riscaldatore con rivestimento ceramico in carburo di silicio

Breve descrizione:

Vet-China, produttore e fornitore professionale di rivestimenti ceramici al carburo di silicio in Cina, offre prodotti ampiamente utilizzati su componenti chiave delle apparecchiature per la produzione di semiconduttori, soprattutto nei processi CVD e PECVD. Vet-China è specializzata nella produzione e fornitura di rivestimenti ceramici al carburo di silicio ad alte prestazioni e si impegna a fornire soluzioni tecnologiche e di prodotto all'avanguardia per l'industria dei semiconduttori. Non esitate a contattarci per qualsiasi informazione.


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Veterinario-CinaCeramica al carburo di silicioIl rivestimento è un rivestimento protettivo ad alte prestazioni realizzato in materiale estremamente duro e resistente all'usura.carburo di silicio (SiC)materiale che offre un'eccellente resistenza alla corrosione chimica e stabilità alle alte temperature. Queste caratteristiche sono cruciali nella produzione di semiconduttori, quindiRivestimento ceramico al carburo di silicioè ampiamente utilizzato nei componenti chiave delle apparecchiature per la produzione di semiconduttori.

Il ruolo specifico di Vet-ChinaCeramica al carburo di silicioIl processo di rivestimento nella produzione di semiconduttori è il seguente:

Migliorare la durata delle apparecchiature:Il rivestimento ceramico al carburo di silicio offre un'eccellente protezione superficiale per le apparecchiature di produzione di semiconduttori grazie alla sua elevatissima durezza e resistenza all'usura. In particolare, in ambienti di processo ad alta temperatura e altamente corrosivi, come la deposizione chimica da fase vapore (CVD) e l'incisione al plasma, il rivestimento può prevenire efficacemente i danni alla superficie delle apparecchiature causati dall'erosione chimica o dall'usura fisica, prolungando significativamente la durata utile delle apparecchiature e riducendo i tempi di inattività dovuti a frequenti sostituzioni e riparazioni.

Migliorare la purezza del processo:Nel processo di produzione dei semiconduttori, anche minime contaminazioni possono causare difetti nel prodotto. L'inerzia chimica del rivestimento ceramico in carburo di silicio gli consente di rimanere stabile in condizioni estreme, impedendo il rilascio di particelle o impurità e garantendo così la purezza ambientale del processo. Ciò è particolarmente importante per le fasi di produzione che richiedono elevata precisione e pulizia, come la deposizione chimica da fase vapore assistita da plasma (PECVD) e l'impiantazione ionica.

Ottimizzare la gestione termica:Nei processi di lavorazione dei semiconduttori ad alta temperatura, come il trattamento termico rapido (RTP) e i processi di ossidazione, l'elevata conduttività termica del rivestimento ceramico in carburo di silicio consente una distribuzione uniforme della temperatura all'interno dell'apparecchiatura. Ciò contribuisce a ridurre le sollecitazioni termiche e le deformazioni del materiale causate dalle fluttuazioni di temperatura, migliorando così la precisione e la uniformità della produzione.

Supporto per ambienti di processo complessi:Nei processi che richiedono un controllo complesso dell'atmosfera, come i processi di incisione ICP e PSS, la stabilità e la resistenza all'ossidazione del rivestimento ceramico in carburo di silicio garantiscono che l'apparecchiatura mantenga prestazioni stabili nel lungo periodo, riducendo il rischio di degrado del materiale o danni all'apparecchiatura dovuti a variazioni ambientali.

rivestimento ceramico in carburo di silicio
Riscaldatore in grafite (4)

Malattia cardiovascolare SiC薄膜基本物理性能

Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento

性质 / Proprietà

典型数值 / Valore tipico

晶体结构 / Struttura cristallina

Fase β FCC多晶,主要为(111)取向

密度 / Densità

3,21 g/cm³

硬度 / Durezza

2500 tonnellate di carico (carico da 500 g)

晶粒大小 / Dimensione del grano

2~10μm

纯度 / Purezza chimica

99,99995%

热容 / Capacità termica

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Temperatura di sublimazione

2700℃

抗弯强度 / Resistenza alla flessione

415 MPa RT 4 punti

杨氏模量 Modulo di Young

430 GPa piegatura a 4 punti, 1300℃

导热系数 / ThermalConduttività

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)

4,5×10-6K-1

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Vi diamo un caloroso benvenuto a visitare il nostro stabilimento, saremo lieti di discuterne ulteriormente!

 

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