बातम्या

सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल वाढीवर सच्छिद्र ग्रेफाइटच्या परिणामाचा संख्यात्मक सिम्युलेशन अभ्यास
२४-०६-१८ रोजी प्रशासकाद्वारे
SiC क्रिस्टल वाढीची मूलभूत प्रक्रिया उच्च तापमानात कच्च्या मालाचे उदात्तीकरण आणि विघटन, तापमान ग्रेडियंटच्या कृती अंतर्गत वायू टप्प्यातील पदार्थांचे वाहतूक आणि बियाणे क्रिस्टलवर वायू टप्प्यातील पदार्थांचे पुनर्क्रिस्टलायझेशन वाढ यामध्ये विभागली गेली आहे. याच्या आधारे,...
अधिक वाचा
विशेष ग्रेफाइटचे प्रकार
२४-०६-१७ रोजी प्रशासकाद्वारे
विशेष ग्रेफाइट हे उच्च शुद्धता, उच्च घनता आणि उच्च शक्ती असलेले ग्रेफाइट साहित्य आहे आणि त्यात उत्कृष्ट गंज प्रतिकार, उच्च तापमान स्थिरता आणि उत्तम विद्युत चालकता आहे. उच्च तापमान उष्णता उपचार आणि उच्च दाब प्रक्रियेनंतर ते नैसर्गिक किंवा कृत्रिम ग्रेफाइटपासून बनवले जाते...
अधिक वाचा
पातळ फिल्म डिपॉझिशन उपकरणांचे विश्लेषण - PECVD/LPCVD/ALD उपकरणांची तत्त्वे आणि अनुप्रयोग
२४-०६-१२ रोजी प्रशासकाद्वारे
पातळ फिल्म डिपॉझिशन म्हणजे अर्धवाहकाच्या मुख्य सब्सट्रेट मटेरियलवर फिल्मचा थर लावणे. ही फिल्म इन्सुलेट कंपाऊंड सिलिकॉन डायऑक्साइड, अर्धवाहक पॉलिसिलिकॉन, धातूचा तांबे इत्यादी विविध पदार्थांपासून बनवता येते. कोटिंगसाठी वापरल्या जाणाऱ्या उपकरणांना पातळ फिल्म डिपॉझिशन म्हणतात...
अधिक वाचा
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वाढीची गुणवत्ता निश्चित करणारे महत्त्वाचे साहित्य - थर्मल फील्ड
२४-०६-१२ रोजी प्रशासकाद्वारे
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉनची वाढ प्रक्रिया पूर्णपणे थर्मल फील्डमध्ये पार पडते. चांगले थर्मल फील्ड क्रिस्टल्सची गुणवत्ता सुधारण्यास अनुकूल असते आणि त्याची क्रिस्टलायझेशन कार्यक्षमता जास्त असते. थर्मल फील्डची रचना मोठ्या प्रमाणात तापमान ग्रेडियंटमधील बदल निश्चित करते...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेसच्या तांत्रिक अडचणी काय आहेत?
२४-०६-०७ रोजी प्रशासकाद्वारे
क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस हे सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथसाठी मुख्य उपकरण आहे. ते पारंपारिक क्रिस्टलाइन सिलिकॉन ग्रेड क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेससारखेच आहे. फर्नेसची रचना फारशी क्लिष्ट नाही. ती प्रामुख्याने फर्नेस बॉडी, हीटिंग सिस्टम, कॉइल ट्रान्समिशन मेकॅनिझमने बनलेली असते...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल लेयरचे दोष काय आहेत?
२४-०६-०५ रोजी प्रशासकाद्वारे
SiC एपिटॅक्सियल मटेरियलच्या वाढीसाठी मुख्य तंत्रज्ञान म्हणजे प्रथम दोष नियंत्रण तंत्रज्ञान, विशेषत: दोष नियंत्रण तंत्रज्ञानासाठी जे उपकरणाच्या बिघाडाची किंवा विश्वासार्हतेची हानी होण्याची शक्यता असते. एपि... मध्ये विस्तारलेल्या सब्सट्रेट दोषांच्या यंत्रणेचा अभ्यास.
अधिक वाचा
ऑक्सिडाइज्ड स्टँडिंग ग्रेन आणि एपिटॅक्सियल ग्रोथ टेक्नॉलॉजी-Ⅱ
२४-०५-३० रोजी प्रशासकाद्वारे
२. एपिटॅक्सियल पातळ फिल्म वाढ सब्सट्रेट Ga2O3 पॉवर उपकरणांसाठी एक भौतिक आधार स्तर किंवा वाहक स्तर प्रदान करतो. पुढील महत्त्वाचा स्तर म्हणजे चॅनेल स्तर किंवा एपिटॅक्सियल स्तर जो व्होल्टेज प्रतिरोध आणि वाहक वाहतुकीसाठी वापरला जातो. ब्रेकडाउन व्होल्टेज वाढवण्यासाठी आणि खंड कमी करण्यासाठी...
अधिक वाचा
गॅलियम ऑक्साईड सिंगल क्रिस्टल आणि एपिटॅक्सियल ग्रोथ तंत्रज्ञान
२४-०५-३० रोजी प्रशासकाद्वारे
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) आणि गॅलियम नायट्राइड (GaN) द्वारे दर्शविलेले वाइड बँडगॅप (WBG) सेमीकंडक्टर व्यापक लक्ष वेधून घेत आहेत. इलेक्ट्रिक वाहने आणि पॉवर ग्रिडमध्ये सिलिकॉन कार्बाइडच्या वापराच्या संभाव्यतेबद्दल तसेच गॅलियमच्या वापराच्या संभाव्यतेबद्दल लोकांना खूप अपेक्षा आहेत...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइडमध्ये कोणते तांत्रिक अडथळे आहेत?Ⅱ
२४-०५-२२ रोजी प्रशासकाद्वारे
स्थिर कामगिरीसह स्थिरपणे मोठ्या प्रमाणात उत्पादन करणाऱ्या उच्च-गुणवत्तेच्या सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्समध्ये तांत्रिक अडचणी येतात: १) २०००°C पेक्षा जास्त तापमान असलेल्या सीलबंद वातावरणात क्रिस्टल्स वाढण्याची आवश्यकता असल्याने, तापमान नियंत्रण आवश्यकता अत्यंत जास्त आहेत; २) सिलिकॉन कार्बाइडमध्ये ... असल्याने.
अधिक वाचा