SiC Wafer gaýyk / diň

Gysga düşündiriş:

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

HarytDýazgy

Silikon karbid Wafer gaýygy, ýokary temperatura diffuziýa prosesinde wafli saklaýjy hökmünde giňden ulanylýar.

Üstünlikleri:

Temperatureokary temperatura garşylyk:adaty ulanylyşy 1800 at

Termokary ýylylyk geçirijiligi:grafit materialyna deňdir

Hardokary gatylyk:gatylygy göwherden, bor nitridinden soň ikinji ýerde durýar

Poslama garşylyk:Güýçli kislota we aşgar oňa poslama ýok, poslama garşylyk wolfram karbidinden we alýuminden has gowudyr

Lighteňil agram:pes dykyzlygy, alýumine ýakyn

Deformasiýa ýok: ýylylyk giňelişiniň pes koeffisiýenti

Malylylyk zarbasyna garşylyk:ýiti temperaturanyň üýtgemegine garşy durup biler, ýylylyk zarbasyna garşy durup biler we durnukly öndürijiligine eýe bolup biler

SiC-iň fiziki aýratynlyklary

Emläk	Gymmatlyk	Usul
Dykyzlygy	3.21 g / cc	Suwa ýüzmek we ölçeg
Aýratyn ýylylyk	0.66 J / g ° K.	Pulsirlenen lazer çyrasy
Fleksural güýç	450 MPa560 MPa	4 nokat egilmek, RT4 nokat egilmek, 1300 °
Döwük berkligi	2.94 MPa m1 / 2	Mikroindentasiýa
Gatylyk	2800	Wikeriň, 500 gr
Elastik modulYoung moduly	450 GPa430 GPa	4 egilme, RT4 p egilmek, 1300 ° C.
Dänäniň ululygy	2 - 10 µm	SEM

SiC-iň ýylylyk aýratynlyklary

Malylylyk geçirijiligi	250 W / m ° K.	Lazer fleş usuly, RT
Malylylyk giňelişi (CTE)	4,5 x 10-6 ° K.	Otagyň temperaturasy 950 ° C, kremniniň dilatometri