SiC Wafer қайығы/мұнарасы

Қысқаша сипаттама:

Бізге электрондық пошта жіберіңіз PDF форматында жүктеп алу

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

ӨнімDсипаттама

Кремний карбидінен жасалған вафли қайықтары жоғары температуралы диффузиялық процесте вафли ұстағыш ретінде кеңінен қолданылады.

Артықшылықтары:

Жоғары температураға төзімділік:1800 ℃ температурада қалыпты пайдалану

Жоғары жылу өткізгіштік:графит материалына эквивалентті

Жоғары қаттылық:қаттылығы бойынша алмаздан, бор нитридінен кейінгі екінші орында

Коррозияға төзімділік:күшті қышқыл мен сілті коррозияға ұшырамайды, коррозияға төзімділігі вольфрам карбиді мен алюминий оксидіне қарағанда жақсырақ

Жеңіл:төмен тығыздық, алюминийге жақын

Деформация жоқ: жылулық кеңеюдің төмен коэффициенті

Термиялық соққыға төзімділік:ол температураның күрт өзгеруіне төтеп бере алады, жылу соққысына төтеп бере алады және тұрақты жұмыс істейді

SiC физикалық қасиеттері

Мүлік	Құндылық	Әдіс
Тығыздық	3,21 г/см³	Раковина-қалқымалы және өлшемі
Меншікті жылу	0,66 Дж/г °K	Импульсті лазерлік жарқыл
Иілу күші	450 МПа560 МПа	4 нүктелі иілу, RT4 нүктелі иілу, 1300°
Сыну беріктігі	2,94 МПа м1/2	Микрошегініс
Қаттылық	2800	Vicker's, 500 г жүктеме
Серпімді модуль Янг модулі	450 ГПа430 ГПа	4 пт иілу, RT4 пт иілу, 1300 °C
Дән мөлшері	2 – 10 мкм	SEM

SiC жылулық қасиеттері

Жылу өткізгіштігі	250 Вт/м °K	Лазерлік жарқыл әдісі, RT
Жылулық кеңею (ТКК)	4,5 x 10-6 °K	Бөлме температурасы 950 °C дейін, кремний диоксиді дилатометрі