SiC Wafer Boot/Tuerm

Produktdetailer

ProduktDBeschreiwung

Siliziumkarbid-Waferbooter gi wäit verbreet als Waferhalter am Héichtemperaturdiffusiounsprozess benotzt.

Virdeeler:

Héich Temperaturbeständegkeet:normal Benotzung bei 1800 ℃

Héich thermesch Konduktivitéit:gläichwäerteg mat Graphitmaterial

Héich Häert:Häert nëmmen no Diamant, Bornitrid, déi zweetgréisst ass

Korrosiounsbeständegkeet:staark Säure an Alkali hunn keng Korrosioun, d'Korrosiounsbeständegkeet ass besser wéi Wolframkarbid an Aluminiumoxid

Liicht Gewiicht:niddreg Dicht, no bei Aluminium

Keng Deformatioun: niddrege Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung

Widderstand géint thermesch Schock:et kann schaarf Temperaturännerungen ausstoen, thermesche Schock widderstoen an huet eng stabil Leeschtung

Physikalesch Eegeschafte vu SiC

Immobilie	Wäert	Method
Dicht	3,21 g/cc	Spull-Schwimmer a Dimensioun
Spezifesch Hëtzt	0,66 J/g °K	Pulséierte Laserblitz
Biegefestigkeit	450 MPa 560 MPa	4-Punkt-Béi, RT4-Punkt-Béi, 1300°
Bruchstähigkeit	2,94 MPa m³	Mikroindentatioun
Häert	2800	Vicker's, 500g Ladung
Elastizitéitsmodul Youngs Modul	450 GPa430 GPa	4-Punkt-Béi, RT4-Punkt-Béi, 1300 °C
Kärgréisst	2 – 10 µm	SEM