SiC Wafer Gaýygy/Minara

Önümiň jikme-jiklikleri

ÖnümDdüşündiriş

Kremniý karbidi Wafer gaýyklary ýokary temperatura diffuziýa prosesinde wafer saklaýjy hökmünde giňden ulanylýar.

Artykmaçlyklary:

Ýokary temperatura garşylygy:1800 ℃-de adaty ulanyş

Ýokary ýylylyk geçirijiligi:grafit materialyna deň

Ýokary gatylyk:gatylygy boýunça diňe almazdan, bor nitridinden soň ikinji orunda durýar

Korroziýa garşylygy:güýçli kislota we şel poslama ýok, poslama garşylygy volfram karbidi we alýumin oksidinden has gowy

Ýeňil agram:pes dykyzlyk, alýumine ýakyn

Deformasiýa ýok: termal giňelme koeffisiýentiniň pesligi

Termal şoka garşylyk:ol temperaturanyň keskin üýtgemelerine çydap bilýär, termal şoka garşy durup bilýär we durnukly işleýär

SiC-niň fiziki häsiýetleri

Emläk	Bahasy	Metod
Dykyzlyk	3.21 g/sm³	Rakubka-ýüzýän we ölçeg
Hasyl ýylylyk	0.66 J/g °K	Impulsly lazer ýalpyldawygy
Bükülme güýji	450 MPa560 MPa	4 nokatly egrilik, RT4 nokatly egrilik, 1300°
Döwülme çydamlylygy	2.94 MPa m1/2	Mikrodeşik
Gatylyk	2800	Vicker's, 500g ýük
Elastik ModulÝungyň Moduly	450 GPa430 GPa	4 pt egrilik, RT4 pt egrilik, 1300 °C
Däne ölçegi	2 – 10 µm	SEM