-1/mm2 te tere o te whakahekenga i te 900°C, a, ko te ahunga whakamua o nga muka ka arahi ki te tere o te whakahekenga. Ko te reiti waipara o te paninga ki te kiato teitei ko 0.179 mg·h-1/mm2. Na te whakahekenga o etahi matūriki SiC, ko te reiti whakaheke i te 1300°C te iti rawa, ko te 0.027 mg·h-1/mm2 anake. Whakamutunga: Ko te 1100 ℃ te paemahana whakamahana CVD pai rawa atu. Ko te iti o te pāmahana e whakatairanga ana i te tipu ahunga o te SiC, ko te teitei o te pāmahana ka puta te SiC ki te whakaputa kohu kohu ka hua ki te paninga iti. Ki te piki o te pāmahana waipara, te reiti waipara oKo te paninga CVD SiCka heke haere.
Te wa tuku: Mei-26-2025